Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Telah dilakukan studi pengaruh perubahan nilai setiap komponen penyusun rangkaian Osilator Sensor tipe Colpitts pada perubahan Frekuensi Osilasi. Penelitian ini merupakan kelanjutan penelitian sebelumnya yang membahas pengembangan osilator sebagai pengkondisi sinyal sensor pada sistem instrumentasi. Pengamatan menunjukkan elemen induktif pada rangkaian resonan dominan mempengaruhi frekuensi osilasi sehingga jenis transduser yang dikembangkan pada penelitian ini bersifat induktif. Dari pengembangan osilator Colpitts sebagai pengkondisi sinyal dalam sensor pergerakan, terlihat sensitivitas yang dihasilkan 0,0068 MHZ/mm.

---

A study about the effect of frequency changes caused by electric parameter's change on Colpitts oscillator have been done. This research is a continuation of previous studies that discuss about the development of oscillators as signal conditioning on the instrumentation system. This research shows that an inductive element in the dominant resonant series affecting the frequency of oscillation, so the type of transducer that was developed in this study is inductive. By the development of Colpitts' oscillator as the signal conditioning of displacement sensor, the result of the sensitivity is 0,0068MHz/mm."

"Heterojunction adalah sambungan yang dibentuk antara dua material semikonduktor dengan bandgap yang barbeda. Sambungan tersebut dapat berupa sambungan yang abrupt atau graded. Heterojunction Bipolar Transistor merupakan bipolar transistor yang mempunyai ketipisan di bawwh 50nm yang menumbuhkan lapisan campuran Si1.xGex sebagai basis. Kandungan Ge sampai 50% dapat digabungkan dengan Si standard BJT (bipolar junction transistor), dengan ketipisan 10 sampai 50 nm pada basis.Pada penelitian ini dibuat rancangan Heterojunction Bipolar Transistor Si/Si1_xGex/Si dengan memperhitungkan mobilitas hole dengan doping yang tinggi sehingga diperoleh nilai resistansi basis yang rendah yang dapat memberikan nilai frekuensi maximum (Fmax) yang optimum .Untuk mendapatkan nilai resistansi basis yang rendah pada divais digunakan doping yang tinggi NB=5.I02° cm-3. Di samping nilai resistansi basis yang rendah juga diperlukan nilai frekuensi transit (fr) yang tinggi. Untuk memperoleh frekuensi transit yang tinggi tersebut digunakan model struktur divais dengan NE=1018 cm-3, NB=5.1020 cm-3 dan WE=50 nm. Lebar basis dibuat bervariasi antara 10-50 nm dengan kenaikan 10 nm dan fraksi mole (x) Ge dibuat bervariasi antara 0.04 sampai 0.20 dengan kenaikan 0.04.Dari rancangan HBT yang diteliti tersebut hasil perhitungan menunjukkan bahwa pengurangan lebar basis dari 50 nm menjadi 10 nm pada HBT dengan NE=10' cm 3, NB=5.102° cm-3, WE =50 nm dan x=0.20 dapat meningkatkan frekuensi Transit dari 46 GHz menjadi 173 GHz, sedangkan besarnya frekuensi maximum dari 102 GHz menjadi 196 GHz."

"ABSTRAKSuatu peninjauan akan dilakukan terhadap divais semikonductor dengan empat terminal yang disebut metal oxide semiconductor bipolar junction transistor (MOSBJT). Dalam divais ini karakteristik listriknya berdasarkan gabungan dua prinsip yaitu; prinsip metal oxide semiconductor (MOS) atau field effect transistor (FET) dan prinsip bipolar junction transistor (BJT). Pada keadaan forward active, struktur permukaan MOS bersifat terbalik (inverted) dan kontak listrik yang terdifusi (diffused electrical contact), drain, memberikan suatu mekanisme untuk reverse bias lapisan inversion terhadap base. Pembawa minoritas yang diinjeksikan ke base, berdifusi sepanjang base, dikumpulkan pada permukaan yang inverted dan selanjutnya mengalir ke terminal drain. Resistansi lapisan inversion menyebabkan suatu voltage drop sepanjang lapisan inversion dan akan mengurangi reverse bias dari inversion-layer/base junction. Voltage drop ini dapat mengurangi/membalik bias dari inversion-layer/base junction yang letaknya paling jauh dari kontak drain. Pengurangan/pembalikan bias ini akan mengurangi daerah active collector untuk mengumpulkan arus drain. Karena resistansi lapisan inversion tergantung dari tegangan gate dan base bias, maka kedua terminal kontrol (gate dan base) tersebut mempunyai pengaruh yang besar terhadap sifat listrik dari divais.Berdasarkan prinsip dasar Hall effect dan magnetoresistance, pengaruh medan magnet terhadap divais ternyata mendominasi pengurangan/pembalikan bias dari inversion-layer/base junction, mempertahankan daerah active dan menyebabkan suatu penurunan besarnya resistansi lapisan inversion.Empat set model divais untuk sensor medan magnet telah difabrikasi dengan bentuk geometri gate, yaitu; Large-L shape, Medium-L shape, Small-L shape dan T shape. Divais tersebut difabrikasi secara bersama, memakai suatu prosedur yang didisain untuk mengoptimalkan keandalan kedua komponen, FET dan BJT, dari MOSBJT.Suatu kenaikan yang sangat berarti terjadi pada arus collector, telah diobservasi, selama divais dipengaruhi oleh medan magnet dengan tiga arah yang saling tegak lurus. Pengaruh ini berkaitan dengan resistansi lapisan inversion yang menyebabkan bertambahnya daerah active MOSBJT dalam keadaan forward active MOSBJT pada harga gate bias tertentu. Besarnya magnetosensitivity dari divais yang difabrikasi adalah; a) absolute magnetosensitivies S'As, besarnya antara 0.002 µA/G dan 0.200 µA/G, serta b) relative magnetosensitivies S'Rs, besarnya antara 0.03 %/G dan 15.67 %/G. Besarnya magnetosensitivity tersebut di atas merupakan keunggulan (excellent achievements) dari divais yang difabrikasi."

"Disain geometri dengan kombinasi lateral dan vertikal berhasil dirancang , disimulasikan pada devais Silicon Germanium Heterojunction Bipolar Transistor (HBT SiGe). Terbukti menghasilkan beberapa kelebihan terutama pada noise figure yang rendah seperti diuraikan pada disertasi ini. Riset ini bertujuan untuk mendapatkan devais dengan noise figure (Fn) yang rendah pada operasi frekuensi tinggi. Metode riset yang dilakukan berupa pemodelan menggunakan software komersil Bipole3 dari BIPSIM inc, dengan acuan berdasarkan HBT SiGe IBM generasi pertama. Model acuan dengan lithography 0,50 μm, memiliki unjuk kerja keluaran ;fT = 45 Ghz, β=110, fmaks = 65 Ghz, Rbb = 18,9 ohm, βVCEO 3,3 Volt, dan Fn =1,07dB pada finp=fT. Meningkat unjuk kerjanya menjadi fT = 79,4 Ghz, β=284, fmaks = 127 Ghz serta Rbb = 9,0 ohm dengan VCEO 2,7 Volt dan Fn =0,36 dB pada finp=fT ketika parameter lateral dan vertikal diubah. Perubahan parameter lateral dilakukan dengan menambah terminal basis dari satu menjadi dua, memperkecil ukuran model menjadi 80% dari ukuran semula, menurunkan lithography menjadi 0,09 μm. Sedangkan untuk parameter vertikal dilakukan dengan cara merubah profile germanium pada basis dari segitiga menjadi trapesium, menaikkan mole fraction (x) dari 7,5% menjadi 10%, serta memperkecil lebar basis menjadi 50% dari ukuran semula. Hasil analisis validasi HBT SiGe acuan dan model memberikan deviasi rata-rata 6%. Parameter lateral berpengaruh pada nilai arus kolektor (IC), resistansi parasitis (Rbb) dan frekuensi maksimum (fmaks) sedangkan parameter vertikal berpengaruh pada frekuensi threshold (fT) dan current gain (β). Pemilihan nilai parameter lateral dan vertikal yang tepat, dapat menghasilkan model dengan noise figure (Fn) yang rendah pada frekuensi kerja yang tinggi serta arus kolektor (IC) yang kecil.

---

The Geometric design with a lateral and vertical combination has been successfully designed, simulated on Silicon Germanium Heterojunction Bipolar Transistor (SiGe HBT) and has shown several advantages, particularly low noise figure as described in this dissertation. The research aims to obtain the SiGe HBT devices with a lowest noise figure (Fn) at high frequency operation. The method is based on modeling of used commercial software Bipole3 from BIPSIM inc, based on the first-generation IBM SiGe HBT model as a reference.

The reference model with the lithography of 0.50μm, has the output performance of ; fT= 45 Ghz, β=110, fmaks= 65 Ghz, Rbb= 8.9ohms, = 3.3 Volt, with Fn = 1.07 dB at finp = fT, the performance increases to fT =79.4 Ghz, β = 284, fmaks= 27 Ghz and Rbb= 9.0 ohms, βVCEO =2.7 Volt and Fn = 0.36 dB at finp = fT when the lateral and vertical parameters were modified. Modification of the lateral parameters is done by using two base terminals instead of one, reducing the size of the model to be 80% from original size, reducing the lithography to 0.09 μm. While the vertical parameter is changed by converting the profile of germanium from the triangle to trapezoid basis, increasing the mole fraction (x) from 7.5% to 10%, and reducing the base width to be 50% from original size. The validation of the SiGe HBT with a reference model has an average deviation of 6%.

The lateral parameters have influenced the value of the collector current (IC), parasitic resistance (Rbb) and the maximum frequency (fmaks,) while the vertical parameters influence the frequency threshold (fT) and current gain (β). The appropriate selection of lateral and vertical parameter values can produce models with a low noise figure (Fn) at high frequency operation as well as small collector current (IC)."

"HBT Pengganda Frekwensi adalah HBT yang menghasilkan keluaran frekwensi dua kali lipat dari pada frekwensi masukan. Prinsip kerja dari HBT pengganda frekwensi adalah memanfaatkan sifat tak linier dari divais aktif, yaitu divais aktif yang diberi masukan sinyal sinusoid akan menghasilkan sinyal sinusoid dengan frekwensi sama dengan sinyal masukan dan sinyal sinusoid dengan frekwensi yang merupakan kelipatan bulat dari frekwensi sinyal masukan. Berdasarkan referensi dinyatakan bahwa, dengan HBT linier, frekwensi maksimum (fmax) pada saat operasional hanya 1/3 dari fmax, pada saat didisain, sedangkan dari referensi yang lain, pengganda frekwensi dengan menggunakan Si/SiGe HBT pernah didisain dengan frekwensi maksimum (fmax) pada saat disain, adalah 67 GHz dan pada saat operasional mampu menghasilkan frekwensi maksimum (fmax) 55 GHz. Dengan demikian metoda pengganda frekwensi dengan menggunakan HBT mampu menghasilkan efisiensi yang lebih baik dari pada HBT linier. Dalam penelitian ini dirancang pengganda frekwensi dengan fmax 120 GHz dengan HBT Si/SiGe. Metode disain menghasilkan frekwensi maksimum (fmax) 115 GHz, yang berarti mendekati frekwensi maksimum yang diinginkan. Pada uji performansi dengan menggunakan gummel plot dihasilkan penguatan arus yang stabil, dan pada uji arus kolektor diketahui tegangan breakdown 4 V.

---

HBT frequency doublers is HBT which provide output frequency two times multiplication than input Frequency. Basic operation of frequency doublers is to take an advantage from non linear behavior of an active device that is if an active device has sinusoidal input signal, it would provide sinusoidal signal which has same frequency with input signal and sinusoidal signal which has frequency n- times multiplication than input signal.

Based on one of reference its claim that fmax from linear HBT, has maximum operational frequency (fmax operational) only one third than maximum frequency (fmax) than it was design. From another reference claim that using Si/SiGe HBT frequency doublers method which have had design and implemented Si/SiGe HBT frequency doublers was designed with fmax 67 GHz and resulted maximum operational frequency 55 GHz. That?s mean Si/SiGe HBT can achieve better frequency than linear HBT.

The purpose of this research is to designed and simulated Si/SiGe HBT frequency doubler with 120 GHz Using Si/SiGe HBT. Design method can achieve 115 GHz, that?s mean close to needed frequency. On the performance experiment using gummels plot measurement resulted that device has stable current amplification and from collector current experiment its provide that?s device breakdown is 4 V."

"Si-Ge HBTs is an electronic device having important role in developing Information and Telecommunication Technology. It can be shown by the superior performance of threshold frequency (fr) oscillation frequency (fosc) current gain (B) and minimum noise figure (Fn)...."

"Keadaan transien dart arus dan tegangan pada PWM inverter I(D full-bridge transistor bipolar dihasilkan oleh operasi transistor bipolar saat komutasi turn-on dan turn-off. Komutasi turn-on transistor bipolar dtikuti oleh arus lebih, sedangkan pada komutasi tum-off dikuti oleh tegangan lebih. Arus lebih dan tegangan lebih yang ter adt akan menyebabkan daya dissipasi pada transistor bipolar. Daya dissipasi kemudian akan menyebabkan stress pada transistor bipolar sehingga dapat merusak transistor bipolar dan komponen lainya. Untuk mengurangi daya dissipasi, maka aplikasi PWM inverter 1(D full-bridge transistor bipolar digunakan rangkatan snubber untuk mendapatkan operasi yang aman dan andal bagi transistor bipolar. Rangkaian snubber terdiri dart dioda dan elemen pasif seperti resistor, induktor dan kapasitor. Fungsi dari rangkaian snubber ini adalah untuk mengurangi arus lebih dan tegangan lebih pada transistor bipolar sehingga daya dissipasi dapat dikurangi. Pemilihan elemen rangkaian snubber (resistor, induktor dan kapasitor) adalah berdasarkan kompromi antara tingkat pengurangan arus lebih dan tegangan lebih yang diinginkan terhadap daya dissipasi yang akan dihasilkan transistor bipolar. Karakteristik konfigurasi rangkaian snubber yang akan digunakan pada PWM inverter i(D full-bridge transistor bipolar dibahas berdasarkan rangkaian ekivalen dalam komutasi tum-on dan turn-off transistor bipolar. Rangkaian ekivalen ini kemudian dianalisa, sehingga dapat memperki rakan semua arcs dan tegangan yang ada dalam komutasi turn-on dan turn-on."