Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"ABSTRAKPenumbuhan lapisan tipis Barium Strontium Titanat (Ba1-xSrxTiO3) dengan berbagai doping telah berhasil dilakukan di atas substrat Pt/Si menggunakan metode Chemical Solution Deposition yang disiapkan dengan spin coating. Ada tiga tahap penting dalam pembuatan lapisan tipis dengan metode ini yaitu pembuatan Iarutan, proses spin coating, dan proses annealing. Optimalisasi parameter-parameter yang terkait dengan proses pembuatan lapisan tipis telah dilakukan yang meliputi jenis substrat, jumlah lapisan, kecepatan dan waktu putar pada proses spin coating, suhu dan waktu annealing, heating rare.Optimalisasi parameter penumbuhan lapisan tipis Ba1-xSrxTiO3 di atas substrat yang disiapkan dengan spin coater adalah keoepatan putar saat proses spin coating, 3000 rpm selama 30 detik dengan suhu annealing 800°C selama 3 jam dengan heating rare 2°C/menit. Pada variasi berbagai ion dopan yang diberikan pada BST didapatkan lanthanum merupakan ion dopan yang sangat baik untuk meningkatkan sifat ferroelektrik untuk aplikasi memori karena dengan pemberian 1% mol dopan lanthanum bisa menaikkan polarisasi remanen sekitar 37% dan menurunkan medan koersif sekitar 0,8%.

---

ABSTRACTBarium Srontium Titanate thin films (Ba1-xSrxTiO3) with variation ion dopant have been developed on Pt/Si substrates by using Chemical Solution Deposition method followed by spin coating. There are three steps for deposition of thin films: solvent preparation, spin coating process, and annealing process. Optimalisation of the parameters related to the dcpostion of thin films process have been done by varying the substrates, quantity of layers, angular velocity and time of spin coating process, temperature and time of annealing, and the heating rate.The optitmnn parameters of Ba1-xSrxTiO3; thin film deposition on substrate Pt/Si was found at 3000 rpm angular velocity of spin coating process for 30 second at annealing temperature 800°C for 3 hours with heating rate 2°C/menit. On varying the ion dopant given on BST, lanthanum was found to be the best ion dopant to increase ferroelectric properties for memory application, here 1% mol dopant lanthanum can increase remanen polarization approximately 37% and reduce coersif field approximately 0,8%."

"Material multi lapisan Barium Titanat (BaTiO3)/Barium Zirconium Titanat (BaZrTiO3) berhasil ditumbuhkan pada substrat silikon (Si). Lapisan tersebut disintesis dengan metode Chemical Solution Deposition yang diikuti dengan Spin Coating. Dalam sintesis lapisan BTO/BZT tersebut dilakukan variasi siklus heat treatment pada proses penambahan lapisan. Lapisan dikarakterisasi dengan XRD dan SEM guna melihat mikrostruktur serta morfologi yang terbentuk. Parameter sintesis lapisan didapatkan pada lapisan BTO/BZT dengan kecepatan putar 3000 rpm dengan proses pemanasan (1 Siklus). Terjadi peningkatan crystallite size yang sebanding dengan peningkatan kristalinitas pada lapisan dengan proses pemanasan (1Siklus). Crystallite size yang didapatkan kisaran diameter 42-48 nm.

---

A multilayered material Barium Titanate (BaTiO3)/Barium Zirconium Titanate (BaZrTiO3) has been successfully grown on a silicon substrate. The aforementioned layer was synthesized employing the Chemical Solution Deposition method and Spin Coating method. Temperature cycle variation was conducted within the synthesis process of the layer addition process. The layer was characterized using XRD and SEM in order to observe the microstructure and the morphology of the newly added layer. Layer formation of BTO has been optimized at 3000 rpm in one temperature cycle. There was a proportional increase of crystallite size in respect to the increase in the crystalinity of the layer within one temperature cycle. Crystallite size obtained ranges from 42-48nm in diameter."

"

Laboratorium Nano Device Universitas Indonesia telah mengembangkan OLED yang difabrikasi dengan teknik laminasi. Dalam teknik laminasi, lapisan anoda (TC-07S) ditumbuhkan pada permukaan substrat plastik laminasi dan lapisan emisif (PFO) ditumbuhkan pada permukaan katoda (Al). Setelah ditumbuhkan, lapisan anoda dan lapisan emisif direkatkan dan diberikan bahan dielektrik untuk mencegah terjadinya arus singkat. Selanjutnya, divais OLED dilaminasi dengan memberikan tekanan dan suhu tertentu. Pada skripsi ini, dilakukan analisa pengaruh penggunaan bahan dielektrik kapton dan lem laminasi terhadap performa divais OLED. Pengujian lebih lanjut dilakukan dengan variasi pemberian tekanan untuk mengetahui tekanan optimal yang diperlukan dalam proses laminasi divais OLED. Hasil pengujian menunjukkan bahwa OLED dengan bahan dielektrik kapton memiliki tegangan aktif yang lebih rendah dan kemampuan hantar arus yang lebih baik dibandingkan dengan OLED berbahan dielektrik lem laminasi. Berdasarkan hasil dari pengujian lanjut yang dilakukan, didapatkan bahwa divais yang diberi gaya tekanan sebesar 245 N memiliki lifetime yang paling lama dan kemampuan hantar arus yang terbaik.

---

The University of Indonesia Nano Device Laboratory has developed OLEDs that are fabricated with lamination techniques. In the lamination technique, the anode layer (TC-07S) is grown on the surface of the laminated plastic substrate and the emissive layer (PFO) is grown on the cathode surface (Al). Once grown, the anode layer and the emissive layer are glued together and given a dielectric material to prevent a short circuit. Furthermore, the OLED device is laminated by giving a certain pressure and temperature. In this study, an analysis of the use of kapton and lamination glue on the performance of OLED devices was carried out. Further testing is carried out with variations in amount of pressure to determine the optimal pressure required in the process of laminating OLED devices. The test results showed OLED with kapton dielectric material has a lower active voltage and better current conductivity compared to OLED made with laminated dielectric glue. Based on the further results of the tests, a device with a pressure force of 245 N has the longest lifetime and greatest current conductivity.

"

"Proses magmatisme berkaitan dengan jalur tektonik ring of fire, yang menyebabkan proses mineralisasi hidrotermal sehingga membentuk potensi sumber daya mineral di Indonesia. Salah satu endapan hidrotermal yaitu endapan epitermal sulfidasi rendah yang berada di Lapangan “RD”, Cibaliung. Struktur patahan menjadi pengontrol sistem epithermal sulfidasi rendah sebagai tempat terendapkannya mineral emas. Integrasi data geologi dengan geofisika diperlukan dalam menentukan struktur pengontrol dan zona potensi mineralisasi. Mineral bijih sulfida dapat dibedakan dari sifat kemagnetan dan kelistrikan dikarenakan mineral logam memiliki respon suseptibilitas, resistivitas dan chargeabilitas lebih tinggi dibandingkan dengan mineral non-logam. Zona potensi mineralisasi emas sulfidasi rendah berada pada zona struktur yang didominasi alterasi argilik dan kaya akan mineral sulfida pada alterasi argilik ilitik dengan nilai suseptibilitas menengah hingga tinggi kisaran -83.7 nT – 92.3 nT, resistivitas dengan nilai rendah hingga menengah 0 – 25 ohm.m dan chargeabilitas dengan nilai menengah hingga tinggi 15 - >75 msec. Dari ketiga parameter tersebut, diduga zona mineralisasi berada pada zona struktur patahan berorientasi Baratlaut-Tenggara. Struktur pengontrol zona potensi mineralisasi tersebut berada di lintasan 3 yaitu patahan D dip 62° ke arah NE dan patahan E dip 83° ke arah NE. Lintasan 4 yaitu patahan D dip 79° ke arah NE, patahan E dip 77° ke arah NE dan patahan F dip 73° ke arah NE. Lintasan 7 yaitu patahan D dip 80° ke arah SW dan patahan E dip 75° ke arah NE. Lintasan 8 yaitu patahan D dip 84° ke arah NE dan patahan E dip 66° ke arah NE. Lintasan 9 yaitu patahan A dip 70° ke arah SW dan patahan B dip 81° ke arah NE.

---

The magmatism process is related to the Ring of Fire tectonic pathway, which causes a hydrothermal mineralization process to form potential mineral resources in Indonesia. One of the hydrothermal deposits is an epithermal low-sulfidation deposit in the "RD" Field, Cibaliung. The fault structure controls the epithermal low-sulfidation system as a place for gold mineral deposition. Integration of geological data with geophysical data is required in determining the controlling structure and potential mineralization zone. Sulfide ore minerals can be distinguished from their magnetic and electrical properties because metal minerals have a higher susceptibility, resistivity and chargeability response compared to non-metallic minerals. The potential zone of low sulfidation gold mineralization is located in the structure zone which is dominated by argillic alteration and rich in sulphide minerals in Illitic argillic alteration has medium to high susceptibility values ranging from -83.7 nT - 92.3 nT, resistivity with low to medium values 0 - 25 ohm.m and chargeability with medium to high values of 15 -> 75 msec. From those three parameters, it is assumed that the mineralization zone is located in the NW-SE oriented fault structure zone. The controlling structure for the zone of mineralization potential is in line 3 is fault D with dip 62° to the NE and the E fault with dip 83° to the NE. Line 4 is fault D with dip 79° to the NE, fault E with dip 77° to the NE and fault F with dip 73° to the NE. Line 7, is fault D with dip 80 ° to the SW and the E fault dip 75° to the NE. Line 8 is fault D with dip 84° to the NE and fault E with dip 66 ° to the NE. Line 9 is fault A with dip 70° SW and fault B with dip 81° to NE."

"PZT (PbZr1-xTixO3) merupakan bahan berbentuk kristal perovskite yang dapat dimanfaatkan sebagai sensor inframerah. Penambahan sedikit dopan (bahan pendoping) dapat mengubah secara drastis karakteristik spesifik dari bahan keramik-ferroelektrik seperti polarisasi spontan, sifat dielektrik, sifat elektromekanik, elektrooptik dan sifat lainnya. Hard doping dengan menggunakan ion In3+ diaplikasikan pada penelitian ini dan dilakukan penumbuhan lapisan tipis dari bubuk PIZT (PbInxZryTi1-x-yO3-x/2) pada substrat Si(100) dengan metode Chemical Solution Deposition (CSD) dengan konsentrasi 0,5 M dan kecepatan putar spin coating 3000 rpm. Karakteristik bahan PIZT baik bubuk maupun lapisan tipisnya diuji dengan difraksi sinar x. Analisis Rietveld dilakukan dengan menggunakan program GSAS-EXPGUI dan diperoleh parameter kisi dan komposisi fasa dari kristal. Polarisasi spontan (Ps) PIZT bubuk dan lapisan tipisnya mengalami penurunan dibandingkan dengan bahan asalnya (PZT). Polarisasi spontan yang optimum dari lapisan tipis PIZT dicapai pada rentang doping 0,5% - 1% In2O3. Momen quadrupol potensial listrik (�?�Q(r)) bahan PIZT pada suatu titik P (0,0,2a) mencapai kondisi optimum pada % doping 6% In2O3 dan dari hasil penelitian ini juga menunjukkan bentuk lapisan tipis PIZT memiliki nilai (�?�Q(r)) yang lebih baik daripada bentuk bubuknya untuk rentang doping > 1% In2O3.

---

The Calculation Spontaneous Polarization and Quadrupole Moment of Electric Potential PIZT (PbInxZryTi1-x-yO3-x/2). PZT (PbZr1-xTixO3) is a perovskite crystal that can be used for IR sensor. Small amount of dopant can drastically change the specific characteristic of ferroelectric ceramic such as spontaneous polarization, dielectric constant, electromechanical and also electro-optic properties. The addition of In3+ ion (called as hard doping) has been applied in this research. Thin film of PIZT (PbInxZryTi1-x-yO3-x/2) has been deposited on Si(100) substrate with Chemical Solution Deposition (CSD) method. The concentration of solution is 0,5 M and the angular speed applied of spin coating is 3000 rpm. The PIZT sample has been analyzed with x-ray diffraction method. Rietveld analyses using GSAS-EXPGUI software resulted lattice parameter of crystal and phase compositions of PIZT samples. The values of all sample PIZT spontaneous polarization (Ps) have been calculated lower than PZT. The optimally Ps was reached at 0,5% to 1% In2O3 doping. Quadrupole moment of electric potential (�?�Q(r)) at point P (0,0,2a) reached optimum at 6% In2O3 doping and they also showed that PIZT thin film have �?�Q(r) higher value than their bulk form for In2O3 doping >1%."

"Logam titanium merupakan salah satu biomaterial yang banyak digunakan untuk aplikasi implan. Sayangnya, material ini memiliki kemampuan osseointegrasi yang tidak baik. Tujuan penelitian ini adalah melakukan pelapisan permukaan Titanium dengan CaCO₃ untuk meningkatkan kekasaran permukaan. Pelapisan logam Ti menggunakan Kalsium Asetat Ca(C₂H₃OO)₂ dengan variasi konsentrasi 0,5 M dan 1 M, kemudian dilakukan pembakaran pada suhu 500 ^oC. Hasil SEM-EDS menunjukkan terbentuk lapisan yang menyerupai jarum pada permukaan Titanium dengan kandungan Ca yang semakin tinggi seiring konsentrasi Ca(C₂H₃OO)₂  yang meningkat. Analisis XRD mengkonfirmasi bahwa lapisan yang terbentuk adalah CaCO₃. Pada pelapisan CaCO₃ 0,5 M pada Titanium kekasaran permukaan Ra 0,48 dan  konsentrasi 1 M memiliki kekerasan permukaan Ra 1,49. Nilai kekerasan setelah pelapisan dengan CaCO₃ konsentrasi 0,5 Ma adalah  272,44 dan 1 M memiliki kekerasan 172,67. Uji sudut kontak untuk konsentrasi 0,5 M  memiliki sudut sebesar 34,24^o dan untuk konsentrasi 1 M memiliki sudut 0^o. Penelitian ini menunjukkan peningkatan kekasaran permukaan Titanium telah berhasil dilakukan menggunakan metode dekomposisi Ca(C₂H₃OO)₂ menjadi CaCO₃. Permukaan implan yang kasar telah terbukti secara ilmiah dapat meningkatkan sifat osseointegrasi implan dengan jaringan sekitar tulang.

---

Titanium is one of the most widely used biomaterials for implant applications. Unfortunately, this material has poor osseointegration ability. The purpose of this study was to coat the surface of Titanium with CaCO₃ to increase the surface roughness. The coating procedure was done by using Calcium Acetate Ca(C2H3OO2)2 with varying concentrations of 0.5 M and 1 M, then burned at a temperature of 500 ^oC. The SEM-EDS results showed that a needle-like layer was formed on the surface of Titanium with a higher Ca content as the concentration of Ca(C2H3OO2)2 increased. XRD analysis confirmed that the layer formed was CaCO₃. In the CaCO₃ coating with a concentration of 0.5 M, Titanium has a surface roughness of Ra 0.48 and a concentration of 1 M has a surface hardness of Ra 1.49. The hardness value after coating with 0.5 Ma concentration of CaCO₃ is 272.44 and 1 M has a hardness of 172.67. The contact angle test for a concentration of 0.5 M has an angle of 34.24^o and for a concentration of 1 M it has an angle of 0^o. This study shows that the increase in surface roughness of Titanium has been successfully carried out using the decomposition method of Ca(C₂H₃OO)₂ to CaCO₃. A rough implant surface has been scientifically proven to improve the osseointegration property of the implant with the surrounding bone tissue."

"Permintaan terhadap material hidrofobik dan superhidrofobik diprediksi akan meningkat 187.61% pada tahun 2024 dari tahun 2015. Material umum yang dapat digunakan sebagai bahan baku material superhidrofobik adalah carbon nanotubes, graphene, dan silica. Dari ketiga bahan baku tersebut silika merupakan bahan baku yang murah dan mudah didapatkan. Silika didapatkan dengan cara menambang pasir dari pantai atau sungai. Pertumbuhan pembangunan infrastruktur berdampak besar terhadap permintaan pasir. Penambangan pasir memiliki dampak buruk seperti pendangkalan sungai, abrasi air laut, dan lain-lain. Untuk mengurangi dampak dari pertambangan pasir maka diperlukan pencarian sumber silika dari tempat lain yang lebih ramah lingkungan. Salah satu sumber silika yang melimpah adalah terak feronikel. Terak feronikel adalah residu sisa dari proses ekstraksi nikel. Terak feronikel mengandung 45.7% SiO2. Penelitian ini menjelaskan proses sintesis silika hidrofobik dari terak feronikel untuk diaplikasikan sebagai campuran untuk pelapisan bitumen. Metode yang digunakan adalah fusi alkali, pelindian air, presipitasi silika, pelindian dengan asam stearat dan media etanol, dan pencampuran silika dengan bitumen. Dalam penelitian ini, hasil sintesis partikel silika hidrofobik memiliki sudut kontak air sebesar 107.558º dengan ukuran partikel silika hidrofobik di antara 2.5 – 27.77 µm dan rata-rata ukuran partikel 9.43 µm.

---

Hydrophobic and Superhydrophobic material demand growth forecasted will increase 187.61% in 2024. Carbon nanotubes, graphene, and silica are the most common raw material for superhydrophobic material use. Silica is the cheapest and easiest to obtain compared to CNT and graphene. Silica were obtained through sand mining from beaches or rivers. Increase growth in infrastructure construction lead to increase in sand mining operation. Sand mining operation caused negative impact to the environment such as river shallowing, sea water abrasion, etc. Therefore, we need to find other sources of silica that does not cause harm to the environment. Ferronickel slag is one of the other sources that contain substantial amount of silica. Ferronickel slag contain 45.7% SiO2. This research will explain synthesis process of hydrophobic silica from ferronickel slag as additive for bitumen coating. This research consist of 5 process, such as alkaline fusion, water leaching, silica precipitation, stearic acid and ethanol leaching, and mixing of hydrophobic silica and bitumen. In this research, hydrophobic silica particle reach 107.558º contact angle with particle diameter range from 2.5 – 27.77 µm and average particle size 9.43 µm."

"Data total penampang lintang terbaru SAPHIR p(γ, K +)A menunjukkan struktur resonan pada energi total pusat massa sekitar 1900 MeV. Kami menyelidiki keadaan ini dengan menggunakan model isobarik, dan mencoba membandingkan 3 jenis formalisme propagator spin 3/2, yaitu formalisme propagator Adelseck, Behrends-Pronsdal dan Pascalutsa. Kami menemukan bahwa struktur ini dapat dijelaskan dengan memasukkan resonan baru D13 pada 1895 MeV. Selain itu ternyata formalisme propagator spin 3/2 Pascalutsa memberikan hasil yang terbaik dibandingkan dengan formalisme yang lain.

---

New SAPHIR p(γ, K+)A total cross section data show a resonance structure at a total c.m. energy around 1900 MeV. We investigate this feature with an isobar model, and try to compare 3 models of spin 3/2 propagator of Adelseck, Behrends-Fronsdal, and Pascalutsa. We find that the structure can be well explained by including a new D13 resonance at 1895 MeV. We also find that the spin 3/2 propagator of Pascalutsa shows the best result."

"Suatu formalisme yang didasari oleh pendekatan isobarik dengan menggunakan teknik diagram Feynman, termasuk nukleonik (spin 6 5/2), hyperionik (spin 1/2), dan resonansi kaonik telah dibangun. Dengan menggunakan formalisme ini perhitungan spin 5/2 pada elektroproduksi kaon eN - eKY telah dilakukan.

---

A formalism, based on an isobaric approach using Feynman digrammatic technique, which includes the nucleonic (spin 6 5/2), hyperonic (spin 1/2), and koanic resonances, is developed. Using this formalism, a calculation of spin 5/2 resonance for kaon electroproduction eN - eKY has been performed."