Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Indeks bias (n) dan koefi sien absorpsi optis (α) lapisan tipis amorf silikon karbon terhidrogenasi (a-SiC:H) telah diteliti dari hasil pengukuran refl eksi dan transmisi. Lapisan tipis a-SiC:H dihasilkan dengan metode deposisi dc sputtering menggunakan target silikon dalam campuran gas argon dan metan. Indeks bias (n) berkurang dengan peningkatan fl ow rate gas metan. Koefi sien absorpsi optis (α) bergeser ke energi yang lebih tinggi dengan bertambahnya fl ow rate gas metan. Lapisan tipis cenderung makin tidak teratur dan memiliki gap optis yang lebih lebar pada fl ow rate gas metan tinggi. Relasi komposisi terhadap sifat?sifat optik lapisan tipis akan didiskusikan demikianpula terhadap ketidakteraturan jaringan amorf.

---

Methane Flow Rate Effects On The Optical Properties of Amorphous Silicon Carbon (a-SiC:H) Films Deposited By DC Sputtering Methods. We have investigated the refractive index (n) and the optical absorption coeffi cient (α) from refl ection and transmission measurements on hydrogenated amorphous silicon carbon (a-SiC:H) fi lms. The a-SiC:H fi lms were prepared by dc sputtering method using silicon target in argon and methane gas mixtures. The refractive index (n) decreases as the methane fl ow rate increase. The optical absorption coeffi cient (α) shifts to higher energy with increasing methane fl ow rate. At higher methane fl ow rate, the fi lms tend to be more disorder and have wider optical gap. The relation of the optical properties and the disorder amorphous network with the compositional properties will be discussed."

"Silicon Carbide (SiC), juga dikenal sebagai carborundum merupakan komposisi kimia dari silikon dan karbon dengan formulasi kimianya adalah SiC. Terdapat di alam pada mineral langka mossanite. Butiran dari silikon karbida dapat mengikat dengan baik mengunakan metode sintering untuk menghasilkan keramik yang sangat keras, yang digunakan secara luas untuk penggunaan yang memerlukan tingkat ketahanan yang tinggi. Dalam penelitian tugas akhir ini, paduan SnPbSiC dibuat dengan menggunakan metode peleburan yang dilakukan pada udara terbuka. Variasi sampel paduan yang dibuat dengan persen berat SiC sebesar 4.26%, 7.41% dan 10.40%.Dari hasil karakterisasi XRD menunjukkan pengaruh penambahan SiC terhadap parameter kisi dan crystallite size dari SnPb. Karakterisasi termal dari semua variasi paduan SnPbSiC yang didapatkan menggunakan DSC menunjukkan penurunan dan kenaikan titik lebur paduan SnPb akibat penambahan SiC. SiC dengan Persen berat 10.40% membuat titik leleh menjadi turun dan untuk SiC dengan persen berat 4.26% dan 7.41% membuat titik leleh naik. Pengaruh penambahan SiC juga terlihat pada sifat kekerasan dari semua variasi paduan SnPbSiC dengan menggunakan vickers hardness test yaitu kekerasan paduan meningkat seiring SiC yang bertambah pada paduan SnPb.

---

Silicon Carbide (SiC), also known as carborundum is chemical composition of silicon and carbon with the chemical formulation is SiC. There is a rare mineral in nature on mossanite. Grains of silicon carbide can bind well to the sintering method, produces a very hard ceramic, which is widely used for the use of which requires a high level of resilience. In this thesis, SnPbSiC alloys made using fusion methods are conducted in open air. Variation of alloy samples made with SiC weight percent for 4.26%, 7:41% and 10:40%.From XRD characterization results showed the effect of adding SiC to The lattice parameters and crystallite size of SnPb. Thermal Characterization of all variations SnPbSiC alloys obtained using the DSC showed decrease and increase the melting point of SnPb alloys due to the addition of SiC. SiC Percent of 10.40% by weight makes the melting point to decrease and for Weight percent SiC with 4.26% and 7.41% resulted in increased melting point . Ussing Vickers Hardness test, Effect of addition of SiC also looks at the properties of hardness of all SnPbSiC alloy variation increases the hardness of SiC increases in SnPb alloys."

"Defek dangling bond dari lapisan tipis amorf silikon karbon (a-SiC:H) hasil deposisi metode dc sputtering telah dipelajari dengan spektroskopi ESR (electron spin resonance). Densitas spin berkurang tidak terlalu besar dengan peningkatan fl ow rate gas metan. Pengaruh kehadiran karbon dan hidrogen terhadap harga-g menunjukkan bahwa sampai fl ow rate gas metan 8 sccm, sinyal ESR didominasi oleh karakteristik defek a-Si:H, sedangkan untuk fl ow rate gas metan lebih besar dari 8 sccm, harga-g berkurang mendekati harga-g dari a-C:H. Hasil analisis inframerah menunjukkan semakin banyak karbon dan hidrogen yang membentuk ikatan Si-H, Si-C dan C-H dengan bertambahnya fl ow rate gas metan. Relasi hasil yang diperoleh dari inframerah dengan densitas defek dan harga-g akan dipelajari.

---

The dangling bond defect density in sputtered amorphous silicon carbon alloys have been studied by electron spin resonance (ESR). The results show that the spin density decreased slightly with increasing methane fl ow rate (CH4). The infl uence of carbon and hydrogen incorporation on g-value revealed that for CH4 fl ow rate up to 8 sccm, the ESR signal is dominated by defects characteristic of a-Si:H fi lms and for CH4 fl ow rate higher than 8 sccm the g-value decreased towards those usually found in a-C:H fi lms. Infrared (IR) results suggest that as CH4 fl ow rate increases more carbon and hydrogen is incorporated into the fi lms to form Si-H, Si-C and C-H bonds. A direct relation between the IR results and the defect density and g-value is observed."

"ABSTRAKUntuk mengurangi cacat pada kristal tunggal silicon dengan orientasi (100) yang telah ditumbuhkan dengan Metode Czochralski, telah dilakukan penganilan terhadap wafer-wafer kristal dengan variasi temperatur 1000, 1100 dan 1200 °C, serta waktu anil 6, 12 dan 24 jam. Metode yang digunakan dalam pengamatan cacat kristai adalah Metode Permukaan (etch pits) dengan luas efektif setiap titik pengamatan sebesar 0,11 mm2. Hasil pengamalan memperlihatkan terjadinya fluktuasi kuantitas cacat kristal dari ujung seed sampai ujung ingot: sampel tanpa proses anil mempunyai cacat yang berfluktuasi antara 4758 sampai 11495/cm2, sedangkan sampel yang dianil mempunyai cacat antara 1541 sampai 5388/cm2.

---

ABSTRACT

In reducing the crystal defects at single crystal silicon with the orientation (100) which has been grown using Czochralski Method, the annealing process of crystal wafers have been done with temperature variation of 1000, 1100 and 1200 °C and also annealing time 6, 12 and 24 hours. Etch pits method has been used to obtain the crystal defects using an effective observation area of 0.11 mm2. The result shows that the defects fluctuation occur accross the length of the sample, from the seed-end toward the bottom-end, also the samples that were not annealed having the variation of crystal defects between 4758 to 114951cm2, while the samples that were annealed showing the defects variation between 1541 to 5388/cm2."

"Penelitian ini bertujuan untuk mengkaji efisiensi ekstraksi silika dari abu terbang (fly ash) PLTU menggunakan metode Sequential Acid-Alkaline Leaching (SAAL). Metode ini terdiri dari tiga tahapan utama: pelindian asam dengan HCl, pelindian basa dengan NaOH, dan presipitasi menggunakan H2SO4. Fly ash yang digunakan berasal dari limbah PLTU dengan kandungan silika yang tinggi. Fokus penelitian ini adalah pengaruh variasi konsentrasi NaOH dan H2SO4 terhadap recovery silika.Pada tahap pertama, pelindian asam menggunakan HCl dilakukan untuk menghilangkan pengotor seperti Fe, Ca, dan Al. Residu yang diperoleh kemudian dilindi dengan NaOH pada konsentrasi yang bervariasi untuk mengekstraksi silika sebagai natrium silikat. Filtrat yang mengandung natrium silikat selanjutnya dipresipitasi menggunakan H2SO4 untuk menghasilkan endapan silika. Hasil penelitian menunjukkan bahwa variasi konsentrasi NaOH dan H2SO4 memberikan pengaruh signifikan terhadap efisiensi ekstraksi silika. Konsentrasi NaOH yang lebih tinggi meningkatkan jumlah silika yang terlarut dalam larutan natrium silikat, sementara konsentrasi H2SO4 yang optimal diperlukan untuk menghasilkan presipitasi silika yang maksimal. Dengan metode ini, silika dengan kemurnian tinggi dapat diekstraksi dari fly ash, menunjukkan potensi pemanfaatan fly ash sebagai sumber silika yang bernilai tinggi.

---

This study aims to evaluate the efficiency of silica extraction from coal fly ash using the Sequential Acid-Alkaline Leaching (SAAL) method. This method comprises three main stages: acid leaching with HCl, alkaline leaching with NaOH, and precipitation using H2SO4. The fly ash used in this study originates from a power plant waste with high silica content. The focus of this research is on the effect of varying concentrations of NaOH and H2SO4on silica recovery.

In the first stage, acid leaching with HCl is performed to remove impurities such as Fe, Ca, and Al. The resulting residue is then leached with NaOH at varying concentrations to extract silica as sodium silicate. The filtrate containing sodium silicate is subsequently precipitated using H2SO4 to produce silica precipitate. The results show that variations in NaOH and H2SO4 concentrations significantly affect the efficiency of silica extraction. Higher concentrations of NaOH increase the amount of silica dissolved in the sodium silicate solution, while an optimal concentration of H2SO4 is required to maximize silica precipitation. Using this method, high-purity silica can be extracted from fly ash, demonstrating the potential of fly ash as a valuable source of silica."

"Riset ini difokuskan pada karakteristik linier arus-tegangan dioda P-I-N silikon skala nano doping tinggi dalam rentang temperatur dari 50K hingga 250 K serta karakteristik arus-tegangan dan konduktansi dioda P-N Silikon skala nano doping tinggi pada temperatur 5,5K. Untuk itu dioda P-N dan P-I-N dengan konsentrasi doping tinggi difabrikasi pada wafer ultra tipis berstruktur silicon-oninsulator (SOI). Dari hasil fabrikasi telah diperoleh konsentrasi doping tinggi Boron dan Phosphorus pada divais dioda mencapai 1×1020 cm-3 and 2×1020 cm-3, berturut-turut. Pengukuran karakteristik arus-tegangan dioda P-I-N silikon skala nano doping tinggi dilakukan pada beberapa divais dengan lapisan intrinsik sepanjang 200 nm dan 700 nm. Linieritas arus pada rentang forward bias dari 1,5 V hingga 2,0 V dan rentang temperatur dari 50 K hingga 250 K menunjukkan divais ini sesuai untuk sensor temperatur rendah. Pada pengukuran juga diperoleh data bahwa dioda P-I-N silikon skala nano doping tinggi menghasilkan arus yang lebih tinggi saat temperatur diturunkan dalam rentang forward bias dari 1,5 V hingga 2,0 V. Selain itu juga diperoleh data bahwa divais skala nano dengan lapisan intrinsik yang lebih panjang dan lebih lebar akan menghasilkan arus yang lebih tinggi pada rentang forward bias dari 1,5 V hingga 2,0 V dan temperatur dari 50K hingga 250K. Hasil pengukuran pada dioda P-N silikon skala nano doping tinggi pada rentang forward bias hingga 0,1 Volt maupun rentang reverse bias hingga -0,1 Volt menghasilkan beberapa puncak konduktansi yang menunjukkan kesesuaian nilai dengan level energi density of state dua dimensi (2D DOS) dan level energi kombinasi phonon pada temperatur 5,5K. Pada forward bias, level energi diskret heavy hole, light hole, serta kombinasi phonon TA, LA, TO dan LO berkontribusi signifikan pada puncak konduktansi dalam rentang tegangan hingga 0,1 Volt. Demikian juga halnya pada reverse bias, level energi diskret elektron 2-fold valley, 4-fold valley, serta kombinasi phonon TA, LA, TO dan LO berkontribusi signifikan pada puncak konduktansi dalam rentang tegangan hingga -0,1 Volt. Transport elektron pada dioda P-N Silikon dalam skala nano doping tinggi akan mengalami puncak konduktansi saat elektron memiliki energi yang sama dengan level diskret energi 2D DOS. Hal ini membuktikan adanya phonon-assisted tunneling pada dioda P-N silikon skala nano doping tinggi.

---

This report is focused on linier current-voltage (I?V) characteristic of highly-doped nanoscale Silicon P-I-N diodes at temperature from 50K to 250K and also I-V and conductance characteristics of highly-doped nanoscale Silicon P-N diode at temperature 5.5K. For that purpose, we fabricated nano scale P-I-N and P-N diodes within ultra thin silicon-on-insulator (SOI) structures. From fabrication, we achieved high doping concentrations of Boron and Phosphorus in SOI diodes, 1×1020 cm-3 and 2×1020 cm-3, respectively.

Measurement of current-voltage characteristics of highly-doped nanoscale silicon PIN diode is performed on devices with intrinsic layer length of 200 nm and 700 nm. The current linearity under forward bias range from 1.5 V to 2.0 V and temperature range from 50K to 250K shows that these devices are suitable for lowtemperature sensor. The measurement data shows also that highly-doped nanoscale silicon PIN diode produces higher current when the temperature is lowered under forward bias from 1.5 V to 2.0 V. In addition, the data shows that nanoscale devices with longer and wider intrinsic layer would generate higher current under forward bias range from 1.5 V to 2.0 V and temperature from 50K to 250K.

Measurement of highly-doped nanoscale silicon P-N diode under forward bias to 0.1 Volt and also reverse bias to -0.1 Volt results conductance peaks that show relationship with two-dimensional density of state (2D DOS) and phonon combination energy level at temperature 5.5K. Under forward bias, discrete energy level of heavy hole, light hole and phonon combination of TA, LA, TO and LO have significant contribution to conductance peaks in range 0.1 Volt. Also under reverse bias, discrete energy level of electron 2-fold valley, 4-fold valley and phonon combination of TA, LA, TO and LO have significant contribution to conductance peaks in range -0.1 Volt. Electron transport of highly-doped nanoscale silicon P-N diode will experience conductance peaks when it has equal energy with 2D DOS discrete energy level. It proves the existence of phonon-assisted tunneling on highly-doped nanoscale silicon P-N diode."