Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"This thesis describes the device physics of GaN-based laser diodes, together with recent efforts to achieve longer emission wavelengths and short-pulse emission. Experimental and theoretical approaches are employed to address the individual device properties and optimize the laser diodes toward the requirements of specific applications."

"ABSTRAKPada Skripsi ini akan dibahas analisa disain divais menggunakan laser dioda dan Heterojunction Phototransistor yang berfungsi sebagai Light to Light Transducer. Latar belakang teori dan prinsip kerja dari laser Diode dan Heterojunction Phototransistor serta disain transduser juga akan dibahas pada Skripsi ini. Transduser melakukan pendeteksian cahaya, mengubah besaran optis ke dalam besaran listrik, diperkuat dan oleh Laser Dioda dipancarkan lagi sebagai besaran optis yang juga telah diperkuat, koheren dan monokromatis. Transduser ini dapat didisain dengan integrasi langsung secara vertikal dan Laser Diode dengan Phototransistor berbahan GaAs dengan dimensi 210 x 290 m2 dan penguatan maksimal 250 kali. Perhitungan dan analisa dilakukan pada daerah operasi panjang Gelombang 0.8-1.3 μm dan daya input 0-100 μW. Model preliminary Rangkaian yang dianggap dapat mewakili karakteristik struktur divais yang dirancang juga dibahas untuk mempermudah menganalisa dan memperhitungkan karakteristik divais.

---

"

"Comprehensive in scope, this book covers the latest progresses of theories, technologies and applications of LEDs based on III-V semiconductor materials, such as basic material physics, key device issues (homoepitaxy and heteroepitaxy of the materials on different substrates, quantum efficiency and novel structures, and more), packaging, and system integration. The authors describe the latest developments of LEDs with spectra coverage from ultra-violet (UV) to the entire visible light wavelength. The major aspects of LEDs, such as material growth, chip structure, packaging, and reliability are covered, as well as emerging and novel applications beyond the general and conventional lightings. This book, written by leading authorities in the field, is indispensable reading for researchers and students working with semiconductors, optoelectronics, and optics.- Addresses novel LED applications such as LEDs for healthcare and wellbeing, horticulture, and animal breeding; - Editor and chapter authors are global leading experts from the scientific and industry communities, and their latest research findings and achievements are included;- Foreword by Hiroshi Amano, one of the 2014 winners of the Nobel Prize in Physics for his work on light-emitting diodes."

"Lapisan tipis ZnO telah ditumbuhkan di atas substrate silikon menggunakan teknik pengkabutan ultrasonik (USP) dengan variasi temperatur tumbuh. Analisis struktur menggunakan difraksi sinar-X menunjukan bahwa struktur dari lapisan tipis ZnO adalah polikristal. Berdasarkan analisis morfologi menggunakan scanning electron microscopy (SEM), ketebalan dari lapisan tipis tidak homogen. Berdasarkan analisis morfologi menggunakan atomic force microscopy (AFM), tingkat kekasaran (roughness) semakin berkurang ketika lapisan tipis dianil pada temperatur 800°C (tanpa anil 36.543 nm, setelah anil 24.754 nm). Sementara, berdasarkan pengukuran Hall, hambatan berkurang dengan penambahan temperatur tumbuh, mobilitas Hall bertambah dengan penambahan temperatur tumbuh, densitas pembawa muatan bernilai 1.18×1016 cm-3, 8.59×1015 cm-3, dan 9×1015 cm-3 ketika temperature tumbuh bertambah. Secara optik, spectrum photoluminisen menunjukan karakter spesifik dari ZnO, yaitu memiliki dua emisi ultraviolet (UV) dan cahaya tampak (hijau). Uji photoluminisen pada temperatur rendah untuk lapisan tipis ZnO tanpa anil, emisi UV dan cahaya tampak mengalami penambahan. Sedangkan untuk lapisan tipis ZnO dengan anil, puncak cahaya tampak mengalami penyusutan. Energi yang berasal dari defek teramati pada level 1.62 eV, 2.16 eV - 2.18 eV, dan 2.46 eV - 2.55eV. Energi defek pada level 1.62 eV berasal dari transisi elektronik dari bawah energi pita konduksi ke vakansi oksigen (Vo). Energi defek yang berada pada interval 2.16 eV - 2.18 eV berasal dari interstisial oksigen sedangkan energi defek pada rentang 2.46 eV - 2.55eV berasal dari transisi elektron dari vakansi oksigen yang terionisasi ke pita valensi. Selanjutnya, telah didemonstrasikan salah satu aplikasi pada bidang optoelektronika, yaitu pembuatan divais struktur hetero lampu dioda berbasis ZnO yang mampu menghasilkan warna akibat dari fenomena impact excitation.

---

ZnO thin films have been deposited on top of Si substrate by ultrasonic spray pyrolisis (USP) at various growth temperatures. The structure analysis by X-ray diffraction shows that ZnO thin films has polycrystalline structure. The scanning electron microscopy (SEM) confirmed that the films thicknes are not homogenous. The atomic force microscopy (AFM) analysis shows the root means square (RMS) roughness of unannealed and atmosphere annealed (800°C) are 36.543 nm and 24.754 nm, respectively. According to Hall measurement, the resistivity of the films decreased with increasing temperatures. Hall mobilities increased when growth temperatures increased. The carrier density are 1.18×1016cm-3, 8.59×1015 cm-3, and 9×1015cm-3 when the temperatures 400°C, 450°C, and 500°C, respectively. Optically, the photoluminescence spectra shows typical of ZnO thin films which has two main peaks such as ultraviolet and green band.

The room temperature PL spectra show that the UV and green emission enhanced after annealing. At low PL spectra of annealed in atmosphere ambient, the green emission suppressed significantly. Some defect’s energy level were observed at 1.62 eV, 2.16 eV - 2.18 eV, and 2.46 eV - 2.55eV. The defect’s energy level 1.62 eV should be attributed to the electronic transition from the bottom of conduction band to the oxygen vacancy (Vo). The defect’s energy interval about 2.16 up to 2.18 eV originate from oxygen interstitial (Oi) and the defect's energy level about 2.5 eV (2.46 up to 2.55 eV) originate from the electron transition from the level of the ionized oxygen vacancies to the valence band. Finally, the device based ZnO heterostructure light emitting diodes (LEDs) have been demonstrated. It’s able to emit multicolour due to impact excitation."

"ABSTRAKSuatu peninjauan akan dilakukan terhadap divais semikonductor dengan empat terminal yang disebut metal oxide semiconductor bipolar junction transistor (MOSBJT). Dalam divais ini karakteristik listriknya berdasarkan gabungan dua prinsip yaitu; prinsip metal oxide semiconductor (MOS) atau field effect transistor (FET) dan prinsip bipolar junction transistor (BJT). Pada keadaan forward active, struktur permukaan MOS bersifat terbalik (inverted) dan kontak listrik yang terdifusi (diffused electrical contact), drain, memberikan suatu mekanisme untuk reverse bias lapisan inversion terhadap base. Pembawa minoritas yang diinjeksikan ke base, berdifusi sepanjang base, dikumpulkan pada permukaan yang inverted dan selanjutnya mengalir ke terminal drain. Resistansi lapisan inversion menyebabkan suatu voltage drop sepanjang lapisan inversion dan akan mengurangi reverse bias dari inversion-layer/base junction. Voltage drop ini dapat mengurangi/membalik bias dari inversion-layer/base junction yang letaknya paling jauh dari kontak drain. Pengurangan/pembalikan bias ini akan mengurangi daerah active collector untuk mengumpulkan arus drain. Karena resistansi lapisan inversion tergantung dari tegangan gate dan base bias, maka kedua terminal kontrol (gate dan base) tersebut mempunyai pengaruh yang besar terhadap sifat listrik dari divais.Berdasarkan prinsip dasar Hall effect dan magnetoresistance, pengaruh medan magnet terhadap divais ternyata mendominasi pengurangan/pembalikan bias dari inversion-layer/base junction, mempertahankan daerah active dan menyebabkan suatu penurunan besarnya resistansi lapisan inversion.Empat set model divais untuk sensor medan magnet telah difabrikasi dengan bentuk geometri gate, yaitu; Large-L shape, Medium-L shape, Small-L shape dan T shape. Divais tersebut difabrikasi secara bersama, memakai suatu prosedur yang didisain untuk mengoptimalkan keandalan kedua komponen, FET dan BJT, dari MOSBJT.Suatu kenaikan yang sangat berarti terjadi pada arus collector, telah diobservasi, selama divais dipengaruhi oleh medan magnet dengan tiga arah yang saling tegak lurus. Pengaruh ini berkaitan dengan resistansi lapisan inversion yang menyebabkan bertambahnya daerah active MOSBJT dalam keadaan forward active MOSBJT pada harga gate bias tertentu. Besarnya magnetosensitivity dari divais yang difabrikasi adalah; a) absolute magnetosensitivies S'As, besarnya antara 0.002 µA/G dan 0.200 µA/G, serta b) relative magnetosensitivies S'Rs, besarnya antara 0.03 %/G dan 15.67 %/G. Besarnya magnetosensitivity tersebut di atas merupakan keunggulan (excellent achievements) dari divais yang difabrikasi."