Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Pada skripsi ini dirancang struktur PSFET berdimensi chip 360 _m x 290 pm x 400 }gym yang bekerja untuk daerah 0 kPa-16 kPa dengan Batas tekanan maksimumnya 40 kPa untuk aplikasi pengukuran tekanan darah dalam pembuluh darah manusia. Membran mempunyai tiga lapisan penyusun (Si3N4, polisilikon dan Si3NA berdimensi 80 pm x 80 yam x 0.78 pm dengan kondisi tepi jepit pada keempat sisi membran. Pada catu tegangan drain 6 volt, tegangan gate 12 volt PSFET rancangan memiliki keiinieran yang tinggi pads daerah pengukurannya, dan sensitivitas sebesar 0.0192 mA.mA'1.kPa-i.Modifikasi struktur PSFET diiakukan dengan menambahkan celah udara pada bagian rongga PSFET, sebagai upaya untuk meminimalkan pengaruh temperatur dan tekanan ruang dari dalam rongga jika keadaan rongga vakum. Selain itu modifkasi struktur tersebut bertujuan untuk menyederhanakan dalam penggunaan persamaan lendutan membran PSFET.Simulasi Perancangan PSFET berdasarkan pada model PSFET dan penyesuaiannya dengan parameter dan persamaan level-1 MOSFET guna memperbaiki karakteristik PSFET rancangan. Program Simulasi Perancangan dibuat dengan perangkat iunak Matlab 4.0 dari Matrix Laboratory. Sementara perancangan Layout dan Masker berdasarkan aturan proses 3 P NMOS, proses fabrikasi model PSFET, dan fabrikasi sensor tekanan Micro-diapragm tipe-C serta aturan pendisainan wire untuk pengabaian delay resistansi dan kapasitansi."

"ABSTRAKSuatu peninjauan akan dilakukan terhadap divais semikonductor dengan empat terminal yang disebut metal oxide semiconductor bipolar junction transistor (MOSBJT). Dalam divais ini karakteristik listriknya berdasarkan gabungan dua prinsip yaitu; prinsip metal oxide semiconductor (MOS) atau field effect transistor (FET) dan prinsip bipolar junction transistor (BJT). Pada keadaan forward active, struktur permukaan MOS bersifat terbalik (inverted) dan kontak listrik yang terdifusi (diffused electrical contact), drain, memberikan suatu mekanisme untuk reverse bias lapisan inversion terhadap base. Pembawa minoritas yang diinjeksikan ke base, berdifusi sepanjang base, dikumpulkan pada permukaan yang inverted dan selanjutnya mengalir ke terminal drain. Resistansi lapisan inversion menyebabkan suatu voltage drop sepanjang lapisan inversion dan akan mengurangi reverse bias dari inversion-layer/base junction. Voltage drop ini dapat mengurangi/membalik bias dari inversion-layer/base junction yang letaknya paling jauh dari kontak drain. Pengurangan/pembalikan bias ini akan mengurangi daerah active collector untuk mengumpulkan arus drain. Karena resistansi lapisan inversion tergantung dari tegangan gate dan base bias, maka kedua terminal kontrol (gate dan base) tersebut mempunyai pengaruh yang besar terhadap sifat listrik dari divais.Berdasarkan prinsip dasar Hall effect dan magnetoresistance, pengaruh medan magnet terhadap divais ternyata mendominasi pengurangan/pembalikan bias dari inversion-layer/base junction, mempertahankan daerah active dan menyebabkan suatu penurunan besarnya resistansi lapisan inversion.Empat set model divais untuk sensor medan magnet telah difabrikasi dengan bentuk geometri gate, yaitu; Large-L shape, Medium-L shape, Small-L shape dan T shape. Divais tersebut difabrikasi secara bersama, memakai suatu prosedur yang didisain untuk mengoptimalkan keandalan kedua komponen, FET dan BJT, dari MOSBJT.Suatu kenaikan yang sangat berarti terjadi pada arus collector, telah diobservasi, selama divais dipengaruhi oleh medan magnet dengan tiga arah yang saling tegak lurus. Pengaruh ini berkaitan dengan resistansi lapisan inversion yang menyebabkan bertambahnya daerah active MOSBJT dalam keadaan forward active MOSBJT pada harga gate bias tertentu. Besarnya magnetosensitivity dari divais yang difabrikasi adalah; a) absolute magnetosensitivies S'As, besarnya antara 0.002 µA/G dan 0.200 µA/G, serta b) relative magnetosensitivies S'Rs, besarnya antara 0.03 %/G dan 15.67 %/G. Besarnya magnetosensitivity tersebut di atas merupakan keunggulan (excellent achievements) dari divais yang difabrikasi."

"Threshold voltage Vr merupakan salah satu parameter MOS Transistor yang dipengaruhi oleh temperatur (temperature dependence parameter), Dengan karakteristik yang demikian, secara teoretis VT dapat digunakan sebagai parameter untuk pengukuran temperatur. Konfigurasi transistor yang mampu mengekstraksikan tegangan threshold adalah array transistor. Dengan demddan array transistor dapat digunakan sebagai transducer temperatur-tegangan yang dapat diterapkan pada sensor temperatur. Pada tugas skripsi ini akan dilakukan perancangan transducer untuk sensor temperatur dengan memanfaatkan karakteristik array transistor sebagaimana disebutkan di atas. Perancangan dan uji analisis dilakukan sehingga dihasilkan sensitivitas sebesar 10 mV/K pada daerah tengah pengukuran untuk variasi temperatur antara -100 °C s.d. 100 °C dengan menentukan dimensi array transistor pada transducer, dan parameter transistor penyusun array. Pada akhir perancangan dilakukan desain layout rangkain terintegrasi."

"Dalam kehidupannya manusia membutuhkan banyak alat bantu, salah satunya adalah sensor. Pada Tugas Akhir ini dirancang sebuah sensor tekanan yang menggunakan keping silikon dengan memanfaatkan sifat kapasitif untuk pengukuran tekanan rendah. Dalam perancangan dijelaskan beberapa teori dasar, spesifikasi sensor, struktur desain, rancangan proses dan simulasi rancangan dengan bantuan beberapa perangkat lunak. Sensor dirancang untuk bekerja pada tekanan 0-40 kPa. Untuk mengetahui unjuk kerja sensor maka rancangan disimulasikan, hasilnya kemudian dianalisa untuk melihat karakteristiknya. Dari hasil simulasi diketahui bahwa pada keadaan tanpa tekanan sensor mempunyai kapasitansi sebesar 3,23 pF yang meningkat menjadi 4,24 pF jika tekanan maksimum yang bisa diterima sensor diberikan."

"Perancangan dan implementasi alat pemantauan tekanan darah otomatis atau biasa disebut tensimeter merupakan alat yang sangat familiar dalam layanan kesehatan dan menjadi parameter awal bagi seorang dokter dalam melakukan sebuah diagnosa penyakit terhadap pasiennya. Dengan adanya alat yang penulis buat maka dapat mempermudah dalam melakukan pemantauan serta diagnosa terhadap pasien. Terutama pasien yang berada dalam ruang ICU, ICCU, PICU dan NICU. Alat pengukur tekanan darah ini dapat bekerja secara otomatis dan terjadwal untuk mengukur sistol dan diastol. Setelah itu pada setiap pengambilan data tekanan darah maka akan tersimpan dalam sebuah database yang dapat diamati perubahannya. Dari hasil perbandingan nilai sistol dan diastol yang didapat oleh alat ini yang dibandingkan dengan tensimeter digital yang beredar dipasaran dalam hal ini menggunakan Omron hem-7130 diperoleh persentase deviasi yang tidak lebih dari 8%. Hal tersebut menunjukkan bahwa alat ini dapat diandalkan.

---

Design and implementation of automatic blood pressure monitoring devices or commonly called tensimeter is a tool that is very familiar in health care and is an initial parameter for doctors to diagnose their patients. This tool is made to diagnosis of patients specifically for patients in the ICU, ICCU, PICU and NICU rooms. Blood pressure gauges can work automatically and scheduled for systole and diastole. After that, any data obtained will be stored in a database and it can be observed. Results of the systole and diastole values obtained by this tool which are compared with the digital Omron hem-7130, the percentage of error is not more than 8%. this proves that this tool is reliable."