Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Pada skripsi ini dirancang struktur PSFET berdimensi chip 360 _m x 290 pm x 400 }gym yang bekerja untuk daerah 0 kPa-16 kPa dengan Batas tekanan maksimumnya 40 kPa untuk aplikasi pengukuran tekanan darah dalam pembuluh darah manusia. Membran mempunyai tiga lapisan penyusun (Si3N4, polisilikon dan Si3NA berdimensi 80 pm x 80 yam x 0.78 pm dengan kondisi tepi jepit pada keempat sisi membran. Pada catu tegangan drain 6 volt, tegangan gate 12 volt PSFET rancangan memiliki keiinieran yang tinggi pads daerah pengukurannya, dan sensitivitas sebesar 0.0192 mA.mA'1.kPa-i.Modifikasi struktur PSFET diiakukan dengan menambahkan celah udara pada bagian rongga PSFET, sebagai upaya untuk meminimalkan pengaruh temperatur dan tekanan ruang dari dalam rongga jika keadaan rongga vakum. Selain itu modifkasi struktur tersebut bertujuan untuk menyederhanakan dalam penggunaan persamaan lendutan membran PSFET.Simulasi Perancangan PSFET berdasarkan pada model PSFET dan penyesuaiannya dengan parameter dan persamaan level-1 MOSFET guna memperbaiki karakteristik PSFET rancangan. Program Simulasi Perancangan dibuat dengan perangkat iunak Matlab 4.0 dari Matrix Laboratory. Sementara perancangan Layout dan Masker berdasarkan aturan proses 3 P NMOS, proses fabrikasi model PSFET, dan fabrikasi sensor tekanan Micro-diapragm tipe-C serta aturan pendisainan wire untuk pengabaian delay resistansi dan kapasitansi."

"Field-effect transistor (FET) berbasiskan single-walled carbon nanotubes semikonduktor (sSWNT) adalah salah satu komponen yang paling menjanjikan untuk generasi perangkat elektronik baru yang supercepat. Di antara bahan berbasiskan nanocarbon yang memiliki mobilitas pembawa muatan yang sangat tinggi, sSWNT adalah satu-satunya yang berkarakter semikonduktor. Bandgap energy sSWNT (~0,7 eV) sangatlah kompatibel untuk diintegrasi dalam rangkaian logika, karena memungkinkan FET sSWNT untuk dimatikan (switch-off). Hal ini yang tidak bisa dimiliki oleh graphene yang bersifat metallic. Namun, proses pembuatan sSWNT FET adalah tantangan besar. Sampai saat ini, kinerja tinggi devais ambipolar yang menggabungkan mobilitas dan rasio on/off yang tinggi hanya dapat dicapai oleh sSWNT yang ditumbuhkan langsung oleh proses chemical vapor deposition (CVD) pada suhu tinggi (~ 900K) di atas substrat konvensional. Selain itu, electron beam lithography harus digunakan untuk membuat elektroda pada sSWNT tersebut (baik nanotube tunggal atau jejaring nanotube). Proses ini mahal, boros energi, dan tidak cocok untuk pembuatan devais berskala banyak dan integrasi pada flexible electronics."

"ABSTRAKSuatu peninjauan akan dilakukan terhadap divais semikonductor dengan empat terminal yang disebut metal oxide semiconductor bipolar junction transistor (MOSBJT). Dalam divais ini karakteristik listriknya berdasarkan gabungan dua prinsip yaitu; prinsip metal oxide semiconductor (MOS) atau field effect transistor (FET) dan prinsip bipolar junction transistor (BJT). Pada keadaan forward active, struktur permukaan MOS bersifat terbalik (inverted) dan kontak listrik yang terdifusi (diffused electrical contact), drain, memberikan suatu mekanisme untuk reverse bias lapisan inversion terhadap base. Pembawa minoritas yang diinjeksikan ke base, berdifusi sepanjang base, dikumpulkan pada permukaan yang inverted dan selanjutnya mengalir ke terminal drain. Resistansi lapisan inversion menyebabkan suatu voltage drop sepanjang lapisan inversion dan akan mengurangi reverse bias dari inversion-layer/base junction. Voltage drop ini dapat mengurangi/membalik bias dari inversion-layer/base junction yang letaknya paling jauh dari kontak drain. Pengurangan/pembalikan bias ini akan mengurangi daerah active collector untuk mengumpulkan arus drain. Karena resistansi lapisan inversion tergantung dari tegangan gate dan base bias, maka kedua terminal kontrol (gate dan base) tersebut mempunyai pengaruh yang besar terhadap sifat listrik dari divais.Berdasarkan prinsip dasar Hall effect dan magnetoresistance, pengaruh medan magnet terhadap divais ternyata mendominasi pengurangan/pembalikan bias dari inversion-layer/base junction, mempertahankan daerah active dan menyebabkan suatu penurunan besarnya resistansi lapisan inversion.Empat set model divais untuk sensor medan magnet telah difabrikasi dengan bentuk geometri gate, yaitu; Large-L shape, Medium-L shape, Small-L shape dan T shape. Divais tersebut difabrikasi secara bersama, memakai suatu prosedur yang didisain untuk mengoptimalkan keandalan kedua komponen, FET dan BJT, dari MOSBJT.Suatu kenaikan yang sangat berarti terjadi pada arus collector, telah diobservasi, selama divais dipengaruhi oleh medan magnet dengan tiga arah yang saling tegak lurus. Pengaruh ini berkaitan dengan resistansi lapisan inversion yang menyebabkan bertambahnya daerah active MOSBJT dalam keadaan forward active MOSBJT pada harga gate bias tertentu. Besarnya magnetosensitivity dari divais yang difabrikasi adalah; a) absolute magnetosensitivies S'As, besarnya antara 0.002 µA/G dan 0.200 µA/G, serta b) relative magnetosensitivies S'Rs, besarnya antara 0.03 %/G dan 15.67 %/G. Besarnya magnetosensitivity tersebut di atas merupakan keunggulan (excellent achievements) dari divais yang difabrikasi."

"Nanokristal semikonduktor inorganik banyak menarik perhatian karena memiliki sifat-sifat baru yang menarik dan berpotensi untuk diaplikasikan pada berbagai kegunaan seperti solar cell, light-emitting device, photodetector, transistor, dll. Munculnya sifat-sifat menarik tersebut disebabkan oleh ukuran nanokristal yang sangat kecil (2-20 nm) sehingga terjadi fenomena quantum confinement pada struktur energi elektronik material tersebut. Fenomena quantum ini menyebabkan banyak sifat dari nanokristal bergantung terhadap ukurannya, di antaranya pada sifat elektronik dan sifat optiknya. Sebagai contoh, Gambar 1 menunjukkan bahwa spektrum warna yang diemisikan berubah seiring dengan berubahnya ukuran nanokristal tersebut. Hal tersebut disebabkan oleh karena melebarnya Energy bandgap nanokristal di saat ukuran nanokristal mengecil. Perubahan bandgap ini juga berpengaruh secara signifikan juga terhadap sifat-sifat transfer elektroniknya."