Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Salah satu aplikasi penerapan foto detektor ultraviolet UV di bidang biologi adalah deteksi biological agents dan germicidial yang efektif penerapannya pada panjang gelombang 254 nm. Perancangan foto detektor ultraviolet didasarkan pada kemampuan divais tersebut bekerja secara efektif pada panjang gelombang 254 nm. Pemilihan material yang dipilih adalah material semikonduktor kelompok nitrida III-V khususnya material dengan band gap yang lebar, yaitu AlN dan GaN yang dipadukan dengan struktur campuran alloys AlGaN sebagai active layer dengan komposisi Al0.62Ga0.38N/AlN/GaN. Komposisi tersebut kemudian disimulasikan dengan software simulasi ATLAS Silvaco TCAD. Peak spectral response terjadi pada panjang gelombang 257 nm sampai dengan 260 nm, nilai dark current yang dihasilkan sangat kecil, yaitu dibawah 0,25 x 10-40 A pada catu 1,82 V dan photocurrent pada peak spectral response sebesar 1.08 x 10-8 A dengan arus katoda sebesar 2,04 x 10-9 A dan panjang gelombang 257 nm. Dengan nilai dark current yang dihasilkan dibawah 0,25 x 10-40 A, quantum efficiency 55 dan responsivity 0,117 A/W memungkinkan divais bekerja dengan kinerja yang tinggi.

---

One of application of the ultraviolet photo detector application UV PD in the biology is the detection of biological agents and germicidial. That is effectiveimplementation at a wavelength of 254 nm. Designing ultraviolet photo detectorsare based on the device 39 s ability to work effectively at a wavelength of 254 nm.Selection of the preferred material is group III V nitride semiconductor material, especially with a width band gap, ie AIN and GaN combined with the AlGaN asactive layer with a composition Al0.62Ga0.38N AlN GaN. The composition isthen simulated with ATLAS Silvaco TCAD simulation software. Device can workswith a peak spectral response of 257 nm until 260 nm, maximal of dark currentvalue is 0.25 x 10 40 A at bias 1.82 V, photocurrent at peak spectral response of1.08 x 10 8 A with a cathode current of 2.04 x 10 9 A and a wavelength of 257 nm,quantum efficiency is 55 and responsivity 0.117 A W. This result allows thedevice to work with high performance."

"ZnO nanorods adalah salah satu material semikonduktor yang banyak digunakan dalam fotodetektor karena memiliki luas area aktif yang besar, serapan cahaya yang tinggi, dan mudah difabrikasi. Namun demikian, arus gelap yang tinggi menjadi masalah utamanya. Untuk itu, salah satu upaya yang dilakukan adalah dengan membuat heterostructure ZnO dengan material semikonduktor lain. Dalam penelitian ini dibuat fotodetektor zinc oxide (ZnO) dengan jua jenis MoS₂ yaitu MoS₂ few-layer dan MoS₂ many-layer yang akan dideposisi diatas ZnO dengan metode spin coat. Pengujian fotodetektor dilakukan dibawah penyinaran sinar UV (365 nm) dan cahaya tampak (505, 625 nm) pada tegangan 2V. Hasil penelitian menunjukkan adanya peningkatan kinerja dari segi sensitivitas, responsivitas, dan detektivitas setelah penmabahan MoS₂. Peningkatan kinerja ini diakibatkan oleh penurunan arus gelap yang mungkin disebabkan oleh pasivasi permukaan yang dapat menekan jumlah muatan bebas dari defect ZnO.

---

ZnO nanorod is a semiconductor material that is widely used in photodetector device because it has large active area, high light absorption, and  easy to manufacture. However, the high dark currents were the main problem. For that, one of the efforts made is to make the ZnO heterostructure with other semiconductor materials. In this research, zinc oxide (ZnO) photodetector was made with two types of MoS₂, namely multiple-layer MoS2 and many-layer MoS2 which will be deposited on ZnO with the spin coat method. Photodetector testing was carried out under UV light (365 nm) and visible light (505, 625 nm) at a voltage of 2V. The results showed an increase in performance in terms of sensitivity, responsivity, and detectivity after the deposition of MoS₂. The increase in performance is due to decrease in dark currents which may be due to surface passivation which can reduce the amount of free charge from the ZnO defect."

"Pada Skripsi ini akan dibahas analisa disain divais menggunakan laser dioda dan Heterojunction Phototransistor yang berfungsi sebagai Light to Light Transducer. Latar belakang teori dan prinsip kerja dari laser Diode dan Heterojunction Phototransistor serta disain transduser juga akan dibahas pada Skripsi ini. Transduser melakukan pendeteksian cahaya, mengubah besaran optis ke dalam besaran listrik, diperkuat dan oleh Laser Dioda dipancarkan lagi sebagai besaran optis yang juga telah diperkuat, koheren dan monokromatis. Transduser ini dapat didisain dengan integrasi langsung secara vertikal dan Laser Diode dengan Phototransistor berbahan GaAs dengan dimensi 210 x 290 m2 dan penguatan maksimal 250 kali. Perhitungan dan analisa dilakukan pada daerah operasi panjang Gelombang 0.8-1.3 μm dan daya input 0-100 μW. Model preliminary Rangkaian yang dianggap dapat mewakili karakteristik struktur divais yang dirancang juga dibahas untuk mempermudah menganalisa dan memperhitungkan karakteristik divais."

"Neuron MOSFET (vMOS) atau disebut juga MIFGMOS (Multiple Input Floating Gate MOSFET) adalah divais yang mempunyai banyak input, sedangkan outputnya yang hanya satu merupakan fungsi kombinasi dari input-inputnya dan tergantung Bari pembobotan masing-masing input. Pada skripsi ini dibahas aplikasi dasar dari vMOS, perancangan salah satu aplikasi dasar divais neuMOS yaitu C-WOS inverter, analisa dan simulasi divais vMOS dengan menggunakan software aplikasi MathCAD6 PLUS. Hasil disain vMOS dasar yang dipergunakan di antaranya adalah divais dengan kapasitansi oksida gerbang 1,726 nF.mm z , bobot input 0,1 untuk semua input, faktor gain FG 0,8 , potensial yang linier terhadap jumlah input, dan tegangan ambang mode peningkatan dan pengosongan n-vMOS adalah 1,5 V dan -1 V sedangkan tegangan ambang mode peningkatan dan pengosongan p-vMOS adalah -1,5 V dan 1 V. Hasil simulasi menunjukkan potensial FG C-vMOS lebih besar 0,6 volt dibandingkan potensial FG vMOS karena adanya faktor koreksi pads C-vMOS, SF yang dibentuk oleh vMOS berbeda dengan SF dari C-vMOS karena adanya perbedaan tegangau ambang kedua divais, karakteristik IN resistor yang dihasilkan oieh vMOS adalah linier terutama untuk input 0 ? 10 volt, DAC yang dihasilkan n- vMOS SF adalah linier dengan beda output 0,254 volt tiap peningkatan input desimal yang mewakili binari."

"Kebutuhan air bersih meningkat seiring dengan bertambahnya populasi penduduk, namun kebutuhan air bersih tercemar karena kontaminasi limbah cair salah satunya akibat zat warna, proses degradasi zat warna sangat perlu dilakukan dalam upaya reduksi pencemaran air, Salah satu metode yang dapat dilakukan adalah fotodegradasi. Pada penelitian ini dilakukan fotodegradasi zat warna Methylene Blue melalui proses fotokatalitik dengan nanokatalis heterostruktur Au-TiO2. Sintesis TiO2 Nanosheet yang melalui metode Hidrotermal, didapatkan nilai celah pita sekitar 3.38 eV untuk struktur Anatase dengan panjang rata-rata 28 nm dan ketebalan 3.05 nm. Au Nanorod disintesis melalui metode Seeds Mediated Growth dengan variasi penambahan AgNO3 menghasilkan profil fenomena resonansi permukaan plasmon (SPR) yang berbeda dengan serapan paling tinggi pada 800 nm dan aspect ratio yang meningkat dari 3.7-4.5. Integrasi dilakukan dengan metode Ligand Exchange dan pengaturan pH. Laju kinetika tertinggi dari hasil fotodegradasi dicapai oleh Au-TiO2 yang diintegrasi melalui metode Ligand Exchange sebesar 0.1029 min-1.

---

Demand of clean water increase along with an increase in population, but the presence of organic dyes has become one of the reasons of water contaminant and becoming an environmental problem, the treatment of dye removal nowadays is become very necessary to reduce water pollution. The most efficient and reliable method to degraded organic dyes is using photodegradation method. In this research, we report the result of Methylene Blue photodegradation through the photocatalytic process using Au-TiO2 heterostructured nanocatalysts. TiO2 nanosheets was synthesized through hydrothermal method, the band gap value is 3.38 eV for Anatase structures with an average length of 28 nm and thickness of 3.05 nm. Gold nanorods was synthesized through Seeds Mediated Growth method with variations in the addition of AgNO3. Show a different profile of the Surface Plasmon Resonance (SPR) phenomenon with the highest absorption at 800 nm and an increased aspect ratio from 3.7-4.5. Integration of Au-TiO2 was done by the Ligand Exchange Method and pH control. The high kinetic rate was achieved from Au-TiO2 nanocatalyst done by the Ligand Exchange Method with 0.1029 min-1."

"ABSTRAKAnalisa unjuk kerja modulasi lcode trellis S phase-shw' keying (TC-SPSK)telah dilalcukan dengan teknik diversitas wang maxima/ ratio combining (MRC) dan telcnik diversitas Selection combining (SC) tanpa adanya interferensi. Pada skripsi ini akan dianlisa unjuk kerja 4 state TC-SPSK dan 8 state TC-SPSK dengan teknik cliversitas ruang hybrid selection maxima! roiio combining (HSIMRC) pada kanal dengan fading flat Rayleigh.