Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"A material study for cathode tube of side window Geiger-Muller detector was carried out. Aim of the study is determine the counting correction factor to the absorpsion gamma radiation, so the type and thickness of materials tube can be sutled...."

"Detektor yang baik merupakan divais yang mampu bekerja pada frekuensi yang lebar, peka terhadap foton yang datang dan tidak menimbulkan derau yang mengganggu dalam proses komunikasi maupun dalam bidang instrumentasi.Untuk maksud tersebut dipilih jenis fotodioda jenis p-i-n dengan bahan aktif semikonduktor GaInAsP sebagai campuran empat macam bahan semikonduktor dari komposisi III dan V pada tabel periodik kimiawi.Dalam tesis ini dibahas tentang perhitungan dan analisa karakteristik fotodioda p-i-n, dari analisa diketahui bahwa hal ini sangat dipengaruhi aleh ketebalan lapisan yang atas (p+), sedangkan lapisan i (intrinsik) pada ketebalan tertentu sampai maksimum tidak mengalami peningkatan effisiensi, disamping itu unjuk kerja fotodioda secara umum sangat dipengaruhi pula oleh nilai resistansi bebannya.A good device for detector should operate at. wide band range, and sensitive to incident photon and produce low noise in both fields of communication and instrumentation systems. For that purpose the device used a type of p-i-n photodiode which contains active layers as quaternary of 111 and V compound in periodic system.

This thesis describes design and analysis of p-i-n photodiode to be used as a laser detector for )..= 1,.28 wiz . The Result show that the thickness of first (p+) and second (z) layer will limit the external efficiency of the detector, and also the load resistance will effect influence the performance of the detector."

"Maskless photolithography merupakan salah satu varian teknologi litografi dengan proses pemolaan pada substrat seperti wafer semikonduktor yang dilakukan tanpa mask. Terdapat berbagai jenis maskless photolithography, dengan salah satunya menggunakan laser sebagai basisnya. Pada riset ini, doping tipe-P pada semikonduktor silikon tipe-N dengan menggunakan metode maskless photolithography berbasis laser diteliti secara komprehensif. Selain itu, kecepatan, daya, dan frekuensi juga ditinjau agar parameter laser yang dapat digunakan untuk proses doping tipe-P pada semikonduktor silikon tipe-N dapat diketahui. Pada akhir penelitian ini, disimpulkan parameter kecepatan, daya, dan frekuensi untuk pembukaan diffusion window wafer silicon on insulator (SOI) untuk doping serta doping tipe-P di semikonduktor silikon tipe-N ialah 300 – 2.700 mm/s, 15 – 27 W, dan 80 kHz serta 300 mm/s, 28,5 W, dan 80 kHz.

---

Maskless photolithography is a variant of lithography technology where the patterning process on a substrate such as a semiconductor wafer is carried out without a mask. There are various types of maskless photolithography, one of which uses a laser as its basis. In this research, P-type doping on N-type silicon semiconductors by using a laser-based maskless photolithography method is comprehensively explored. In addition, speed, power and frequency are also assessed so that the laser parameters that can be used for the P-type doping process on N-type silicon semiconductors can be identified. At the end of this research, it is concluded that the speed, power and frequency parameters for opening the diffusion window of silicon wafer on insulator (SOI) for doping and P-type doping on N-type silicon semiconductors are 300 – 2,700 mm/s, 15 – 27 W, and 80 kHz as well as 300 mm/s, 28.5 W, and 80 kHz."

"ABSTRAKKebutuhan akan semikonduktor pada perangkat listrik yang memiliki ketahanan yang baik dikondisi lingkungan ekstrim membuat silikon karbida SiC menjadi pilihan yang sangat menjanjikan. SiC dapat diaplikasikan untuk daya tinggi, frekuensi tinggi, dan suhu tinggi. SiC memiliki sifat semikonduktor intrinsik dengan banyak kelebihan dibandingkan semikonduktor silikon. SiC merupakan bahan dengan konduktivitas panas yang tinggi serta memiliki sifat yang stabil terhadap mekanik dan kimia serta tahan terhadap radiasi. Dalam penelitian ini telah dilakukan sintesis serat SiC dengan prekursor polimer polycarbosilane PCS menggunakan metode elektrospinning dengan pelarut N,N-dimetilformamida DMF dan toluena. Metode elektrospinning ini sangat baik untuk membuat serat dengan diameter yang terkontrol dan kurang dari 10 m. Tegangan pada proses elektrospinning divariasikan untuk mengetahui pengaruhnya terhadap diameter serat yang dihasilkan serta dilakukan pula variasi suhu pada proses pirolisis untuk mengetahui proses degradasi kimia pada saat pembentukan serat SiC dari serat PCS. Serat SiC yang diperoleh kemudian dikarakterisasi dan diuji sifat kelistrikannya. Hasil karakterisasi menunjukkan serat SiC telah berhasil disintesis dengan metode elektrospinning yang kemudian melalui tahapan proses curing dan pirolisis. Morfologi serat yang dihasilkan yaitu berbentuk pipa dan memiliki keseragaman yang baik. Semakin meningkatnya tegangan selama proses elektrospinning serta dengan bertambahnya suhu pirolisis memberikan diameter serat yang lebih kecil dengan diamater rerata sebesar 4,3 m . Sifat kelistrikan serat SiC hasil sintesis memiliki band gap 2,56 eV dan area nilai konduktivitas listriknya adalah dari 8 10-6 hingga 7 10-6 S/cm.

---

ABSTRACTThe need for semiconductors in electrical devices that have good resistance in extreme environment conditions make silicon carbide SiC very promising choice. SiC can be applied for high power, high frequency, and high temperature. SiC has intrinsic semiconductor properties with many advantages over silicon semiconductors. SiC is a material with high thermal conductivity and has properties that are mechanically and chemically stable and resistant to radiation. In this research, SiC fiber synthesis with polycarbosilane polymer precursor PCS has been done using electrospinning method with N, N dimethylformamide DMF and toluenae solvent. This electrospinning method is very good for making fibers with controlled diameters and less than 10 m. The voltage on the electrospinning process is varied to determine the effect on the fiber diameter produced and also the temperature variation in the pyrolysis process to determine the chemical degradation process at the time of fiber SiC formation of PCS fibers. SiC fibers obtained are then characterized and tested for their electrical properties. The characterization results show that SiC fibers have been successfully synthesized by electrospinning method which then through the curing process and pyrolysis stage. The resulting fiber morphology is pipe shaped and has good uniformity. The increasing stresses during the electrospinning process and with increasing pyrolysis temperature give the fiber diameter smaller with the average diameter of 4.3 m. The synthetic nature of SiC fibers has a band gap of 2.56 eV and the electrical conductivity value is from 8 10 6 to 7 10 6 S cm."

"ABSTRAKProses fabrikasi Li4Ti5O12 (LTO) dilakukan dengan metode solid state yaitu dengan menggiling bahan baku kemudian hasil penggilingan tersebut disinter. Bahan baku yang digunakan dalam penelitian ini adalah LiOH, TiO2 A (ukuran partikel 37 nm) dan TiO2 R (ukuran partikel 264 nm). Campuran bahan baku yang digunakan adalah LiOH­-TiO2 A dan LiOH-TiO2 R dengan perbandingan LiOH:TiO2 4:5. Penggilingan dilakukan menggunakan vibrating high speed milling (VHSM) dengan kecepatan rotasi penggilingan 2000 RPM. Variasi waktu penggilingan yang digunakan adalah 30 menit, 60 menit dan 90 menit. Sampel yang telah digiling sebagian dikompaksi dengan tekanan 200 MPa untuk mendapatkan variasi sampel dalam bentuk serbuk dan tablet. Kedua jenis sampel tersebut kemudian disinter dengan temperatur 800o C selama 240 menit dan preheat pada 480o C. Pengaruh perbedaan ukuran partikel TiO2, waktu penggilingan dan proses kompaksi diamati. Sampel yang terbetuk diuji dengan Field Emission Scanning Electron Microscope (FESEM), Braunner-Emmet-Teller (BET), Particle Size Analysis (PSA) dan X-Ray Diffraction (XRD).

---

ABSTRACTLi4Ti5O12 (LTO) was synthesized by solid state method with milling the starting material then sintering the milling product. LiOH, TiO2 A (particle size 37 nm) and TiO2 R (particle size 264 nm) are used as starting materials. There are two kind of mixture in this research, LiOH-TiO2 A and LiOH-TiO2 R with LiOH-TiO2 ratio 4:5. Milling of mixture has been done by vibrating high speed milling (VHSM) with rotation speed 2000 RPM. LiOH-TiO2 mixture milled in three different time (30 minute, 60 minute and 90 minute). Half part of milled sample are compacted by 200 MPa pressure to make a different sample condition, tablet and powder sampel. Two kind of sampel are sintered in 800o C for 240 minute and preheat at 480o C. Effect of TiO2 particle size, milling time and compaction process are investigated. Sample were obtained by Field Emission Scanning Electron Microscope (FESEM), Braunner-Emmet-Teller (BET), Particle Size Analysis (PSA) dan X-Ray Diffraction (XRD)."

"Perkembangan teknologi alat telekomunikasi dewasa ini begitu meningkat pesat. Salah satu faldor yang memungidnkan terciptanya aiat telekomunikasi tersebut adalah adanya sebuah transduser yang dapat mengubah suara menjacil slnyal listdk atau seballknya. Transduser yang dapat mengubah suara menjadi slnyal 11strIk dikenal dengan nama Mlkrolon. Jenis mikrofon yang ada cukup banyak. Yang paling banyak dlpakal adalah mikrofon yang menggunakan prinsip kapasltif yang lebih dikenal dengan nama mlkrofon kondenser. Pada Tugas Skipsi ini, dliakukan penelitian tentang rancangan mikrofon kondenser yang dibuat dengan menggunakan bahan sillkon yang berdimensi kecil serta menggunakan dlafragma yang menggunakan bahan sHikon nitdda dan berbentuk sinusoidal. Parameter-parameter yang dipakal pada struktur mlkrofon ini adalah panjang den tebai diafragma, lebar celah udara, tebal backpiate, dan banyaknya lubang akustik untuk mendapatkan sensltvitas dan tanggapan frekuensi mlkrofon tersebut. Penelltian dilakukan dengan penjabaran secara matematls dan menggunakan bantuan perangkat lunak. Dart hasli slmulasl dan perhitungan dldapatkan sensitNitas mikrofon sebesar 12 mV1Pa dan tanggapan frekuensl 13 kHz."

"Analisis data waktu tunggu memiliki peran penting pada berbagai disiplin ilmu. Distribusi yang sering digunakan untuk memodelkan data waktu tunggu adalah distribusi Weibull, hal ini karena pola penyebarannya yang menceng. Akan tetapi, distribusi Weibull tidak mampu memodelkan data waktu tunggu dengan fungsi hazard berbentuk non-monoton. Pada kenyataanya, data waktu tunggu sering kali memiliki fungsi hazard non-monoton. Pada skripsi ini, dibahas pembentukan distribusi Alpha Logarithmic Transformed Weibull yang merupakan generalisasi dari distribusi Weibull. Distribusi Alpha Logarithmic Transformed Weibull dikenalkan oleh Nassar (2018) menggunakan metode Alpha Logarithmic Transformation. Metode ini menambahkan suatu parameter bentuk pada fungsi survival distribusi Weibull dengan tujuan meningkatkan fleksibilitas fungsi hazard-nya. Salah satu karakteristik dari distribusi ini adalah fungsi hazard-nya memiliki berbagai macam bentuk, yaitu konstan, monoton naik, monoton turun, bathtub dan upside-down bathtub. Beberapa karakteristik dari distribusi Alpha Logarithmic Transformed Weibull seperti fungsi kepadatan probabilitas, fungsi distribusi, fungsi survival, fungsi hazard dan momen ke-r juga dibahas. Penaksiran parameter distribusi dilakukan dengan metode maximum likelihood. Pada bagian akhir, diberikan ilustrasi dengan data waktu hingga kerusakan alat industri yang dimodelkan dengan distribusi Weibull dan distribusi Alpha Logarithmic Transformed Weibull. Hasil uji Kolmogorov-Smirnov menunjukan bahwa distribusi Weibull tidak mampu memodelkan data tersebut, sementara distribusi Alpha Logarithmic Transformed Weibull mampu memodelkan data tersebut dengan baik.

---

Lifetime analysis has an important role in various disciplines. The most common distribution used to model lifetime data is the Weibull distribution, this is because of its skewed distribution. However, the Weibull distribution cannot model lifetime data with a non-monotone hazard function. Most lifetime data have a non-monotone hazard function. This thesis discusses the formation of the Alpha Logarithmic Transformed Weibull distribution, which is a generalization of the Weibull distribution. The Alpha Logarithmic Transformed Weibull was first introduced by Nassar (2018) using the Alpha Logarithmic Transformation. This method adds a shape parameter to the survival function of the Weibull distribution with the purpose of increasing the flexibility of its hazard function. This distribution features a hazard function with various shapes such as constant, increasing, decreasing, bathtub and upside-down bathtub. Some properties of this distribution such as its probability density function, cumulative distribution function, survival function, hazard function and the r-th moment is discussed. Parameter estimation is done with the maximum likelihood method. On the last part, an illustration using time to failure data of industrial devices is modeled by the Weibull distribution and the Alpha Logarithmic Transformed distribution. Results of the Kolmogorov-Smirnov test shows that the Weibull distribution is unable to model the data, while the Alpha Logarithmic Transformed Weibull distribution can model the data well."

"Riset ini difokuskan pada karakteristik linier arus-tegangan dioda P-I-N silikon skala nano doping tinggi dalam rentang temperatur dari 50K hingga 250 K serta karakteristik arus-tegangan dan konduktansi dioda P-N Silikon skala nano doping tinggi pada temperatur 5,5K. Untuk itu dioda P-N dan P-I-N dengan konsentrasi doping tinggi difabrikasi pada wafer ultra tipis berstruktur silicon-oninsulator (SOI). Dari hasil fabrikasi telah diperoleh konsentrasi doping tinggi Boron dan Phosphorus pada divais dioda mencapai 1×1020 cm-3 and 2×1020 cm-3, berturut-turut. Pengukuran karakteristik arus-tegangan dioda P-I-N silikon skala nano doping tinggi dilakukan pada beberapa divais dengan lapisan intrinsik sepanjang 200 nm dan 700 nm. Linieritas arus pada rentang forward bias dari 1,5 V hingga 2,0 V dan rentang temperatur dari 50 K hingga 250 K menunjukkan divais ini sesuai untuk sensor temperatur rendah. Pada pengukuran juga diperoleh data bahwa dioda P-I-N silikon skala nano doping tinggi menghasilkan arus yang lebih tinggi saat temperatur diturunkan dalam rentang forward bias dari 1,5 V hingga 2,0 V. Selain itu juga diperoleh data bahwa divais skala nano dengan lapisan intrinsik yang lebih panjang dan lebih lebar akan menghasilkan arus yang lebih tinggi pada rentang forward bias dari 1,5 V hingga 2,0 V dan temperatur dari 50K hingga 250K. Hasil pengukuran pada dioda P-N silikon skala nano doping tinggi pada rentang forward bias hingga 0,1 Volt maupun rentang reverse bias hingga -0,1 Volt menghasilkan beberapa puncak konduktansi yang menunjukkan kesesuaian nilai dengan level energi density of state dua dimensi (2D DOS) dan level energi kombinasi phonon pada temperatur 5,5K. Pada forward bias, level energi diskret heavy hole, light hole, serta kombinasi phonon TA, LA, TO dan LO berkontribusi signifikan pada puncak konduktansi dalam rentang tegangan hingga 0,1 Volt. Demikian juga halnya pada reverse bias, level energi diskret elektron 2-fold valley, 4-fold valley, serta kombinasi phonon TA, LA, TO dan LO berkontribusi signifikan pada puncak konduktansi dalam rentang tegangan hingga -0,1 Volt. Transport elektron pada dioda P-N Silikon dalam skala nano doping tinggi akan mengalami puncak konduktansi saat elektron memiliki energi yang sama dengan level diskret energi 2D DOS. Hal ini membuktikan adanya phonon-assisted tunneling pada dioda P-N silikon skala nano doping tinggi.

---

This report is focused on linier current-voltage (I?V) characteristic of highly-doped nanoscale Silicon P-I-N diodes at temperature from 50K to 250K and also I-V and conductance characteristics of highly-doped nanoscale Silicon P-N diode at temperature 5.5K. For that purpose, we fabricated nano scale P-I-N and P-N diodes within ultra thin silicon-on-insulator (SOI) structures. From fabrication, we achieved high doping concentrations of Boron and Phosphorus in SOI diodes, 1×1020 cm-3 and 2×1020 cm-3, respectively.

Measurement of current-voltage characteristics of highly-doped nanoscale silicon PIN diode is performed on devices with intrinsic layer length of 200 nm and 700 nm. The current linearity under forward bias range from 1.5 V to 2.0 V and temperature range from 50K to 250K shows that these devices are suitable for lowtemperature sensor. The measurement data shows also that highly-doped nanoscale silicon PIN diode produces higher current when the temperature is lowered under forward bias from 1.5 V to 2.0 V. In addition, the data shows that nanoscale devices with longer and wider intrinsic layer would generate higher current under forward bias range from 1.5 V to 2.0 V and temperature from 50K to 250K.

Measurement of highly-doped nanoscale silicon P-N diode under forward bias to 0.1 Volt and also reverse bias to -0.1 Volt results conductance peaks that show relationship with two-dimensional density of state (2D DOS) and phonon combination energy level at temperature 5.5K. Under forward bias, discrete energy level of heavy hole, light hole and phonon combination of TA, LA, TO and LO have significant contribution to conductance peaks in range 0.1 Volt. Also under reverse bias, discrete energy level of electron 2-fold valley, 4-fold valley and phonon combination of TA, LA, TO and LO have significant contribution to conductance peaks in range -0.1 Volt. Electron transport of highly-doped nanoscale silicon P-N diode will experience conductance peaks when it has equal energy with 2D DOS discrete energy level. It proves the existence of phonon-assisted tunneling on highly-doped nanoscale silicon P-N diode."