Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"ABSTRAKOsmosis adalah suatu peristiwa aliran alami yang terjadi apabila terdapat dua larutan berbeda konsentrasi dan dipisahkan oleh suatu membran semipermeabel. Membran semipermeabel adalah suatu pembatas yang memiliki ukuran pori tertentu, sehingga dapat dilalui oleh molekul pelarut, namun tidak oleh molekul zat terlarut. Tekanan aliran yang disebabkan peristiwa osmosis dapat dimanfaatkan untuk memutar turbin dan kemudian dikonversikan menjadi energi listrik. Dalam penelitian ini dibuat suatu reaktor osmosis dengan memanfaatkan membran reverse osmosis. Sebagai larutan uji digunakan larutan NaCl teknis yang memiliki kemurnian 89,6%. Variasi yang dilakukan antara lain adalah variasi tingkat rejeksi membran, variasi suhu input larutan, variasi konsentrasi larutan NaCl, variasi luas membran, dan terakhir variasi ketinggian reservoir. Penelitian ini menunjukkan bahwa tekanan dan debit air yang dihasilkan proses osmosis semakin meningkat seiring dengan kenaikan tingkat rejeksi membran, konsentrasi larutan NaCl, luas permukaan membran, serta ketinggian reservoir. Aplikasi dengan air laut menggunakan luas membran 42 cm x 53 cm menghasilkan tekanan maksimum sebesar 1,09 bar dengan debit rata - rata 3,38 mL/menit yang bila dikonversikan dapat menghasilkan energi listrik sebesar 15,7 mWatt per m2 membran.

---

ABSTRACTOsmosis is a natural flow process that occurs when two solutions with different concentrations are separated by a semipermeable membrane. Semipermeable membrane is a barrier that has a specific pore size, so only the solvent molecules can flow through it, not the solute molecules. The flow of water that produced by osmosis process can be used as a source of energy to turn a turbine and then converted into electrical energy. This experiment was performed using a reactor that utilizes reverse osmosis membrane. The technical saline solution with 89.6% purity was used as the test solution. The experiment variables include the variation of membrane’s rejection rate, the temperature of input solution, the variation of NaCl solution concentration, the variation of membrane area, and finally the variations of reservoir height. This study showed that the pressure and flow of water that generated by osmosis process increased with the increase of membrane rejection rate, the concentration of NaCl solution, the surface area of the membrane, as well as the different height of the system. The application with sea water using membrane area of 42 cm x 53 cm resulted a maximum pressure of 1.09 bar with the maximum debit of water at 3.38 mL/min, which can be converted to produce 15.7 mWatt electricity per m2 membrane."

"ABSTRAKEtanol dapat dipisahkan dengan proses pervaporasi menggunakan membran-PV (pervaporasi). Material membran TFC (thin film composite) yang digunakan sebagai metode pemisahan campuran etanol-air dengan proses pervaporasi yang lebih khusus dengan mempertimbangkan nilai keekonomisannya. Penelitian dibagi menjadi dua tahap penelitian, yaitu penelitian pendahuluan dan penelitian utama. Penelitian pendahuluan dilakukan dengan memvariasikan kondisi operasi pada 35, 39 dan 44oC dan tekanan pada sisi permeat sebesar 660, 510, dan 260 mmHga. Metode pervaporasi diaplikasikan pada campuran etanol-air dengan menggunakan kondisi optimum pada suhu 39oC dan tekanan 510 mmHga. Sedangkan untuk variasi konsentrasi etanol yang digunakan pada penelitian utama senilai 10, 30, 50, 70 %. Dari hasil penelitian yang dilakukan, diperoleh pada kondisi operasi optimum didapatkan penurunan konsentrasi permeat paling besar senilai 14,4% pada konsentrasi etanol awal 70%, dengan nilai selektifitas 1,575 dan nilai fluks permeat sebesar 0,0160 kg/m2.min. Hasil penelitian tersebut menunjukan bahwa dengan menggunakan membran Thin Film Composite (TFC) untuk proses pemurnian campuran etanol-air dengan metode pervaporasi perlu dilakukan modifikasi lebih lanjut.

---

ABSTRACTEthanol can be separated by pervaporation process using a membrane-PV (pervaporation). TFC membrane material (thin film composite) was used as a method of separation of ethanol-water mixture by pervaporation process more specifically taking into account the economic value. The study was divided into two phases of research, the preliminary research and primary research. Preliminary research carried out by varying the operating conditions at 35, 39 and 44oC and pressure on the permeate side at 660, 510, and 260 mmHga. The method was applied to the pervaporation of ethanol-water mixture by using the optimum conditions at a temperature of 39oC and a pressure of 510 mmHga. As for the variation of the concentration of ethanol used in the main study worth 10, 30, 50, 70%. From the results of research conducted, obtained at the optimum operating conditions found in decreased concentrations of the permeate most worth 14.4% in the initial ethanol concentration of 70%, with selectivity value of 1.575 and permeate flux values 0.0160 kg/m2.min. The results showed that by using a membrane Thin Film Composite (TFC) for the purification of ethanol-water mixtures by pervaporation method needs to be done further modifications."

"PendahuluanPada Penelitian RUT IX tahun I, telah dilakukan penumbuhan film tipis pyroelektrik PbZro.525Ti0,475O3 (PZT) dengan teknik spin coating dan karakterisasinya mencakup struktur mikro dengan teknik XRD, morfologi permukaan dengan teknik SEM, nilai dielektrikum, kapasitans kapasitor dan banyaknya muatan yang tcrperangkap di antara substrat Si dengan film tipis PZT per satuan luas dengan teknik C-V meter serta nilai konduktivitas bahan dengan teknik I-V meter. Struktur kristal dari bulk dan film tipis PZT telah dipelajari secara mendalam dengan mengolah data XRD yang dilakukan pada Lab. XRD program studi Ilmu Material UI Salemba untuk memperoleh nilai konstanta kisi, Full width Half Maximum (FWHM) kristal dan ukuran butiran (grain size). Nilai polarisasi spontan dari PZT jugs dikaji secara teoritis. Struktur film tipis pyroeletrik yang dikembangkan berbentuk MOS (Metal = alumunim; Oksida = PZT; Semikonduktor = Si) dan kapasitor keping sejajar MOM (Metal = alumunium; Oksida = PZT; Metal = Platinum) dengan luas keping elektrode antara 0,25 mm2 - 1 mm2. 1.2. Permasalahan Pembuatan kapasitor berfungsi sebagai penyimpan muatan. Kapasitor memerlukan bahan ferroelektik dan pyroelektrik sebagai bahan dielektrik. Bahan pyroelektrik PZT yang dikaji dalam penelitian ini sangat sesuai sebagai bahan dielektrik kapasitor memori. Keunggulan pyroelektrik PZT adalah karena memiliki tetapan dielektrik yang cukup tinggi. Bahan ferroeletrik dan pyroelektrik PZT ini dapat terpolarisasi secara spontan dengan membalik arah medan listrik yang dikenakan pada bahan PZT. Masalah yang ada pada bahan ferroelektrik dan pyroelektrik PET adalah masih tingginya tingkat kebocoran arus. Mekanisme kebocoran arus pada bahan ferroelektrik disebabkan oleh kekosongan oksigen. Untuk menghindari masalah ini dilakukan penambahan kadar oksigen pada waktu melakukan proses annealing film tipis. Masalah yang dikaji dalam penelitian ini adalah : 1. mengoptimalisasi parameter penumbuhan film tipis PbZru,s3'Eiu,4703 di atas subtrat Si (100) dan Si(E00)/SiO21TiO2IPt (200) dengan metode Spin Coatiiig. 2. mempelajari karakterisasi film tipis PbZro,52sTia,47503 melalui pengujian struktur permukaan film tipis dengan difraksi sinar-X (XRD) dan SEMIEDAX, uji sifat listrik berupa resistiuilas dan konduktivitas dengan I-V meter, serta uji nilai dielektrikum, kapasitans kapasitor dan banyaknya muatan yang terperangkap di antara substrat Si dengan film tipis PZT per satuan luas dengan teknik C-V meter?"

"The thin film of Indium Tin Oxide (ITO) whose the final thickness between 502 nm - 850 nm, various oxygen partial pressure between 0 - 32 mPa and the deposition rate 1,2 nm/s, 2,2 nm/s and 3,5 nm/s have already made by DC magnetron sputtering method. Having studied about the influence of oxygen partial pressure and deposition rate to electrical property of ITO : resistivity, conductivity, carrier charge concentration, mobility; temperature coefficient and activation energy. Resistivity, conductivity, mobility and carrier charge concentration at room temperature are determined by using Van der Pauw method, and resistivity vs temperature between 12 K -. 300 K to find coefficient temperature and activation energy is used four point probe method.In this thesis , we got resistivity value is in range 3,2 x 10-4 Ω cm - 25,4x 10'Ω cm at room temperature 300 K. Conductivity is in range 294 Ω -' cm-' - 3125 Ω -1 cm-1. Carrier charge concentration is in range 1,30x1020 cm-3 - 3,56 x 1420 cm3. Mobility is in range 19,0 cm2/Vs - 55,2 cm 2/Vs. Temperature coefficient at 150 K - 250 K, where resistivity vs temperature is linier, is in range 1,23 x 10-4 K-1 - 8,68 x 10-4 K-1. and activation energy is in range 1,73x104 eV - 43,2 x10-6 eV. The influence of oxygen partial pressure to electrical properties of ITO is, the bigger oxygen partial pressure, the bigger resistivity, and the smaller carrier charge concentration, mobility and temperature coefficient. The various the deposition rate shows that the faster deposition rate , the bigger resistivity and the smaller conductivity, mobility and carrier charge concentration. Carrier charge concentration is caused by oxygen vacancies and Sn substitution to In. The decreasing of carrier charge concentration as the increasing oxygen partial pressure connect with Sn oxide which made this cause the increasing of scattering.

---

Lapisan tipis Indium Tin Oksida (ITO) dengan ketebalan 502 - 850 nm dengan beberapa variasi tekanan parsial oksigen antara 0 sampai 32 mPa dan variasi laju deposisi 1,2 nmis, 2,2 nm/s dan 3,5 nm/s telah berhasil dibuat dengan proses dc magnetron sputtering. Dilakukan studi pengaruh tekanan parsial oksigen dan laju deposisi terhadap sifat listrik yang meliputi : resistivitas, konduktivitas, konsentrasi pembawa muatan, mobilitas, koefisien temperatur dan energi aktivasi pada lapisan tipis ITO. Resistivitas, konduktivitas, mobilitas dan konsentrasi pembawa muatan pada temperatur ruang 300 K diukur dengan metoda Van der Pauw. Sedang pengukuran resistivitas vs temperatur antara 12 K sampai 300 K untuk mendapatkan koefisien temperatur dan energi aktivasi dilakukan dengan menggunakan metoda empat titik.Hasil pengukuran resistivitas berkisar antara 3,2 x 10 Ω cm sampai 25,4x 104 Ω cm pada temperatur ruang 300 K. Konduktivitas didapat dengan rnenginversikan resistivitas didapat 294 Ω-1 cm-1 sampai 3125 Ω-1 cm-1 . Konsentrasi pembawa muatan pada temperatur ruang berkisar antara 1,30 x 1020 cm-3 sampai 3,56 x 1020 cm-3. Mobilitas pada temperatur ruang berkisar antara 19,0 cm 2/Vs sampai 55,2 cm2/Vs. Koefisien temperatur yang dihitung pada temperatur 150 K sampai 250 K yakni daerah dimana resistivitas vs temperatur merupakan fungsi linear didapat antara 1,23 x 10-4K-1 sampai 8,68 x 10-4 K-1. Energi aktivasi didapat antara 1,73x10-6 eV sampai 43,2 x10-6 eV. Pengaruh tekanan parsial oksigen terhadap sifat listrik lapisan tipis ITO adalah semakin besar tekanan parsial oksigen cenderung akan semakin besar resistivitasnya, sedangkan konsentrasi pembawa muatan, mobilitas dan koefisien temperatur semakin kecil. Variasi laju deposisi memberikan bahwa semakin besar laju deposisi cenderung semakin besar resistivitasnya, sedangkan konduktivitas, mobilitas dan konsentrasi pembawa muatan cenderung semakin kecil. Konsentrasi pembawa muatan disebabkan terutama oleh vakansi oksigen dan substitusi Sn terhadap In. Menurunnya konsentrasi pembawa muatan dengan naiknya tekanan parsial oksigen berhubungan dengan berkurangnya vakansi oksigen dengan pemberian oksigen dari luar. Mobilitas menurun dengan kenaikan oksigen berhubungan dengan terbentuknya oksida Sn yang menambah efek hamburan."

"Penelitian ini bertujuan memperoleh informasi karakteristik thin film GaSb dengan sistem penumbuhan evaporasi thermal. Bahan yang digunakan adalah ingot GaSb dengan sistem penumbuhan pemanasan vertikal pada bagian ujungnya. Penumbuhan thin film GaSb secara evaporasi thermal menggunakan evaporator Univex 450 pada Laboratorium Fisika Universitas Indonesia. Karakterisasi thin film GaSb menggunakan difraksi sinar-X (dirraktometer Cu-Ka dan Co-Ka) dan four point probe (Veeco EPP-lOO) dilakukan pada Laboratorium Fisika Universitas Indonesia dan Lembaga Sumber Daya dan Energi, pada bulan Agustus I996 - Maret I997. Hasil analisis thin film GaSb substrat kronig pada temperatur pemanasan substrat 200 °C menunjukkan karakteristik yang sama dengan referensi dengan konstanta kisi (a) 6,24 A, volume 197,79 A3, sistem kristal kubik dengan struktur kubik pusat muka pada orientasi bidang (111, 220, 333).

---

This research is intended to obtain information regarding characteristic of GaSb thin film from thermally evaporated growth system. The material use consist of GaSb ingot growth vertically by thermally evaporated. The evaporator used is univer 450, and the characterization is carried out using X - ray difractometer and veeco four points probe. The thin film analysis indicated that GaSb at temperature of 200°C have similar characteristics with the reference, having lattice constant of 6.24 A and volume 197.79 A and have a structure of FCC oriented at (III), (220) and (333) crystal planes."

"Film Ba0,5Sr0,5TiO3 doping Ga2O3 (BGST) telah berhasil dibuat di atas substrat Si(111) dengan proses penumbuhan larutan kimia 1 M larutan BGST [(BaxSr1-xTi1-yGay) O3-y/2] dan dilanjutkan dengan spin coating pada kecepatan putar 3000 rpm selama 30 detik. Karakterisasi yang dilakukan berupa struktur mikro menggunakan XRF, XRD dan SEM serta uji sifat ferroelektrik.Hasil XRF menunjukkan unsur-unsur pembentuk BST telah terdeposit. Sementara hasil XRD pada substrat Si(111) didapatkan nilai parameter kisi untuk BST, BGST (1%, 2% dan 4%) berturut-turut sebesar 3,9469Å, 3,9354Å, 3,8617Å dan 3,7550Å. Adapun bidang hkl yang muncul yaitu (100) untuk sampel BST dan BGST1M1%Si serta bidang (100) dan (110) untuk sampel BGST1M2%Si dan BGST1M4%Si.Hasil analisa SEM menunjukkan bahwa permukaan film BST maupun BGST dengan variasi doping masih heterogen.Hasil uji histerisis menunjukkan adanya hubungan yang linear antara nilai polarisasi dengan nilai medan listrik yang diberikan. Nilai polarisasi spontan memiliki hubungan yang berbanding terbalik dengan nilai parameter kisi suatu bahan. Polarisasi spontan hasil perhitungan berdasarkan posisi atom diperoleh untuk BGST1M1%Si, BGST1M2%Si dan BGST1M4%Si berturut-turut 51,6550(µC/ cm2 ) , (µC/ cm2 ) dan 56,7375 (µC/ cm2 ).A film of Ga2O3 doped Ba0.5Sr0.5TiO3 (BGST) is successfully make on silicon substrate (111) using chemical solution deposition process 1M BGST (BaxSr1-xTi1-yGay)O3-y/2 solution followed by spin coating process with spin velocity 3000 rpm for 30 second. Characterizations conducted are micro structure characterization using XRF, XRD and SEM and ferroelectric property.The result of XRF shows that the BST forming elements are already deposited. Where as the result of XRD on silicon substrate (111) shows the lattice parameter for BST, BGST (1%, 2% and 4%) are respectively as follow: 3.9469 Å , 3.9354 Å , 3.8617 Å and 3.7550 Å . In addition, the XRD result also show that the hkl plane observed is (100) plane for BST sample and BGST1M1%Si, and (100) and (110) planes for BGST1M2%Si and BGST1M4%Si.The result of SEM shows that the films surface of BST as well as BGST with various doping concentration are still heterogeneous.The result of hysterisis test shows the existence of directly proportional relationship between the polarization value and electric field value. The spontaneous polarization value is conversely proportional to the lattice parameter value of material. The spontaneous polarization value obtained from calculation based on atomic position for BGST1M1%Si, BGST1M2%Si and BGST1m4%Si are respectively as follow: 51.6550, 53.6454 and 56.7375 (µC/ cm2 )."

"Film BST 1M dan BST 1M doping Nb2O5 dengan variasi % doping (1%, 2%, 4%) dideposisikan pada substrat Si (111) dan gelas corning dengan metode penumbuhan CSD (chemical solution deposition) dengan teknik spin-coating pada kecepatan putar 3000 rpm selama 30 detik. Film yang terbentuk dilanjutkan dengan proses sintering pada temperatur 450ºC untuk substrat corning dan 850ºC untuk substrat Si (111) selama 3 jam. Sistem kristal dan orientasi film BST dan BNST diuji dengan difraksi sinar-X dan dilakukan penghalusan (refinement) dengan analisa Rietveld yaitu menggunakan GSAS.Hasil penghalusan dengan GSAS diperoleh fasa BST yang terkandung pada film BST 1M, BNST 1M 1%, 2% dan 4% (substrat silikon) bersesuaian dengan Ba0,5Sr0,5TiO3 (ICDD) dengan sistem kristal kubik dan parameter kisi (a) berturut-turut 3,944Å, 3,949Å, 3,950Å, 3,904Å. Sedangkan untuk film BNST 1M 1%, 2% dan 4% (substrat corning) bersesuaian dengan BaTiO3 (ICDD) dengan sistem kristal tetragonal dan parameter kisi (a=b) berturut-turut 3,997Å, 3,987Å, 3,996Å, parameter kisi (c) 4,051Å, 4,041Å, 4,058Å.Hasil SEM film BST dan BNST 1M menunjukkan bahwa morfologi permukaan belum merata dan belum homogen. Harga polarisasi spontan film pada substrat Si (111) untuk BNST 1M 1% adalah 72,100µC.cm-2, BNST 1M 2% adalah 71,680µC.cm-2 dan BNST 1M 4% adalah 51,440µC.cm-2. Sedangkan harga polarisasi spontan film pada substrat corning untuk BNST 1M 1% adalah 121,440µC.cm-2, BNST 1M 2% adalah 121,450µC.cm-2 dan BNST 1M 4% adalah 119,690µC.cm-2.

---

1M BST film and 1M Nb2O5 doped BST film with various Nb2O5 content (1%, 2% and 4%) are deposited on both silicon substrate and corning glass substrate, using CSD (chemical solution deposition) growth method by means of spin-coating technique with spin velocity 3000 rpm for 30 second. The resulted film is then followed by sintering process at 450ºC for corning glass substrate and 850ºC for silicon substrate for 3 hours. The crystal system and orientation of BST and BNST film are observed with X-ray diffraction and then the results are refined using Rietveld analysis feature in GSAS.

After refinement process using GSAS, the BST phase contained within the 1M BST film and 1M Nb2O5 doped BST films (Nb2O5 content: 1%, 2% and 4%) on silicon substrate is found to be equal to Ba0.5Sr0.5TiO3 phase (ICDD) with cubic crystal system and lattice parameter (a) respectively as follow: 3,944Å, 3,949Å, 3,950Å, 3,904Å. Whereas for 1M BNST films (Nb2O5 content: 1%, 2% and 4%) on corning glass substrate, the BST phase contained is found to be equal to BaTiO3 phase (ICDD) with tetragonal crystal system and lattice parameter (a=b) respectively as follow: 3,997Å, 3,987Å, 3,996Å and lattice parameter (c) respectively as follow: 4,051Å, 4,041Å, 4,058Å.

The SEM result of 1M BST and 1M BNST films show that the surface morphologies are not yet smooth and still heterogen. The spontaneous polarization value of the film on silicon substrate for BNST 1M 1% is 72,100µC.cm-2, BNST 1M 2% is 71,680µC.cm-2 and BNST 1M 4% is 51,440µC.cm-2. Whereas the spontaneous polarization value of the film on corning glass substrate for BNST 1M 1% is 121,440µC.cm-2, BNST 1M 2% is 121,450µC.cm-2 and BNST 1M 4% is 119,690µC.cm-2."

"ABSTRAKFeCoNi merupakan paduan ternari berbasis logam transisi merupakan bahan magnet lunak memiliki nilai magnetisasi total yang tinggi, ketahanan korosi dan kestabilan termal yang tinggi dan memiliki potensi aplikasi yang luas pada berbagai perangkat elektronik. Pada saat ini, perkembangan perangkat elektronik semakin maju, misalnya pada perangkat portable modern, menuntut bahan magnetik yang tidak hanya tipis namun juga fleksibel. Dalam penelitian ini, dikembangkan metoda sintesis paduan FeCoNi dalam bentuk lapisan nanostruktur dengan teknik elektrodeposisi pada substrat fleksibel yaitu polietilen PET yang dilapisi material konduktif indium tin oksida ITO . Pengaruh kondisi reaksi seperti tegangan ko-deposisi, komposisi elektrolit, dan penambahan bahan kimia aditif masing-masing cetyltrimethylammonium bromide CTAB dan sakarin dikaji peranannya dalam pembuatan lapisan tipis FeCoNi di atas substrat tersebut.Kajian elektrokimia yang telah dilakukan dalam sel tiga elektroda menunjukkan bahwa inisiasi ko-deposisi Fe, Co dan Ni dari elektrolit 1 0,005 M Fe2 , 0,0020 M, Co2 dan 0,170M Ni2 terjadi pada tegangan overpotential -0,95 V. Penambahan sakarin dalam sistem elektrolit tidak memberikan pengaruh besar terhadap kenaikan overpotential sistem. FeCoNi kemudian dideposisikan pada tegangan -1,00 s/d -2,00 V. Deposit FeCoNi yang dihasilkan membentuk lapisan tipis dengan ketebalan 155 nm dengan permukaan yang halus dan rata serta mengkilap. Hasil-hasil karakterisasi membuktikan bahwa fasa tunggal dari larutan padat FeCoNi telah berhasil disintesis dalam bentuk partikel-partikel halus berkuran 40-180 nm. Larutan padat berupa kristalit FeCoNi berukuran antara 10-22 nm, terbentuk dengan struktur kristal FCC. Kehadiran aditif sakarin dalam elektrolit berperan dalam mengontrol ukuran kristalit FeCoNi. Selain itu, penambahan sakarin juga telah merubah morfologi partikel dari bentuk spherical menjadi equi-axed, menghasilkan mikrostruktur deposit yang lebih kompak bebas retakan pada lapisan. Hasil analisis terhadap sifat magnetik menunjukkan bahwa lapisan tipis FeCoNi hasil sintesis memiliki karakteristik magnet lunak dengan koersivitas terkecil mencapai 0,2 Oe. Lapisan tipis FeCoNi yang diperoleh secara eksperimental memiliki nilai magnetisasi total pada rentang 81 - 121 emu/gram sesuai dengan kondisi reaksi yang digunakan. Perubahan sifat magnetik bahan dipengaruhi oleh kandungan Fe dan Ni dalam lapisan FeCoNi.

---

ABSTRACTFeCoNi is a transition metal based alloy possesses excellent soft magnetic characteristics with a high magnetic saturation value, a low coercivity, highly corrosion resistant and a very good thermal stability. Current growth of today rsquo s electronic devices demands alloys which are not just very thin magnetic films, but must also be flexible magnetic films. In this study, synthesis of magnetic thin film of FeCoNi alloy was carried out onto a flexible substrate of polyethylene PET coated with a conductive layer of indium tin oxide ITO using electrodeposition technique. The influence of reaction conditions like co deposition potentials, electrolyte compositions, and cetyltrimethylammonium bromide CTAB and saccharine additives on the growth and properties of the FeCoNi thin film were investigated.Electrochemical studies performed in a three electrode cell showed that initial co deposition of Fe, Co and Ni from electrolyte 1 0,005 M Fe2 , 0,0020 M, Co2 and 0,170M Ni2 take place at over potential of 0,95 V. The addition of additives and the increase of Fe2 concentration were found to slightly shift the initial co deposition to a more negative potential. The mirror like film of FeCoNi with a thickness of 155 nm was electrodeposited successfully at a co deposition potential range of 1.00 to 2.00 V. Microstructure analysis revealed that single phase of the FeCoNi solid solution was successfully grown on the substrate in the form of fine particles of 40 180 nm. The obtained solid solution was composed by nanocrystalline of face centered cubic FCC FeCoNi with the average of crystallite size of 10 22 nm. The presence of saccharine in the electrolyte was beneficial to control crystallite size and changed particles shape from spherical to to equi axed resulted in more compact film. These conditions were believed to impede crack that found on the film electrodeposited without saccharine. The synthesized FeCoNi thin film exhibited soft magnetic properties at which the low coercivity was 0.2 Oe. Magnetic saturation of the films varied between 81 to 121 emu gram, depending on the co deposition condition. The change of magnetic properties was attributed to Fe and Ni content."