Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"

Pengembangan pembuatan lapisan tipis Cu2ZnSnS4 dengan metode SILAR menjadi perhatian penelitian kini untuk menciptakan sel surya berbasis lapisan tipis yang terjangkau dan efisien. Proses anil dengan sulfur yang dilakukan pada lapisan tipis CZTS dapat memperbaiki sifat-sifat pada lapisannya. Temperatur dan waktu anil merupakan parameter utama dalam proses anil pada lapisan tipis CZTS. Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh temperatur dan waktu anil terhadap sifat optis berupa nilai energi celah pada lapisan tipis CZTS dengan jumlah siklus pencelupan yang sudah ditentukan yaitu sebanyak 40 siklus.

Variabel temperatur anil adalah 250oC, 300oC, 350oC dan 400oC. Sedangkan variabel waktu anil adalah ½ jam dan 1 jam. proses anil yang dilakukan menggunakan sulfur padatan. Pengaruh temperatur dan waktu anil pada sifat morfologi, optikal dan struktural telah diuji. Nilai energi celah yang dihasilkan bervariasi bergantung pada temperatur dan waktu anil. Hasil pengujian XRD pada semua sampel, ditemukan fasa CZTS dengan puncak difraksi yang memiliki intensitas yang rendah. Topografi permukaan yang dihasilkan menunjukkan penampakan retakan dan juga kemungkinan fasa kedua CuxS.

---

Development of Cu2ZnSnS4 thin films fabrication with Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) method has become a concern to produce low cost and efficient based thin film solar cells. Anneling process in sulfur condition was done on CZTS thin films to improve its properties. Annealing temperature and time are the main parameter for anneling process on CZTS thin films.

This study aims to know the effect of annealing temperature and time on CZTS optical property with 40 immersion cycles. Annealing temperature variables are 250oC, 300oC, 350oC, and 400oC. While the annealing time variables are ½ hour and 1 hour. Annealing process is performed using solid sulfur. The effect of annealing temperature and time on morphology, optical and structural properties were examined. The resulting band gap energy varies which depends on annealing temperature and time. The XRD results on every samples was found CZTS phase with diffraction peak which has low intensity. Surface topography shows the presence of cracks and possibility of CuxS second phases.

"

"ABSTRAKMaterial semikonduktor Cu2ZnSnS4 (CZTS) dikenal sebagai semikonduktor tipe-p dengan energi celah pita ideal dan koefisien penyerapan tinggi untuk lapisan penyerap pada aplikasi sel surya. Fabrikasi menggunakan metode Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) menjadi kombinasi yang tepat untuk menghasilkan sel surya berbasis lapisan tipis yang terjangkau dan rendah toksisitas. Siklus pencelupan menjadi salah satu faktor penting proses yang dapat mempengaruhi struktur dan sifat optis lapisan tipis CZTS yang terbentuk pada permukaan substrat. Dengan menggunakan variabel 25, 30, 35, dan 40 siklus, serta perlakuan anil tanpa dan dengan suasana sulfur, penelitian ini melakukan investigasi pengaruhnya terhadap struktur dan sifat optis berupa nilai energi celah pita. Hasil XRD menunjukkan penurunan nilai kristalinitas dengan kenaikan jumlah siklus pencelupan. Topografi permukaan lapisan tipis CZTS hasil SEM menunjukkan adanya retak dan penggumpalan partikel pada permukaan sampel yang diduga sebagai fasa kedua berdasarkan analisis hasil EDX. Nilai energi celah pita pada sampel hasil anil tanpa suasana sulfur dan sampel hasil anil dalam suasana sulfur pun mengalami penurunan seiring dengan peningkatan jumlah siklus pencelupan.

---

ABSTRACTSemiconducting Cu2ZnSnS4 (CZTS) material is known as p-type semiconductor which has ideal direct band gap and high absorption coefficient for absorber layer in thin-film solar cells application. Fabricated by Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) method, this could be a promising technique to produce low cost and low toxicity thin-film solar cells. Immersion cycle is one of the important factors in SILAR method that may effect on structure and optical properties of CZTS thin film. By using following variables: 25, 30, 35, and 40 immersion cycles, and annealing treatment in non-sulfur condition and annealing treatment in sulfur condition as well, this investigation focused on their effects to structure and optical properties. The XRD results give decreased crystallinity with the increasing of immersion cycles. Surface topography of CZTS thin film, as the results of SEM examination, indicate the presence of cracks and coalescence particles on the surface of samples, suspected as second phases according to the results of EDX examination. Besides, as the immersion cycles are going up, it leads to decreasing on band gap energy on both annealed samples."

"Sel surya berbasis lapisan tipis Cu2ZnSnS4 (CZTS) dianggap sebagai material alternatif yang menjanjikan dikarenakan mengandung bahan yang ketersediaannya berlimpah di bumi. Untuk mewujudkan sel surya dengan biaya yang terjangkau, metode SILAR dipilih karena kesederhanaannya untuk proses pembuatan lapisan tipis CZTS. Penelitian ini dilakukan untuk mengetahui pengaruh perubahan waktu pencelupan anionik terhadap sifat optis lapisan tipis CZTS berupa nilai energi celah. Dengan hanya menggunakan siklus sebanyak 30, digunakan variabel waktu pencelupan anionik yang lebih lama yaitu 30, 40, 50, dan 60 detik pada sampel yang mengalami dua perlakuan anil, yaitu anil tanpa sulfur dan anil dengan suasana sulfur. Pada sampel anil tanpa sulfur didapatkan nilai energi celah menurun hingga pencelupan 40 detik, setelah itu meningkat, dan menurun kembali saat pencelupan 60 detik. Sedangkan pada sampel anil dengan sulfur nilai energic celah menurun hingga pencelupan 50 detik kemudian meningkat saat pencelupan 60 detik. Dengan meningkatnya waktu pencelupan anionik maka nilai energi celah yang diperoleh akan semakin rendah dengan tingkat kristalinitas yang semakin baik.

---

Thin-film solar cells Cu2ZnSnS4 (CZTS) is considered as a promising alternative material due to the availability in the earth crust. To realize solar cells with reasonable costs, SILAR method is chosen because of its simplicity for CZTS thin film manufacturing process.

The purpose of this research is to investigate the influence of anionic immersion time changes to the band gap energy of CZTS. Using 30 immersion cycles, anionic immersion time is varied for 30, 40, 50, and 60 seconds. Annealing treatment was done in non-sulfur and sulfur atmosphere.

Non-sulfur annealed sample show a deacreasing band gap energy as increasing anionic immersion time, but increasing after 40 seconds and decreasing again on 60 seconds. In the other hand, sulfur annealed sample show deacreasing band gap energy to 50 seconds but increasing again on 60 seconds. Increasing of immersion time results the decreasing of the band gap energy followed by the increasing of the crystallinity."

"Lapisan tipis Cu2ZnSnS4 (CZTS) telah dipelajari secara mendalam dalam beberapa tahun terakhir karena kelebihannya. Dalam penelitian ini, prekursor CZTS dideposisikan pada substrat stainless steel dengan metode Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) dan kemudian disulfurisasi pada temperatur 250-400⁰ C selama 30-60 menit untuk menghasilkan lapisan tipis CZTS yang polikristalin. Temperatur dan waktu sulfurisasi dipelajari pengaruhnya terhadap sifat optis. Penelitian ini menunjukkan peningkatan nilai energi celah pita seiring peningkatan waktu sulfurisasi dari 30 menit ke 60 menit dan nilai energi celah pita lapisan tipis bervariasi dari 0,75 sampai 1,55 eV bergantung pada suhu dan waktu sulfurisasi.

---

Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin films have been extensively studied in recent years for their advantages. In this work, CZTS precursors were prepared on stainless steel substrates by Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) method and then sulfurized at temperatures of 250-400⁰C for 30-60 minutes to produce polycrystalline CZTS thin films. The effect of sulfurization temperature and time were studied on the optical properties.

This study shows an increase of the band gap energy for increasing sulphurization time from 30min to 60min and the band gap of thin films varies from 0,75 to 1,55 eV depending on sulfurization temperature and time."

"Fabrikasi lapisan tipis Cu2ZnSnS4 (CZTS) menggunakan metoda Succesive Ionic Layer Adsorption And Reaction (SILAR) merupakan kombinasi yang menjanjikan untuk mewujudkan sel surya berbasis lapisan tipis yang terjangkau. Lama waktu pencelupan dan waktu rinsing merupakan poin kritis dalam proses fabrikasi lapisan tipis menggunakan metoda SILAR. Penelitian ini dilakukan untuk mengetahui pengaruh perubahan waktu celup anionik S2- terhadap sifat optis berupa energi celah pita dari semikonduktor lapisan tipis CZTS. Variabel waktu pencelupan adalah 10, 20, 30, dan 40 detik dengan sampel mengalami dua perlakuan yaitu deposisi dan anil. Untuk CZTS hasil deposisi didapatkan bahwa peningkatan waktu celup anionik meningkatkan nilai energi celah hingga waktu celup 30 detik, setelah itu nilai energi celah CZTS menurun. Sedangkan untuk sampel CZTS yang mengalami perlakuan anil menunjukkan kecenderungan sebaliknya. Nilai energi celah sampel anil terus menurun hingga waktu celup 30 detik setelah itu nilai energi celah kembali naik. Selain itu dalam penelitian ini juga melihat perbandingan kristalinitas sampel hasill deposisi dan anil. Setelah perlakuan anil sampel dengan waktu pencelupan anionik selama 30 detik mengalami peningkatan kristalinitas seiring menurunnya nilai energi celah. Sedangkan sampel dengan waktu pencelupan 20 detik mengalami penurunan kristalinitas diikuti peningkatan energi celah. Kondisi kristalinitas yang menurun sesuai perubahan energi nilai energi celah yang meningkat dan sebaliknya.

---

Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin films that are fabricated by Succesive Ionic Layer Adsorption And Reaction (SILAR) method is a promising combination to realize a low cost thin films Solar Cell (TFCS). Ionic exchange and rinsing time are critical point for ionic layer formation in SILAR method. The purpose of this research is to investigate the influence of changing time on immersing in S2- to the band gap energy of CZTS. Immersing time’s variable is divided into 10, 20, 30 and 40 seconds for both deposited sample and annealed sample.

Deposited CZTS show an increasing band gap energy as increasing on anionic immersing’s time, but decreasing after 30 seconds. In the other hand annealed CZTS show a decreasing band gap energy as increasing on anionic immersing’s time but incresing again after 30 seconds.

This research is also investigating the crystalinity of deposited sampel and annealed sample. After anneal the crystalinity of 30 seconds immersing time sampel is increasing followed by decreasing of band gap energy.Otherwise crystalinity of 20 seconds immersing time sample is decreasing followed by increasing of band gap energy. Decreasing the crystalinity followed by increasing band gap energy and otherwise."

"Munculnya material baru seperti Cu2ZnSnS4 (CZTS) ditambah dengan metode- metode baru seperti Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) membuka peluang baru menuju sel surya yang murah dengan efisiensi yang lebih tinggi. Penelitian ini mencoba melihat pengaruh perubahan waktu pencelupan kationik pada metode SILAR untuk membuat lapisan tipis CZTS, untuk meningkatkan kristalinitas beberapa sampel dianil pada suhu 300oC selama 180 menit. Terjadinya peningkatan pada energi celah dari variasi waktu pencelupan 10, 20, 30, dan 40 detik untuk semua sampel, yang kemungkinan besar terjadi karena terbentuknya senyawa seperti ZnS pada sampel as deposited dan penguapan ion sulfur pada sampel yang dianil.

---

The emergence of new materials such as Cu2ZnSnS4 (CZTS) coupled with new methods such as the Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) open new opportunities towards cheaper and higher efficiency solar cells. This study investigate the effect of cationic immersion time in SILAR method to produce CZTS film, to improve the crystallinity the samples were annealed at a temperature of 300oC for 180 minutes. An increase in the bandgap was found with the variation of immersion time 10, 20, 30, and 40 seconds for all samples, which is most possibly occurred because of the formation of compounds such as ZnS in as deposited samples and the evaporation of sulfur ion in annealed sample."

"Telah dilakukan penelitian sifat struktur dan sifat listik material double perovskite La2FeTiO6 yang di preparasi dengan metode sol-gel. Hasil karakterisasi XRD sampel bubuk hasil kalsinasi 9000C selama 6 jam menunjukkan La2FeTiO6 memiliki struktur kristal orthorhombik dengan space grup Pnma, masih terdapat fase kedua berupa senyawa nitrat. Sampel disinter pada suhu 13000C untuk mendapatkan bentuk bulk yang keras dan tidak mudah pecah. Hasil karakterisasi XRD sampel bulk hasil sintering menunjukkan telah diperoleh fase tunggal dengan crystallite size 24.1nm. Sampel dianil pada suhu 11000C selama 4 jam untuk memperbaiki mikrostruktur material sehingga dapat menghasilkan sifat listrik yang lebih baik. Hasil karakterisasi XRD menunjukkan sampel bulk hasil anil memiliki fase tunggal dengan intensitas peak yang meningkat dan crystallite size menurun 21.7nm , menunjukan terbentuknya kristalisasi yang baik. Hasil karakterisasi SEM menunjukan La2FeTiO6 hasil sinter dan hasil anil memiliki bentuk butiran yang seragam dengan ukuran yang berbeda-beda. Rata-rata grainsize 247nm untuk La2FeTiO6 hasil sinter dan 137nm untuk La2FeTiO6 hasil anil. Hasil EDS menunjukan tidak terlihat adanya kemunculan elemen lain yang mengindikasikan fase sekunder pada sampel sinter dan anil. Sifat listrik material dianalisis dengan impedansi spectroskopi. Hasil yang diperoleh menunjukan La2FeTiO6 hasil anil memiliki nilai konstanta dielektrik dan konduktivitas lebih tinggi dibandingkan dengan hasil sinter.

---

The structure and electrical properties of double perovskite La2FeTiO6 by sol gel method have been investigated. XRD characterization of calcined sample powder at 9000C for 6 hours showed La2FeTiO6 has orthorhombic crystal structure with space group Pnma, there is still impurities of nitrate compound. Samples were sintered at 13000C to obtain samples in bulk form which were hard and not easily broken. XRD characterization of the sintered bulk sample showed a single phase with crystallite size 24.1nm. Samples were annealed at 11000C for 4 hours to improve microstructure of material so can produce a better electrical properties. XRD characterization show the annealed bulk have increased peak intensity and decreased crystallite size 21.7nm . Indicating that a good crystallization was form. SEM characterization shows, double perovskite La2FeTiO6 sinter and anneal well separated with different grain size . Grain size average of La2FeTiO6 sintered and annealed are 247 nm and 137 nm respectively. EDS results show no visible presence of other elements that indicate secondary phase in sinter and anneal samples. Electrical properties materials are analyzed by impedance spectroscopy. The result shows that La2FeTiO6 annealed has dielectric constant and conductivity value which is superior than La2FeTiO6 sintered"

"Aluminium merupakan logam kedua terbanyak yang digunakan setelah baja. Salah satu aluminium yang banyak digunakan di bidang industri adalah paduan aluminium seri 6xxx, dimana unsur utama dalam paduan ini adalah Mg dan Si. Paduan Al-Mg-Si dapat ditingkatkan sifat mekaniknya melalui proses deformasi dan perlakuan panas. Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh persen deformasi dan temperatur anil terhadap rekristalisasi dan sifat mekanik paduan Al-1,06Mg-0,63Si (% berat).Pembuatan paduan menggunakan metode squeeze casting. Proses homogenisasi dilakukan pada temperatur 400 oC selama 4 jam. Kemudian paduan diberi perlakuan canai dingin dengan variasi persen deformasi sebesar 5, 10 dan 20 %. Pada sampel deformasi 20 % diberi perlakuan anil dengan variasi 400, 475 dan 550 oC selama 1 jam diikuti pencelupan cepat dengan media air. Karakterisasi material yang dilakukan meliputi pengujian komposisi kimia, pengujian kekerasan mikro dan makro, pengamatan struktur mikro yang terdiri dari mikroskop optik dan Scanning Electron Microscope-Energy Dispersive Spectroscopy (SEM-EDS) dan pengujian X-Ray Diffraction (XRD).Hasil penelitian menunjukkan bahwa terjadinya pemipihan butir seiring dengan meningkatnya persen deformasi yang diberikan. Deformasi 5, 10 dan 20 % menghasilkan rasio deformasi sebesar 1,16, 1,56 dan 2,07 secara berurutan dan meningkatkan kekerasan mikro dan makro paduan. Nilai kekerasan tertingi pada sampel deformasi 20 % dengan kekerasan mikro sebesar 49,71 VHN dan kekerasan makro sebesar 62 HRE. Perlakuan anil pada temperatur 400 dan 475 oC menyebabkan terjadinya mekanisme rekristalisasi dimana telah tumbuh butir baru yang bebas dislokasi sehingga terjadi penurunan kekerasan mikro dan makro paduan. Pada temperatur 500 oC terjadi mekanisme pertumbuhan butir yang menyebabkan terjadinya penurunan nilai kekerasan mikro dan makro dari 35,94 VHN menjadi 33,85 VHN dan 48,50 HRE menjadi 47 HRE.

---

Aluminium is the second most widely used metal after steel. One of them is the 6xxx series aluminum alloy, whose Mg and Si as the main elements. Mechanical properties of Al-Mg-Si can be improved through deformation processes and heat treatment. The annealing treatment after deformation will restore the alloy's ductility through recovery, recrystallization, and grain growth mechanisms. This study aimed to determine the effect of percent deformation and annealing temperature on recrystallization and mechanical properties of Al-1.06Mg-0.63Si alloy (wt. %).

The alloy was produced by squeeze casting method. The homogenization process was carried out at 400 oC for 4 hours followed by cold rolling with different deformation of 5, 10, and 20 %. The 20 % deformed samples were annealed at 400, 475 and 550 oC for 1 hour, followed by water quenching. The material characterization included chemical composition testing, micro hardness and macro hardness, and observation of microstructures by an optical microscope and Scanning Electron Microscope-Energy Dispersive Spectroscopy (SEM-EDS) and X-Ray Diffraction (XRD) testing.

The results showed that higher deformation led to more elongated grains. Deformation of 5, 10, and 20 % resulted in a grain L/d ratio of 1.16, 1.56, and 2.07, respectively, as well as an increase in microand macro hardness. The highest hardness value was observed in the 20 % deformation sample with a micro hardness of 49.71 VHN and a macro hardness of 62 HRE. The annealing treatment at 400 and 475 oC caused a recrystallization mechanism where new grains that were free of dislocations had grown, resulting in a decrease in the micro and macro hardness of the alloy. At the temperature of 500 oC, the grain growth mechanism occured, which caused a decrease in the micro and macro hardness value from 35.94 VHN to 33.85 VHN and 48.50 HRE to 47 HRE."

"Optimalisasi paduan cartridge brass sebelumnya telah dilakukan lewat penambahan paduan Al, menghasilkan paduan Al-brass dengan fasa α dan β biner yang memiliki kekuatan mekanis lebih tinggi dari paduan konvensional tanpa mengalami reduksi elongasi yang signifikan. Dalam penelitian ini, dipelajari mengenai pengaruh proses manufaktur canai dingin dan perlakuan anil terhadap karakteristik fasa dan yang terdapat dalam paduan Cu-29.5Zn-2.5Al wt. hasil pengecoran gravitasi. Pelat as-cast dihomogenisasi pada temperatur 800 °C selama 2 jam, dideformasi menggunakan canai dingin dengan derajat deformasi sebesar 20, 40, dan 50, dan diberikan perlakuan anil pada temperatur 150, 300, 400, dan 600 °C selama 30 menit. Karakterisasi dilakukan melalui observasi mikrostruktur dengan mikroskop optik, pengambilan gambar dengan SEM, uji komposisi OES dan SEM-EDS, karakterisasi fasa dengan XRD, dan pengujian kekerasan mikro dengan metode Vickers. Paduan as-homogenized memiliki struktur mikro martensitik dua fasa α dan βdan dengan diamond-shape configuration. Setelah canai dingin terlihat adanya mekanisme deformasi slip, cross-slip, twinning, dan pembentukan shear band hanya pada fasa ?, sementara peningkatan kekerasan mikro terjadi pada kedua fasa dan. Selanjutnya, perlakuan anil temperatur rendah pada 150 °C menghasilkan peningkatan kekerasan mikro paduan akibat pembentukan atmosfir Cottrel, sementara perlakuan anil di temperatur 300, 400, dan 600 °C menghasilkan penurunan nilai kekerasan mikro akibat mekanisme penguraian dislokasi dan relaksasi tegangan. Rekristalisasi butir equiaxed hanya terjadi di fasa α dan β pada hasil anil temperatur 600 °C.

---

Previous research displayed a successful attempt in optimizing mechanical properties of cartridge brass by utilizing Al alloying element, producing binary Al brass alloy with higher strength and hardness without a significant diminution in its elongation compared to conventional cartridge brass alloys. Hereinafter, the effect of cold rolling and annealing treatment on the characteristics of α and β phases in gravity casted Cu 29.5Zn 2.5Al wt. alloy was studied. Produced as cast samples were homogenized at 800 °C for 2 h, subjected to cold rolling with 20, 40, and 50 reduction in thickness, and annealed at 150, 300, 400, and 600 °C for 30 min. Phase characterizations were done through optical microscopy, SEM imaging, OES and SEM EDS composition analysis, XRD, and micro Vickers hardness measurement. A binary martensitic morphology with diamond shape configuration compromising of α and β phases were found in as homogenized sample. Cold rolling resulted in slip, cross slip, twinning, and formation of shear band, solely in the phase. However, increase in microhardness was detected in both α and β phases. Furthermore, it was found that low temperature annealing at 150 °C resulted in an increase of micro hardness of both phases due to the formation of Cottrel atmosphere, while usual decrease in hardness value was discovered after annealing at 300, 400, and 600 °C through disl°Cation entanglement and stress recovery mechanisms. Recrystallized phase β grains in equiaxed shape were visible in sample annealed at 600 °C."

"Organic Light Emitting Diode (OLED) merupakan divais elektronik yang menggunakan material organik untuk mengemisikan cahaya. OLED memiliki karakteristik unik seperti mengemisikan cahayanya sendiri dan memiliki struktur yang sederhana. Fabrikasi single-layer polymer-based OLED dengan metode laminasi di Laboratorium Nano Device Universitas Indonesia telah berhasil dilakukan dan terus dioptimalkan. Parameter seperti material anoda, material substrat, kecepatan dan durasi spincoating, hingga temperatur dan tekanan laminasi telah dioptimalkan. Namun demikian, masih banyak parameter yang perlu dioptimalkan untuk menghasilkan performa OLED terbaik. Temperatur annealing merupakan salah satu parameter yang belum pernah diteliti dan dioptimalkan. Temperatur annealing khususnya pada lapisan emisif PFO diduga memiliki pengaruh terhadap performa OLED. Kemudian, penambahan jumlah deposisi PFO dilakukan dan dianalisis dengan tujuan memperbaiki uniformity emisi OLED. Pada skripsi ini, dilakukan fabrikasi OLED dengan variasi temperatur annealing PFO yakni 30 ˚C, 50 ˚C, 70 ˚C, dan 90 ˚C dan OLED yang dideposisikan PFO sebanyak 3 kali. Hasil analisis menyimpulkan bahwa temperatur annealing PFO optimal adalah 30 ˚C. OLED yang difabrikasikan dengan temperatur annealing PFO 30 ˚C mencapai rata-rata arus tertinggi (2,16 mA), kurva I-V yang paling stabil, dan emisi cahaya yang paling uniform. Temperatur annealing PFO berbanding terbalik terhadap performa OLED. OLED yang difabrikasi dengan deposisi PFO sebanyak 3 kali menghasilkan performa yang rendah dengan kuva I-V yang tidak ideal, rata-rata arus rendah senilai 0,423 mA, dan tidak berhasil mengemisikan cahaya.

---

Organic Light Emitting Diode (OLED) is an electronic device which emits light using organic material. OLED has unique characteristics such as emitting their own light and having simple structure. The fabrication of single-layer polymer-based OLED in Nano Device Laboratory in Universitas Indonesia has been successfully done and is constantly optimized. Anode material, substrate material, spincoating rotation speed and duration, to lamination temperature and pressure has been optimized. Still, a lot of parameters is yet to be optimized. Annealing temperature is one such parameter yet to be researched and optimized. Annealing temperature on emissive layer PFO is hypothesized to have played a role on OLED performance. In addition, multiple PFO deposition is done and analyzed to improve OLED emission uniformity. OLED samples with varying PFO annealing temperature of 30 ˚C, 50 ˚C, 70 ˚C, 90 ˚C and samples with 3 times PFO deposition has been fabricated. It is concluded that optimal PFO annealing temperature is 30 ˚C. OLED samples fabricated with PFO annealing temperature of 30 ˚C reach the highest average current output (2,16 mA), have stable I-V characteristics, and emit the most uniform light emission. PFO annealing temperature is inversely proportional to OLED performance. OLED fabricated with 3 times PFO deposition perform poorly with unideal I-V curve, low average current output (0,423 mA), and unsuccessful in emitting light."