Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Threshold voltage Vr merupakan salah satu parameter MOS Transistor yang dipengaruhi oleh temperatur (temperature dependence parameter), Dengan karakteristik yang demikian, secara teoretis VT dapat digunakan sebagai parameter untuk pengukuran temperatur. Konfigurasi transistor yang mampu mengekstraksikan tegangan threshold adalah array transistor. Dengan demddan array transistor dapat digunakan sebagai transducer temperatur-tegangan yang dapat diterapkan pada sensor temperatur. Pada tugas skripsi ini akan dilakukan perancangan transducer untuk sensor temperatur dengan memanfaatkan karakteristik array transistor sebagaimana disebutkan di atas. Perancangan dan uji analisis dilakukan sehingga dihasilkan sensitivitas sebesar 10 mV/K pada daerah tengah pengukuran untuk variasi temperatur antara -100 °C s.d. 100 °C dengan menentukan dimensi array transistor pada transducer, dan parameter transistor penyusun array. Pada akhir perancangan dilakukan desain layout rangkain terintegrasi."

"Pengendalian temperatur dalam kehidupan manusia digunakan dalam banyak bidang. Temperatur sangat erat hubungannya dengan energi. Oleh karena itu pengendalian temperatur menjadi sangat penting. Pengendalian temperatur dalam kehidupan sehari-hari umumnya menggunakan pengendali tipe ON-OFF. Pengendali tipe ini walaupun sederhana tetapi menghasilkan overshoot yang cukup besar. Untuk keperluan yang lebih presisi diperlukan pengendali yang akurat tetapi juga tidak mengabaikan kesederhanaan. Penggunaan mikrokontroler yang sesuai dapat menyederhanakan konfigurasi rangkaian. Hasil yang diperoleh dari perancangan ini adalah pengendalian temperatur menggunakan sistem PID menghasilkan penyimpangan maksimal 2°C."

"Pada skripsi ini dirancang struktur PSFET berdimensi chip 360 _m x 290 pm x 400 }gym yang bekerja untuk daerah 0 kPa-16 kPa dengan Batas tekanan maksimumnya 40 kPa untuk aplikasi pengukuran tekanan darah dalam pembuluh darah manusia. Membran mempunyai tiga lapisan penyusun (Si3N4, polisilikon dan Si3NA berdimensi 80 pm x 80 yam x 0.78 pm dengan kondisi tepi jepit pada keempat sisi membran. Pada catu tegangan drain 6 volt, tegangan gate 12 volt PSFET rancangan memiliki keiinieran yang tinggi pads daerah pengukurannya, dan sensitivitas sebesar 0.0192 mA.mA'1.kPa-i.Modifikasi struktur PSFET diiakukan dengan menambahkan celah udara pada bagian rongga PSFET, sebagai upaya untuk meminimalkan pengaruh temperatur dan tekanan ruang dari dalam rongga jika keadaan rongga vakum. Selain itu modifkasi struktur tersebut bertujuan untuk menyederhanakan dalam penggunaan persamaan lendutan membran PSFET.Simulasi Perancangan PSFET berdasarkan pada model PSFET dan penyesuaiannya dengan parameter dan persamaan level-1 MOSFET guna memperbaiki karakteristik PSFET rancangan. Program Simulasi Perancangan dibuat dengan perangkat iunak Matlab 4.0 dari Matrix Laboratory. Sementara perancangan Layout dan Masker berdasarkan aturan proses 3 P NMOS, proses fabrikasi model PSFET, dan fabrikasi sensor tekanan Micro-diapragm tipe-C serta aturan pendisainan wire untuk pengabaian delay resistansi dan kapasitansi."