Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Heterojunction adalah sambungan yang dibentuk antara dua material semikonduktor dengan bandgap yang berbeda yang mempunyai ketipisan di bawah 50nm yang menumbuhkan lapisan campuran Si1-xGex sebagai basis. Sambungan tersebut dapat berupa sambungan yang abrupt atau graded.Pada penelitian ini dipelajari formulasi dari pengaruh konsentrasi doping terhadap tahanan basis dan bandgap narrowing pada Si/Si1-xGex/Si Heterojunction Bipolar Transistor dengan sambungan emitter-basis yang abrupt, selain memperhatikan mobilitas dan lebar basis pada resistansi basis juga pengaruh fraksi mole pada energi bandgap.Dari hasil perhitungan menunjukkan bahwa penambahan konsentrasi doping dari NB=5.1018 cm-3 menjadi NB=5.1020 cm-3 pada basis dapat menurunkan nilai resistansi basis sebesar 3.6 %, menaikkan bandgap narrowing sebesar 0.126, dan meningkatkan kerapatan arus kolektor sebesar 1.36 kali pada Ge sebesar 24%.

---

Study About High Influence Doping to Base Resistance and Bandgap Narrowing at Si/Si1-xGex/Si Heterojunction Bipolar Transistor. Heterojunction is a link formed bedween two semiconductor materials and differend bandgap which has thinness under 50nm and grow the mixture of plate SiGe as bases. The link is an abrupt link or graded one.In this research learnt formulation of doping concentration influence to basis resistance and bandgap narrowing through Si/Si1-xGex/Si Heterojunction Bipolar Transistor with abrupt emitter-basis link, besides taking care to mobility and basis wide to basis resistance, it is also influence of mole fraction to bandgap power.From the result shows that doping concentration addition of NB=5.1018 cm-3 to NB=5.1020 cm-3 in basis can decrease resistance basis value about 3.6%, increase bandgap narrowing about 0.126, and increase collector current density for about 1.36 times to Ge 24%."

"Pada artikel ini dibahas mengenai pengaruh mole fraction (x) dan profit germanium pada basis SiGe HBT terhadap unjuk kerja frekuensi dan noise figure (fn) devais."

"Pada artikel ini dibahas mengenai pengaruh Mole fraction (x) dan Profil germanium pada basis SiGe HBT terhadap unjuk kerja Frekuensi dan Noise Figure (Fn) devais. Model parameter HBT SiGe ditentukan AE0,25  10  m2, WE10 nm, WB 40 nm, WC 350 nm, NE1021cm-3, dan NB 10 19 cm-3.Dari hasil analisa dapat disimpulkan bahwa profil Ge segiempat dengan mole fraction (x) 0.05 menghasilkan current gain dc (βdc), fT dan fmaks terbesar yaitu 149, 109 GHz dan 116 GHz dibanding profil trapesium yang bernilai 140, 103 GHz dan 109 dan segitiga bernilai 136, 103 GHz dan 109 GHz. Ketika mole fraction (x) dinaikkan menjadi dua (2) kali current gain dc (βdc),fTdan fmaks untuk profil segiempat naik masing-masing 39%, 4% dan 3% sedangkan untuk trapesium menjadi 39%, 4% dan 0%. Profil Ge segiempat mempunyai nilai Noise Figure (Fn) terendah yaitu 0.0964 dB, dibandingkan profil trapesium dan segitiga yaitu 0.108561 dB dan 0.1278 dB, ketika mole fraction (x) dinaikkan dua kali, maka Fn akan naik sebesar 45 % untuk profil segiempat dan 16% untuk profil trapesium.

---

This paper investigates effect of fraction mole (x) and germanium profile on the Frequency Response and Noise Figure Performance (Fn) of SiGe HBTs. The model are quantified from HBT SiGe IBM model first generation with an parameter AE0,25 10m2WE10 nm, WB40 nm, WC350 nm, NE1021cm-3, dan NB1019cm - 3.We conclude that a SiGe HBT with fraction mole (x) 0.05 and profile Germanium is square deliver the current gain dc (βdc), fT dan fmaks are optimal i.e 149, 109 GHz dan 116 GHz just than the profile Trapezoid i.e 136, 103 GHz dan 109 GHz. When fraction mole (x) is raised twice, the current gain dc (βdc), fTdan fmaks increased 39%, 4% dan 3% for the square profile whereas the trapezoid profile increased 39%, 4% dan 0%. The Square profile of Germanium is optimum for Noise Figure (Fn) i.e 0.0964 dB lower than the profile of germanium trapezoid and triangle given the value 0.108561 dB and 0.12 78 dB."

"Si-Ge HBTs is an electronic device having important role in developing Information and Telecommunication Technology. It can be shown by the superior performance of threshold frequency (fr) oscillation frequency (fosc) current gain (B) and minimum noise figure (Fn)...."

"Distribusi Negative Binomial-Generalized Exponential (NB-GE) merupakan distribusi yang mampu memodelkan data overdispersi dengan extreme excess zeros yaitu lebih dari 80% angka nol dalam data. Distribusi Negative Binomial-Generalized Exponential (NB-GE) merupakan distribusi campuran hasil dari mixing antara distribusi Negative Binomial (NB) dengan distribusi Generalized Exponential (GE). Pembentukan distribusi Negative Binomial-Generalized Exponential (NB-GE) serta karakteristik-karakteristik distribusi Negative Binomial-Generalized Exponential (NB-GE) seperti fungsi kepadatan peluang, momen ke-, mean, variansi, koefisien skewness dan koefisien kurtosis dibahas pada pada skripsi ini. Penaksiran parameter-parameter dari distribusi Negative Binomial-Generalized Exponential (NB-GE) menggunakan metode maximum likelihood. Sebagai ilustrasi, digunakan data kecelakaan fatal yang memiliki lebih dari 80% angka nol yang dimodelkan dengan distribusi Negative Binomial-Generalized Exponential (NB-GE).

---

Negative Binomial-Generalized Exponential (NB-GE) distribution is a distribution that capable for modeling overdispersion data with extreme excess zeros, which is more than 80% zeros in a data. The distribution is a mixture distribution that obtained by mixing the Negative Binomial (NB) distribution with the Generalized Exponential (GE) distribution. The formation of the Negative Binomial-Generalized Exponential (NB-GE) distribution and the characteristics of the Negative Binomial-Generalized Exponential (NB-GE) distribution such as the probability density function, kth moment, mean, variance, skewness and kurtosis are discussed in this paper. Estimation of the parameters from the Negative Binomial-Generalized Exponential (NB-GE) distribution using the maximum likelihood method. As an illustration, Negative Binomial-Generalized Exponential (NB-GE) distribution used to model the data of fatal crash that has more than 80% zeros."