Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Dalam komunikasi modern, masalah keamanan komunikasi adalah masalah yang sangat penting. Fisika kuantum menawarkan solusi untuk keamanan komunikasi ini, yailu kriptogfafi kuantum. Untuk merealisasikan kriptograti diperlukan single kuantum state seperti single phoron. Pada penelitian ini dilakukan studi mengenai kuantum kriptografi, laser semikonduktor dan kuantum dot. Kemudian dirancang sebuah single photon device yang terdiri dari sumber laser dan kuantum dot. Pemodelan dilakukan uutuk penyederhanaan penghitungan posisi kuantum dot dan simulasi efek perubahan suhu pada rancangan tersebut, kemudian dianalisis. Alat bantu yang digunakan untuk melakukan simulasi adalah Matlab 6.1. Analisis hasil simulasi memperlihatkan bahwa kuantum dot sebaiknya diletakkan antara sudut 1.144 sampai 1,274 radian."

"ABSTRAKSampai saat ini riset untuk aplikasi single photon timing dan single photon counting masih terus dilakukan. Dalam perkembangan riset di bidang single photon detector dan single photon generation juga terus dilakukan, salah satu single photon detector berbahan silikon yang paling pesat perkembangannya adalah Single Photon Avalanche Diode (SPAD). Riset terakhir mengenai SPAD dengan luas aktif area sebesar 120 nm menghasilkan timing response detektor sebesar 144 ps. Untuk menghasilkan rancangan struktur SPAD berbahan silikon dengan timing response dibawah 144 ps, maka pada tesis ini akan dirancang dandisimulasikan SPAD berskala nano untuk memperkecil aktif area.Landasan perancangan adalah hetrostructure silicon nanowire berdiameter 20 nm dengan struktur p-i-n sehingga diharapkan pada daerah deplesi akan terjadi peningkatan carrier generation. Dengan demikian proses distribusi avalanche oleh carrier generation setelah pemicuan foton tunggal semakin cepat sehingga timing response akan semakin cepat. Perhitungan timing response dipengaruhi oleh empat parameter, yaitu probabilitas foton yang diserap pada daerah netral(
), waktu respon yang dibutuhkan elektron pada daerah deplesi untukberdistribusi ke daerah sensitif detektor (
), Fungsi dan waktu difusiterbatas untuk carrier photogenerated di daerah netral (
). Dari analisa hasil simulasi perancangan terbukti bahwa dengan memperkecilluas daerah aktif SPAD dan membuat struktur p-i-n akan memperlebar daerah deplesi akan mempercepat timing response divais menjadi 30 ps sesuai dengan simulasi menggunakan MATLAB.

---

ABSTRACTNowadays researches for single photon timing and single photon counting application still continuosly done. Concerning the research development in field of single photon detector and single photon generation is constantly also made, one of silicon single photon detector the most rapid development is Single Photon Avalanche Diode (SPAD). Recent research on the SPAD with an active area of 120 nm produces timing detector response of 144 ps. To produce silicone SPAD structure design with the response below 144 ps timing, so in this thesis will bedesigned and simulated nanoscale-based SPAD in order to reduce the active area.The foundation design is hetrostructure silicon nanowire 20 nm in diameter with p-i-n structure which is expected in the depletion region will increase the carrier generation. Thus the process of distribution by the carrier avalanche generation after a single photon triggers the faster so that timing will be more rapid response. Calculation of response timing is influenced by four parameters, the probability of a photon is absorbed in the neutral region (
), response time it takes electrons in the depletion region for distribution to the detector sensitive area (
), function
and diffusion time is limited to carriers photogenerated in the neutral region (
). From the analysis of the design of the simulation?s result, proved that by minimizing the SPAD active area and create a pin structure will widen the depletion region will accelerate the timing of the response device to be 30 ps according to the simulation using MATLAB.;Nowadays researches for single photon timing and single photon counting application still continuosly done. Concerning the research development in field of single photon detector and single photon generation is constantly also made, one of silicon single photon detector the most rapid development is Single Photon Avalanche Diode (SPAD). Recent research on the SPAD with an active area of 120 nm produces timing detector response of 144 ps. To produce silicone SPAD structure design with the response below 144 ps timing, so in this thesis will bedesigned and simulated nanoscale-based SPAD in order to reduce the active area.The foundation design is hetrostructure silicon nanowire 20 nm in diameter with p-i-n structure which is expected in the depletion region will increase the carrier generation. Thus the process of distribution by the carrier avalanche generation after a single photon triggers the faster so that timing will be more rapid response. Calculation of response timing is influenced by four parameters, the probability of a photon is absorbed in the neutral region (
), response time it takes electrons in the depletion region for distribution to the detector sensitive area (
), function
and diffusion time is limited to carriers photogenerated in the neutral region (
). From the analysis of the design of the simulation?s result, proved that by minimizing the SPAD active area and create a pin structure will widen the depletion region will accelerate the timing of the response device to be 30 ps according to the simulation using MATLAB."

"Sampai saat ini riset untuk aplikasi single photon timing dan single photon counting masih terus dilakukan. Dalam perkembangan riset di bidang single photon detector dan single photon generation juga terus dilakukan, salah satu single photon detector berbahan silikon yang paling pesat perkembangannya adalah Single Photon Avalanche Diode (SPAD). Riset terakhir mengenai SPAD dengan luas aktif area sebesar 120 nm menghasilkan timing response detektor sebesar 144 ps. Untuk menghasilkan rancangan struktur SPAD berbahan silikon dengan timing response dibawah 144 ps, maka pada tesis ini akan dirancang dan disimulasikan SPAD berskala nano untuk memperkecil aktif area. Landasan perancangan adalah hetrostructure silicon nanowire berdiameter 20 nm dengan struktur p-i-n sehingga diharapkan pada daerah deplesi akan terjadi peningkatan carrier generation. Dengan demikian proses distribusi avalanche oleh carrier generation setelah pemicuan foton tunggal semakin cepat sehingga timing response akan semakin cepat. Perhitungan timing response dipengaruhi oleh empat parameter, yaitu probabilitas foton yang diserap pada daerah netral (??Pn), waktu respon yang dibutuhkan elektron pada daerah deplesi untuk berdistribusi ke daerah sensitif detektor (??Paval(t)), Fungsi ?? dan waktu difusi terbatas untuk carrier photogenerated di daerah netral (Pdiff(t)). Dari analisa hasil simulasi perancangan terbukti bahwa dengan memperkecil luas daerah aktif SPAD dan membuat struktur p-i-n akan memperlebar daerah deplesi akan mempercepat timing response divais menjadi 30 ps sesuai dengan simulasi menggunakan MATLAB.

---

Nowadays researches for single photon timing and single photon counting application still continuosly done. Concerning the research development in field of single photon detector and single photon generation is constantly also made, one of silicon single photon detector the most rapid development is Single Photon Avalanche Diode (SPAD). Recent research on the SPAD with an active area of 120 nm produces timing detector response of 144 ps. To produce silicone SPAD structure design with the response below 144 ps timing, so in this thesis will be designed and simulated nanoscale-based SPAD in order to reduce the active area. The foundation design is hetrostructure silicon nanowire 20 nm in diameter with p-i-n structure which is expected in the depletion region will increase the carrier generation. Thus the process of distribution by the carrier avalanche generation after a single photon triggers the faster so that timing will be more rapid response. Calculation of response timing is influenced by four parameters, the probability of a photon is absorbed in the neutral region (??Pn), response time it takes electrons in the depletion region for distribution to the detector sensitive area (??Paval(t)), function ?? and diffusion time is limited to carriers photogenerated in the neutral region (Pdiff(t)). From the analysis of the design of the simulation?s result, proved that by minimizing the SPAD active area and create a pin structure will widen the depletion region will accelerate the timing of the response device to be 30 ps according to the simulation using MATLAB."

"Kuantisasi Dirac merupakan suatu prosedur yang digunakan untuk mengkuantisasi sistem terkonstrain. Lagrangian yang akan dikuantisasi adalah Lagrangian sistem kuantum (fermion) terkonstrain. Namun ada problem yang muncul dalam proses kuantisasi Lagrangian sistem tersebut. Problem tersebut ialah kerapatan Hamiltonian sistem mengandung variabel turunan terhadap waktu. Hal tersebut diakibatkan karena Lagrangian sistem mengandung variabel turunan orde kedua terhadap waktu. Problem tersebut akan menyulitkan kita dalam perhitungan relasi Poisson braket antara variabel sistem. Untuk mengatasi hal tersebut dilakukan transformasi medan (pendekatan) pada Lagrangian sistem, agar Lagrangian sistem tidak mengandung turunan orde kedua terhadap waktu. Sehingga, kerapatan Hamiltonian kanonik tidak lagi mengandung variabel turunan terhadap waktu. Dengan menggunakan prosedur Dirac, kita akan memperoleh Hamiltonian primer sistem yang siap untuk dikuantisasi.

---

Dirac Quantization is a procedure that is used to quantize a constraint system. Lagrangian that will be quantized is a Lagrangian of constraint quantum system (fermion system). But there is a problem in quantizaton process of the Lagrangian of the system. The problem is there are exist firrst order time derivative variables in the Hamiltonian density. It is caused by the fact that the Lagrange equation of the system has the second order derivatives. So, the problem will generate difficulty in the Poisson brakect relation between variables of the system. To solve this problem, the field transformation to the system Lagrange equation is used, so the Lagrange equation now does not consist of second order derivatives variables. As a result, the Hamiltonian density is free from the derivatives variables anymore. By using Dirac procedure, we will get the primary Hamiltonian of the system that is ready quantized."

"Interaksi partikel netral namun bermomen magnet intrinsik dengan medan elektromagnet dalam alam mikro memunculkan keaktualan peranan vektor potensial elektromagnet A seperti ditegaskan dalam teori topologi kuantum yang menjelaskan interaksi elektromagnetik melalui invariasi tera. Secara teoretis yang diselidiki efek Aharonov-Casher (A-C) sebagai komplemen efek neutron dengan bermomen magnetik internal. Suatu pergesaran pola interferensi terjadi pada interferensi dua berkas neutron yang koheren apabila distribusi arus listrik solenoid dan elektron pada efek A-B masing-masing diganti dengan distribusi muatan listrik garis dan berkas neutron terpolarisasi. Hamiltonan efektif digunakan untuk menentukan pola interferensi A-C"

"Dalam tesis ini, telah dilakukan optimasi tebal dua lapisan L1+L2 dari anti-reflection coating (ARC) indeks bias nar yang diberikan pada ujung pandu gelombang semikonduktor pemanduan lemah (compound III-V), untuk modus tunggal TEM: agar reflektansi kurang dari 0,0001. Jalur transmisi dipakai sebagai analogi eksak terhadap refleksi di bidang batas, sehingga hubungan kontinyuitas dapat diperoleh memakai operator diadik admitansi Y dan impedansi Z di bidang transversal, serta dengan mengganti pandu gelombang sebagai medium homogen indeks bias ne nerve melalui aproksimasi la = ( ncozdnclad -1 )112 sehingga secara praktis maka Ala (dw)-ia dimana w sebagai karakteristik tampang lintang pandu gelombang, bisa dinyatakan sebagai ketebalan lapisan aktif Melalui bentuk diferensial operator, medan elektrik backward dapat disusun melalui elemen-elemen matriks refleksi Rxx di permukaan batas, sehingga reflektansi pada z==0 dapat diperoleh. Frekuensi respons lapisan ganda untuk pengoperasian dengan = 1,55 µm, menghasilkan: (L1+L2) = n (?i4) dengan n gasal, pada nar = 1,46 (SiO2) atau 2,5870 (Si3N4, ZnSe). Bila indeks bias diambil berbeda (nar.l * nar,2), akan dihasilkan reflektansi minimum 0,58 (praktisnya adalah nol) pada L1=L2=L = 2/8 = 0,1938 m.

---

In this thesis, the thickness of two layers L1+L2 anti-reflection coating (ARC) with refractive index nar of the end facet of weakly-guiding semiconductor (compound III-V), has been optimised to single mode TEM: in order that reflectance had less than 0,0001. Reflection at the boundary is exactly analogous to transmission-line models, with the result that continuity relation using dyadic admitance Y and impedance Z operators at transverse plane, also by replacing the waveguide with homogeneous medium of refractive index nc = ne,fe through Ala = ( nrarc/nc:od -1 }112 approximation such was the case 1a -- (dw}-la in practice, where w is characteristic cross-section of waveguide, can be represented of active layer thickness. Through the differential operator, backward electric field can be form by matrix elements Rxx of reflection of interface, in such a way that reflectance at the plane z--0 is obtain. Double layers response frequencies at A.= 1,55 gm operating, produced: (L1+L2) = n (7J4) where n is odd, with nar = 1,46 (SiO2) or 2,5870 (Si3N4, ZnSe). Difference of both refractive indexes (nar.' $ nar.2), to result in is minimum reflectance 0,58.10-10 (practically is zero) with L1 L2 = L = A/8 = 0,1938 m."