Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Pada Tugas Akhir ini dilakukan perancangan Op Amp dengan noise dan diberi nama low noise Op Amp. Dalam perancangan Op Amp ini, digunakan rangkaian diferensial dengan masukan tipe-p. Hal ini dipilih karena transistor tipe-p memiliki noise yang cukup kecil dibandingkan dengan transistor tipe-n [ 1 ]. Pada perancangan low noise Op Amp ini, masukan diferensial, transistor M1 dan transistor M2, didisain untuk memiliki nilai lebar channel dan panjang channel yang besar sehingga noise yang dihasilkan makin kecil Penguatan tingkat pertama pada low noise Op Amp ini dibuat cukup besar, hal ini dimaksudkan untuk menghilangkan efek noise yang ditimbulkan oleh tingkat kedua Op Amp. Hasil yang diperoleh dengan simulasi memakai software pspicc dibandingkan dengan hasil yang terdapat pada referensi dan hasil yang diperoleh leivat perhitungan menunjukkan bahwa noise yang diperoleh dengan simulasi rancangan Op Amp lebih baik. Pada Tugas Akhir ini Juga dibuat layout low noise Op Amp dengan menggunakan software MAGIC."

"ABSTRAKCMOS OP-AMP Unbuffered dua tingkat merupakan OP-AMP dengan output resistance tinggi yang terdiri dari 7 buah MOSFET. Kestabilan dari OP-AMP tersebut ditentukan oleh panjang dan lebar kanal MOSFET-MOSFET tersebut, tail current dan second stage current. Untuk memudahkan desain, panjang kanal (L) dari MOSFET-MOSFET tersebut digandeng. Pada penelitian ini dianalisis pengaruh dari perubahan panjang kanal dalam daerah cakupan l?L?20um terhadap parameter-parameter seperti slew-rate, device area, gain, gain-bandwidth, power disipasi, tegangan saturasi drain-source pada MOSFET 6 dan 7, output resistance, tegangan offset, unity gain-bandwidth dan phase-margin. Hasil rancangan CMOS OP-AMP Unbuffered dua tingkat pada panjang kanal 10 um diperoleh phase-margin 48,15°, tegangan offset -470,356 nVolt, unity gain-bandwidth 1,9307 Mhz, sedangkan parameter lainnya dibandingkan dengan referensi [2] masing-masing slew-rate +240%, gain-AV -38%, gain-bandwidth +331% dan power disipasi +125%. Selanjutnya parameter-parameter hasil rancangan tersebut dibuat konstan kecuali panjang kanalnya yang divariasikan sesuai daerah cakupan di atas. Diperoleh hasil analisis slew-rate, power disipasi, tegangan offset dan phase-margin tidak dipengaruhi oleh panjang kanal, sedangkan gain-bandwidth dan unity gain-bandwidth meningkat hingga masing-masing 8 x 107 radian dan 19,307 Mhz bila panjang kanal diperkecil. Parameter-parameter lainnya menunjukkan kecenderungan menurun bila panjang kanal diperkecil."

"The book covers the CMOS-based millimeter wave circuits and devices and presents methods and design techniques to use CMOS technology for circuits operating beyond 100 GHz. Coverage includes a detailed description of both active and passive devices, including modeling techniques and performance optimization. Various mm-wave circuit blocks are discussed, emphasizing their design distinctions from low-frequency design methodologies. This book also covers a device-oriented circuit design technique that is essential for ultra high speed circuits and gives some examples of device/circuit co-design that can be used for mm-wave technology."

"This book discusses some research results for CMOS-compatible silicon-based optical devices and interconnections. With accurate simulation and experimental demonstration, it provides insights on silicon-based modulation, advanced multiplexing, polarization and efficient coupling controlling technologies, which are widely used in silicon photonics. Researchers, scientists, engineers and especially students in the field of silicon photonics can benefit from the book. This book provides valuable knowledge, useful methods and practical design that can be considered in emerging silicon-based optical interconnections and communications. And it also give some guidance to student how to organize and complete an good dissertation."