Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Sampai saat ini riset untuk aplikasi single photon timing dan single photon counting masih terus dilakukan. Dalam perkembangan riset di bidang single photon detector dan single photon generation juga terus dilakukan, salah satu single photon detector berbahan silikon yang paling pesat perkembangannya adalah Single Photon Avalanche Diode (SPAD). Riset terakhir mengenai SPAD dengan luas aktif area sebesar 120 nm menghasilkan timing response detektor sebesar 144 ps. Untuk menghasilkan rancangan struktur SPAD berbahan silikon dengan timing response dibawah 144 ps, maka pada tesis ini akan dirancang dan disimulasikan SPAD berskala nano untuk memperkecil aktif area. Landasan perancangan adalah hetrostructure silicon nanowire berdiameter 20 nm dengan struktur p-i-n sehingga diharapkan pada daerah deplesi akan terjadi peningkatan carrier generation. Dengan demikian proses distribusi avalanche oleh carrier generation setelah pemicuan foton tunggal semakin cepat sehingga timing response akan semakin cepat. Perhitungan timing response dipengaruhi oleh empat parameter, yaitu probabilitas foton yang diserap pada daerah netral (??Pn), waktu respon yang dibutuhkan elektron pada daerah deplesi untuk berdistribusi ke daerah sensitif detektor (??Paval(t)), Fungsi ?? dan waktu difusi terbatas untuk carrier photogenerated di daerah netral (Pdiff(t)). Dari analisa hasil simulasi perancangan terbukti bahwa dengan memperkecil luas daerah aktif SPAD dan membuat struktur p-i-n akan memperlebar daerah deplesi akan mempercepat timing response divais menjadi 30 ps sesuai dengan simulasi menggunakan MATLAB.

---

Nowadays researches for single photon timing and single photon counting application still continuosly done. Concerning the research development in field of single photon detector and single photon generation is constantly also made, one of silicon single photon detector the most rapid development is Single Photon Avalanche Diode (SPAD). Recent research on the SPAD with an active area of 120 nm produces timing detector response of 144 ps. To produce silicone SPAD structure design with the response below 144 ps timing, so in this thesis will be designed and simulated nanoscale-based SPAD in order to reduce the active area. The foundation design is hetrostructure silicon nanowire 20 nm in diameter with p-i-n structure which is expected in the depletion region will increase the carrier generation. Thus the process of distribution by the carrier avalanche generation after a single photon triggers the faster so that timing will be more rapid response. Calculation of response timing is influenced by four parameters, the probability of a photon is absorbed in the neutral region (??Pn), response time it takes electrons in the depletion region for distribution to the detector sensitive area (??Paval(t)), function ?? and diffusion time is limited to carriers photogenerated in the neutral region (Pdiff(t)). From the analysis of the design of the simulation?s result, proved that by minimizing the SPAD active area and create a pin structure will widen the depletion region will accelerate the timing of the response device to be 30 ps according to the simulation using MATLAB."

"ABSTRAKSampai saat ini riset untuk aplikasi single photon timing dan single photon counting masih terus dilakukan. Dalam perkembangan riset di bidang single photon detector dan single photon generation juga terus dilakukan, salah satu single photon detector berbahan silikon yang paling pesat perkembangannya adalah Single Photon Avalanche Diode (SPAD). Riset terakhir mengenai SPAD dengan luas aktif area sebesar 120 nm menghasilkan timing response detektor sebesar 144 ps. Untuk menghasilkan rancangan struktur SPAD berbahan silikon dengan timing response dibawah 144 ps, maka pada tesis ini akan dirancang dandisimulasikan SPAD berskala nano untuk memperkecil aktif area.Landasan perancangan adalah hetrostructure silicon nanowire berdiameter 20 nm dengan struktur p-i-n sehingga diharapkan pada daerah deplesi akan terjadi peningkatan carrier generation. Dengan demikian proses distribusi avalanche oleh carrier generation setelah pemicuan foton tunggal semakin cepat sehingga timing response akan semakin cepat. Perhitungan timing response dipengaruhi oleh empat parameter, yaitu probabilitas foton yang diserap pada daerah netral(
), waktu respon yang dibutuhkan elektron pada daerah deplesi untukberdistribusi ke daerah sensitif detektor (
), Fungsi dan waktu difusiterbatas untuk carrier photogenerated di daerah netral (
). Dari analisa hasil simulasi perancangan terbukti bahwa dengan memperkecilluas daerah aktif SPAD dan membuat struktur p-i-n akan memperlebar daerah deplesi akan mempercepat timing response divais menjadi 30 ps sesuai dengan simulasi menggunakan MATLAB.

---

ABSTRACTNowadays researches for single photon timing and single photon counting application still continuosly done. Concerning the research development in field of single photon detector and single photon generation is constantly also made, one of silicon single photon detector the most rapid development is Single Photon Avalanche Diode (SPAD). Recent research on the SPAD with an active area of 120 nm produces timing detector response of 144 ps. To produce silicone SPAD structure design with the response below 144 ps timing, so in this thesis will bedesigned and simulated nanoscale-based SPAD in order to reduce the active area.The foundation design is hetrostructure silicon nanowire 20 nm in diameter with p-i-n structure which is expected in the depletion region will increase the carrier generation. Thus the process of distribution by the carrier avalanche generation after a single photon triggers the faster so that timing will be more rapid response. Calculation of response timing is influenced by four parameters, the probability of a photon is absorbed in the neutral region (
), response time it takes electrons in the depletion region for distribution to the detector sensitive area (
), function
and diffusion time is limited to carriers photogenerated in the neutral region (
). From the analysis of the design of the simulation?s result, proved that by minimizing the SPAD active area and create a pin structure will widen the depletion region will accelerate the timing of the response device to be 30 ps according to the simulation using MATLAB.;Nowadays researches for single photon timing and single photon counting application still continuosly done. Concerning the research development in field of single photon detector and single photon generation is constantly also made, one of silicon single photon detector the most rapid development is Single Photon Avalanche Diode (SPAD). Recent research on the SPAD with an active area of 120 nm produces timing detector response of 144 ps. To produce silicone SPAD structure design with the response below 144 ps timing, so in this thesis will bedesigned and simulated nanoscale-based SPAD in order to reduce the active area.The foundation design is hetrostructure silicon nanowire 20 nm in diameter with p-i-n structure which is expected in the depletion region will increase the carrier generation. Thus the process of distribution by the carrier avalanche generation after a single photon triggers the faster so that timing will be more rapid response. Calculation of response timing is influenced by four parameters, the probability of a photon is absorbed in the neutral region (
), response time it takes electrons in the depletion region for distribution to the detector sensitive area (
), function
and diffusion time is limited to carriers photogenerated in the neutral region (
). From the analysis of the design of the simulation?s result, proved that by minimizing the SPAD active area and create a pin structure will widen the depletion region will accelerate the timing of the response device to be 30 ps according to the simulation using MATLAB."

"Avalanche Photodiode (APD) merupakan divais semikonduktor yang sangat sensitif untuk mengubah cahaya menjadi arus atau tegangan berdasarkan fenomena avalanche, yakni suatu fenomena yang terjadi pada material semikonduktor ketika carriers pada region transisi dipercepat oleh medan listrik untuk memperoleh energi yang cukup untuk membentuk pasangan elektron-hole bebas melalui benturan - benturan dengan elektron-elektron yang terikat. Pada tesis ini dilakukan perancangan dan simulasi APD untuk mendeteksi cahaya visible dengan memperhitungkan efek dead space berdasarkan penelitian Pauchard dan kawan-kawan. Rancangan divais APD dengan bahan silikon terdiri dari lima layer yakni, yakni layer p1+ dengan konsentrasi 1020 /cm3, layer dengan konsentrasi 1011 /cm3, layer p2+ dengan konsentrasi 1019 /cm3, layer n dengan konsentrasi 1017 /cm3 dan layer n+ dengan konsentrasi 1020 /cm3. Adapun panjang geometri masing-masing layer berturut-turut setara dengan light penetration depth minimum, selisih antara light penetration depth maksimum dengan light penetration depth minimum, 100 nm, panjang multiplication region (MR = 370 nm, 470 nm atau 570 nm), dan 200 nm. Simulasi APD dilakukan dengan komputasi numerik dengan perangkat lunak Matlab versi 7.11.0.584. untuk menentukan dead space, struktur divais, koefisien ionisasi dan total mean gain. Efek dead space pada rancangan APD dengan panjang MR sebesar 370 nm; 470 nm dan 570 nm menghasilkan nilai maksimum total mean gain berturut-turut sebesar 9,72; 25,82 dan 50,19. Rancangan-rancangan ini memiliki nilai maksimum elektron dead space sebesar 112,7 nm dan nilai maksimum hole dead space sebesar 152,4 nm sehingga disimpulkan bahwa perancangan APD untuk mendeteksi cahaya visible memerlukan MR dengan panjang minimum 152,4 nm.

---

An avalanche photodiode (APD) is a highly sensitive semiconductor device to convert light to electricity through avalanche multiplication phenomena, a phenomena that can occur in semiconductor materials when the carriers in the transition region are accelerated by the electric field to energies sufficient to free electron-hole pairs via collisions with electron bond.

This thesis carried out the design and simulation of APD to detect visible light by calculating the effect of dead space based on research Pauchard et al. The design of APD device using silicon material composed of five layers namely, layer p1+ with a concentration of 1020/cm3, layer with a concentration of 1011/cm3, layer p2+ with a concentration of 1019/cm3, layer n with a concentration of 1017/cm3 and layer n+ with a concentration of 1020/cm3. The geometry length of the layers are equal to minimum light penetration depth, difference between maximum light penetration depth and minimum light penetration depth, 100 nm, length of multiplication region (MR = 370 nm, 470 nm or 570 nm), and 200 nm respectively.

APD simulation performed with numerical computing using Matlab software version 7.11.0.584 to determine dead space, device structure, ionization coefficient and total mean gain. The dead space effect on APD designs with MR of 370 nm MR; 470 nm and 570 nm produce maximum value of total mean gain of 9.72; 25.82 and 50.19. respectively. These designs have a maximum value of electron dead space of 112.7 nm and a maximum value of hole dead space of 152.4 nm so it concluded that the design of an APD to detect visible light requires MR with minimum length of 152.4 nm."

"Dalam komunikasi modern, masalah keamanan komunikasi adalah masalah yang sangat penting. Fisika kuantum menawarkan solusi untuk keamanan komunikasi ini, yailu kriptogfafi kuantum. Untuk merealisasikan kriptograti diperlukan single kuantum state seperti single phoron. Pada penelitian ini dilakukan studi mengenai kuantum kriptografi, laser semikonduktor dan kuantum dot. Kemudian dirancang sebuah single photon device yang terdiri dari sumber laser dan kuantum dot. Pemodelan dilakukan uutuk penyederhanaan penghitungan posisi kuantum dot dan simulasi efek perubahan suhu pada rancangan tersebut, kemudian dianalisis. Alat bantu yang digunakan untuk melakukan simulasi adalah Matlab 6.1. Analisis hasil simulasi memperlihatkan bahwa kuantum dot sebaiknya diletakkan antara sudut 1.144 sampai 1,274 radian."

"Pada tesis ini membahas Perancangan dan Analisa Efek Avalanche pada p-n junction. Efek Avalanche hanya dapat dilakukan pada keadaan reverse bias dan konsentrasi p-n juntion doping tinggi, sedangkan untuk mendapatkan lebar depletion layer yang lebih besar, diperlukan penambahan sebuah lapisan diantara p-n junction, yang gunanya untuk mendapatkan efek Penggandaan.Akhirnya analisa dari proses Avalanche ini menghasilkan suatu kesimpulan bahwa Arus maksimum pada doping konsentrasi sekitar 1x1016 cm -3 adalah sekitar 4,7 Amper dengan Daya maksimum 290,5 Watt.

---

This thesis would be designed and analyzed about p-n junction with focus the Effect Avalanche. The Effect Avalanche only able to do in the reverse bias and high doping concentration. While for to get the wider depletion layer, needed to increase carrier multiplication effect.

Finally analysis of Avalanche process has obtain result that the maximum current on doping concentration 1x1016 cm -3 is about 4,7 Ampere with maximum power 290.5 Watts."

"ABSTRAK Single Electron Transistor (SET) merupakan sebuah transistor yang memanfaatkan pergerakan satu buah elektron. Salah satu aplikasi dari single elektron transistor adalah single electron memory. Pada skripsi ini, dilakukan desain memori berbasis floating dot dan difokuskan pada analisa pergerakan elektron dalam divais SEM dengan mengatur kapasitansi pada tunnel junction antara quantum dot dan floating dot. Dengan adanya elektron pada quantum dot akan mengubah level energi dari floating dot. Fenomena hysterisis diperoleh pada rentang kapasitansi antar dot C12 = 9.999 x 10-17 – 1 x 10-19 F. Efek kapasitansi antar dot juga dapat menyebabkan terjadinya fenomena elektron berpindah antar dot dengan cepat pada rentang kapasitansi antar dotnya C12 = 10-18 - 10-16 F.

---

ABSTRACT Single Electron Transistor (SET) is a very sensitive device which has capability to detect single electron. One of SET’s application is a single electron memory (SEM). We design SEM based on floating dot and we analyze the impact of capacitance variation of tunnel junction between quantum dot and floating dot about the electron transfer in SEM device. The presence of electron in quantum dot will affect energy level of floating dot. The hysterisis phenomena which is one of SEM’s phenomena is obtained in the range capacitance C12 = 9.999 x 10-17 – 1 x 10-19 F. The effect of capacitance between quantum dot and floating dot occured at C12 = 10-18 - 10-16 F."

"Produksi kendaraan pada industri otomotif Indonesia dalam delapan tahun terakhir cenderung mengalami peningkatan. Hal ini mendorong seluruh industri otomotif untuk meningkatkan performa sistem manufakturnya agar dapat bersaing dengan kompetitor lain. PT Ganding Toolsindo merupakan perusahaan otomotif yang berperan sebagai pemasok sub assembly part pada tingkat tier 2. Sebagai perusahaan dengan tipe tata letak mesin process layout, penyesuaian tata letak mesin dengan keluarga produk yang ada menjadi penting. Tata letak mesin pada kondisi saat ini yang belum disesuaikan dengan keluarga produk menimbulkan pemborosan transportasi material handling dan aliran material yang tidak efisien sehingga berefek pada meningkatnya lead time mayoritas produk dan mengakibatkan keterlambatan pengiriman atau tidak terpenuhinya target produksi. Penelitian ini dirancang untuk melakukan perancangan lean production system berbasis konsep cell manufacturing menggunakan Modified Single Linkage Clustering dengan parameter performa yang terdiri atas jarak dan durasi material handling, lead time, serta total waktu produksi. Hasil penelitian menunjukkan bahwa total jarak dan durasi materal handling berkurang sebanyak 60 , rata-rata lead time seluruh jenis produk berkurang sebesar 55 , dan total waktu produksi berkurang sebanyak 4.

---

Vehicle production in Indonesian automotive industry tend to increase in the last 8 years. This encourages the entire automotive industry to improve the performance of its manufacturing systems in order to compete with existing competitors. PT Ganding Toolsindo is an automotive company at second tier level that supply sub assembly part.

As a company that using process layout type, adjustment of machine layout with the existing product family becomes important. Existing machine layout in this company that has not been adjusted with the product family cause waste of material handling transportation and inefficient material flow resulting in increased lead time in the majority of products and resulting in delays in delivery or unfulfilled production targets.

This research is designed to do the design of lean production system based on cell manufacturing concept using Modified Single Linkage Clustering by using performance parameter consisting of distance and duration of material handling, lead time, and total time of production. Result of the research showed that total distance and duration of material handling decrease in the amount of 60 , lead time average of all product decrease in amount of 55 , and total time of production decrease in amount of 4 compared to the initial machine layout."

"Kereta Rel Listrik pada umumnya menggunakan motor listrik DC sebagai penggerak utama. Untuk mendapatkan energi listrik DC maka PT. KAI harusmengkonversi energi listrik AC menjadi energi listrik DC. Dalam proses konversiini terdapat kerja perangkat penyearah yang menggunakan prinsip switching yangsangat cepat, dan inilah yang menyebabkan terjadinya distorsi harmonik utamapada Kereta Rel Listrik. Dalam hasil pengukuran yang dilakukan pada stasiun KRLManggarai selama enam hari, didapatkan THD-v maksimum sebesar 1.23 padahari Sabtu di fasa R. Angka ini masih dalam toleransi distorsi harmonik teganganyang dikeluarkan IEEE STANDARD 519-1992. Di lain hal nilai THD-i melewatiangka toleransi di setiap hari, dimana THD-i maksimum terjadi pada hari Minggupada fasa T. Nilai THD-i secara mengejutkan berada di kisaran 400 sampaidengan 900 lebih terjadi di hari Jumat, Sabtu, dan Minggu. Perancangan filterharmonik jenis single tuned menggunakan perangkat lunak ETAP 12.6.0menunjukan bahwa filter pada hari senin di fasa R memiliki performa menurunkandistorsi harmonik arus sampai rata ndash; rata sebesar 3 khusus hari Rabu, Kamis, danSenin. Tetapi filter ini masih belum bisa menurunkan THD-i pada hari jumat, sabtu,dan minggu sampai pada batas toleransi. Kata Kunci : Kereta Rel Listrik, Harmonik, Filter Harmonik single tuned.

---

The electric train railway generally using DC electric motor as a prime mover. Soto have a DC source, PT. KAI should converts AC source to DC source. In thisprocess, the work of rectifier devices which using principle of rapid switching thentrigger the harmonic distortion. Measurement location is at Manggarai Station insix days straight. The measurement result shows that maximum THD v is 1.23 falls on Saturday in Phase R. This number of THD v still in IEEE STANDARD519 1992 tolerance value. In other hand, the THD i has gone crossing the tolerancevalue on all day, which the maximum THD i falls on Sunday in Phase T.Shockingly enough, THD i is in range of 400 to over 900 falls on Friday,Saturday, and Sunday. Single tuned harmonic filter design using ETAP 12.6.0software shows that the filter on Monday in phase R has the performance ofreducing the current harmonic distortion at average of 3 only on Wednesday,Thursday, and Monday. But this filter still cannot reduce THD i on Friday,Saturday, and Monday to the IEEE STANDARD 519 1992 tolerance Keyword Electric Train Railway, Harmonic, Single Tuned Harmonic Filter."