Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Rangkaian Low Drop Out Regulator atau umum disingkat sebagai LDO, merupakan rangkaian yang berfungsi untuk menyediakan suatu tegangan DC yang stabil dengan perbedaan antara tegangan output dan input yang rendah. Rangkaian LDO sendiri terdiri dari berbagai macam bagian seperti penguat (amplifier), komponen pengatur (pass device), rangkaian referensi, dan rangkaian feedback. Setiap bagian memegang peranan penting dalam bekerjanya LDO dan perubahan yang terjadi pada satu bagian akan mempengaruhi keseluruhan kerja serta efisiensi yang dihasilkan oleh LDO. Salah satu bagian penting dari LDO tersebut adalah komponen pengatur (pass device), yaitu transistor yang umumnya lebih banyak digunakan sebagai pass device pada LDO. Dengan banyaknya pilihan penggunaan transistor, memungkinkan didapatkannya hasil yang berbeda pada LDO. Pada riset ini, pass device yang digunakan difokuskan pada MOSFET baik NMOS maupun PMOS. Simulasi yang dilakukan dengan melakukan uji coba baik menggunakan NMOS maupun PMOS pada rangkaian. Kemudian akan diambil dua parameter utama yakni tegangan output (Vo) dan tegangan sumber (Vs) dengan tujuan untuk melihat dan membandingkan tegangan antara kedua jenis MOSFET yang paling baik untuk digunakan. Faktor yang akan mempengaruhi nilai Vo dan Vs selain MOSFET yang digunakan adalah rangkaian feedback (feedback network). Feedback network berupa dua buah hambatan R1 dan R2 terhubung seri yang akan mempengaruhi nilai Vo dan Vs. Simulasi dilakukan baik pada PMOS maupun NMOS untuk 3 jenis keadaan yatu R1 R2, R1 = R2, dan R1 R2.Berdasarkan teori dari referensi yang dipakai sebagai panduan simulasi ini, nilai Vo dan Vs yang lebih optimal akan didapatkan pada harga R1."

"Penulisan ini adalah suatu analisis terhadap divais Graded-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor atau disingkat GCMOSFET. Teknologi GCMOSFET dewasa ini berkembang sebagai salah satu usaha untuk memenuhi kebutuhan divais dalam aplikasi berdaya rendah dan mempunyai performansi lebih tinggi. Pada penulisan ini ditekankan untuk menganalisa keunggulan GCMOSFET dibanding dengan MOSFET ungraded. GCMOSFET dapat menghasilkan output ID yang lebih besar jika dibandingkan dengan MOSFET ungraded. Peningkatan arus ID ini terjadi disebabkan pengaruh graded channel pada divais yang menghasilkan panjang channel efektif yang lebih kecil daripada panjang channel efektif MOSFET ungraded. Dari hasil simulasi dengan berbantuan perangkat lunak S-PISCES 2B dan MATLAB dapat ditunjukkan bahwa ID yang dihasilkan GCMOSFET lebih besar daripada ID yang dihasilkan MOSFET ungraded, sebagai contohnya untuk VGS = 4 V dan VDS = 2 V, ID pada MOSFET sama dengan 9,78E-06 A, sedangkan pada GCMOSFET sama dengan 16,56E-06 A. Di samping itu, misalkan untuk menghasilkan ID = 11,32E-06 A pada MOSFET diperlukan VGS = 4 V dan VDS = 4,7 V, sedangkan pada GCMOSFET diperlukan VGS = 4V dan VDS = 1,2 V. Hal ini menunjukkan bahwa GCMOSFET mengkonsumsi daya yang lebih rendah dibandingkan MOSFET ungraded.Dan berdasarkan hasil simulasi terbukti bahwa GCMOSFET dengan LGC (panjang region graded channel) yang lebih pendek akan menghasilkan ID yang lebih besar dibandingkan dengan ID yang dihasilkan GCMOSFET dengan LGC yang lebih panjang. Sebagai contohnya untuk VGS = 4 V dan VDS = 2 V, pada GCMOSFET dengan LGC = 4 µm diperoleh ID = 16,56E-06 A, pada GCMOSFET dengan LGC = 3,5 µm diperoleh ID = 17,51E-06 A, dan pada GCMOSFET dengan LGC = 3 µm diperoleh ID = 18,49E-06 A.

---

Graded Channel MOSFET simulation with S-Pisces 2B. Graded-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect-Transistor or GCMOSFET is being discussed in this paper. GCMOSFET technology has been developed to meet the growing demand for low power and high performance application. In this paper, it will be shown that, compared to ungraded MOSFET, the GCMOSFET device offers the advantage of significantly higher drive current. The higher drive current is achieved because the effecctive channel length of GCMOSFET is shorter than the ungraded MOSFET's. From the simulation result with S-PISCES 2B and MATLAB, it can been shown that the ID from GCMOSFET is higher than the ID from ungraded MOSFET. As an example, with VG = 4 V and VD = 4 V, ID from MOSFET is equal with 9.78 e-06 A and ID from GCMOSFET is equal with 16.56 e-06 A. Beside that, as an example, to get ID = 1.13 e-05 A with MOSFET will need VG = 4 V and VD = 4.7 V, and with GCMOSFET VG = 4 V and VD = 1.2 V will be needed.This result has shown that GCMOSFET needs lower supply voltage than the ungraded MOSFET which means that GCMOSFET needs lower power consumption than ungraded MOSFET. From the simulation results, it can be proved that GCMOSFETwith shorter LGC (graded channel region length) will give larger ID than ID from GCMOSFET with longer LGC. As we can see that for VGS = 4 V and VDS = 2 V, GCMOSFET with LGC = 4 µm will give ID = 16,56E-06 A, GCMOSFET with LGC = 3,5 µm will give ID = 17,51E-06 A, and GCMOSFET with LGC = 3 µm will give ID = 18,49E-06."

"Pada skala sub-50 nm, MOSFET akan mulai memperlihatkan fenomena carrier transport yang berbeda dengan yang terjadi pada long-channel MOSFET sehingga model MOSFET konvensional kehilangan validitasnya dan harus digantikan dengan model MOSFET balistik. Dalam skripsi ini akan dianalisa karakteristik arus dati MOSFET balistik dan perbandingannya dengan MOSFET konvensional, pemodelan dan pe:rhitungan arus pada MOSFET balistik serta faktor-faktor yang mempengaruhi kebalistikan dari suatu MOSFET ditinjau dari panjang channel dan mobilitas carrier. Hasil analisa menunjukkan bahwa MOSFET yang beroperasi pada kondisi balistik akan memberikan arus yang lebih besar dibandingkan dengan MOSFET non-baiistik untuk nilai tegangan yang sama dan arus pada NMOS Iebih besar daripada arus pada PMOS. Perhitungan arus pada MOSFET balistik melibatkan komputasi yang lebih rumit akan tetapi dapat dibuat suatu perhitungan pendekatan yang lebih sederhana dengan akurasi minimum 80 %. Derajat kebalistikan dari suatu short-channel MOSFET dapat ditingkatkan antarn lain dengan mengurangi konsentrasi doping pada channel, memperbesar ketebalan oksida, dan memperkecif tingkat tegangan"

"Skripsi ini membahas disain rangkaian snubber untuk menentukan nilai elemen snubber (resistor dan kapasitor) yang akan digunakan pada sistem power switching menggunakan mosfet. Dalam merancang rangkaian-rangkaian elektronika daya, salah satu faktor penting yang perlu diperhatikan adalah masalah kerugian daya yang terjadi pada sakelar elektronik yang digunakan. Kerugian daya pada sakelar elektronik itu sendiri terdiri dari dua bagian yaitu pada kondisi ON dan pada kondisi peralihan. Alternatif untuk mengurangi kerugian pensakelaran adalah dengan menambahkan rangkaian snubber pada sakelar elektronik.

---

The focus of this study is to design snubber circuit to determine the element value of the snubber (resistor and capasitor) that will use in power switching system using mosfet. In designing power electronic circuits, one of the important factor that need to be concerned is power loss problem that occur on electronic switching that is used. Power loss on electronic switching itself consist of two parts, these are on ON condition and on switching transition. The alternative to reduce switching loss is with adding the snubber circuit on electronic switching."

"Berdasarkan peraturan terbaru mengenai peraturan perancangan baja yaitu AISC 2010 telah mengalami beberapa koreksi dari peraturan sebelumnya yaitu AISC 2005. Hal ini juga merupakan perubahan utama yang diterapkan pada SNI 1729:2015 .Salah satu perubahan utama yang terjadi adalah perubahan metode utama perancangan stabilitas baja, dari metode panjang efektif menjadi metode analisa langsung. Penelitian ini akan mempelajari batasan-batasan yang berlaku untuk kedua metode dengan menggunakan advanced analysis sebagai metode pembanding. Advanced analysis adalah analisa orde ke 2 inelastis yang mewakili keruntuhan sebenarnya dari struktur yang akan divalidasi melalui beberapa rangka kalibrasi. Metodologi penelitian ini terbagi menjadi 2 tahap, yaitu tahap pertama melakukan validasi untuk hasil advanced analysis dengan menyamakan hasil dengan hasil ekperimental atau numerikal yang telah dipublikasi sebelumnya dan tahap kedua adalah membandingkan stress ratio dan hasil desain dari metode ELM dan DAM pada beberapa variasi bangunan serta melakukan pengecekan performa hasil desain dengan menggunakan analisa pushover. Untuk tahap validasi, menggunakan analisa pushover untuk mengetahui karakteristik dari masing-masing metode dan dengan variasi 3 zona gempa di Indonesia dan 3 jenis tanah untuk mengetahui metode apa yang paling dapat mengakomodir beban gempa di area Indonesia. Lalu tahap kedua adalah membandingkan beberapa variasi bangunan dengan kondisi bangunan berada pada zona Padang, tanah lunak.

---

Based on the latest standard of the guidance of steel design AISC 2010 had many corrections from the previous standard AISC 2005 . This is the main reason of the existence of SNI 1729 2015 .One of the main difference is the changing of analysis on steel rsquo s stability, called effective length method and direct analysis method. This research will study what limitation that are applied to the both method with advanced analysis as a comparison. Advanced analysis is second order inelastic method that represent the real collapse mechanism of structure that will be validated through some calibration frames. The metodology of this research is divided into 2 steps, the first is doing validation for get advanced analysis result through previous experimental or numerical rsquo s result that had been published and the second is comparing the stress ratio and the design both ELM and DAM through some variations of building then doing performanced based design of both methods using pushover analysis. For validation, it is using pushover analysis to know the characteristic of each methods and in addition to compare it with 3 different seismic zones in Indonesia Samarinda, Jakarta and Padang and 3 different type of soils to get the result of which method suits most of the seismic load in spesific area in Indonesia. Then the second phase is comparing some variations of building with condition that the building is located in Padang whose soft soil."

"Penuhsan mi adalah suatu anahsa terhadap divais Graded Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor atau disingkat GCMOSFET Teknologi GCMOSFET dewasa mi berkembang sebagai salah satu usaha untuk memenuhi kebutuhan divais dalam aphkasi berdaya rendah dan mempunyai performansi Iebth tmggl Pada penuhsan mi ditekankan untuk menganahsa keunggulan GCMOSFET dibandmg dengan MOSFET ungraded GCMOSFET dapat menghasilkan output ID yang lebth besar pica dibandmgkan dengan MOSFET ungraded Peningkatan arus ID mi terjadi disebabkan pengaruh graded channel pada divais yang menghasilkan panjang channel efektif yang lebth kecil daripada panjang channel efektif MOSFET ungraded Dan hasil simulasi dengan berbantuan perangkat lunak S PISCES 2B dan MATLAB dapat ditunjukkan bahwa ID yang dthasilkan GCMOSFET lebth besar danpada ID yang dthasilkan MOSFET ungraded sebagai contohnya untukVG = 4 V danVD = 4V ID pada MOSFET sama dengan 1,47589798 e 04 A sedangkan pada GCMOSFET sania dengan 2 59738752 e-04 A Di samping itu misalkan untuk menghasillcan ID = 110687718 e-04 A pada MOSFET diperlukan VG = 3 V dan VD = 4 V sedangkan pada GCMOSFET diperlukan VG = 2 V dan VD = 3 4 V Hal mi menunjukkan bahwa GCMOSFET mengkonsumsi daya yang lebth rendah dibandingkan MOSFET ungraded."