Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Perkembangan teknologi alat telekomunikasi dewasa ini begitu meningkat pesat. Salah satu faldor yang memungidnkan terciptanya aiat telekomunikasi tersebut adalah adanya sebuah transduser yang dapat mengubah suara menjacil slnyal listdk atau seballknya. Transduser yang dapat mengubah suara menjadi slnyal 11strIk dikenal dengan nama Mlkrolon. Jenis mikrofon yang ada cukup banyak. Yang paling banyak dlpakal adalah mikrofon yang menggunakan prinsip kapasltif yang lebih dikenal dengan nama mlkrofon kondenser. Pada Tugas Skipsi ini, dliakukan penelitian tentang rancangan mikrofon kondenser yang dibuat dengan menggunakan bahan sillkon yang berdimensi kecil serta menggunakan dlafragma yang menggunakan bahan sHikon nitdda dan berbentuk sinusoidal. Parameter-parameter yang dipakal pada struktur mlkrofon ini adalah panjang den tebai diafragma, lebar celah udara, tebal backpiate, dan banyaknya lubang akustik untuk mendapatkan sensltvitas dan tanggapan frekuensi mlkrofon tersebut. Penelltian dilakukan dengan penjabaran secara matematls dan menggunakan bantuan perangkat lunak. Dart hasli slmulasl dan perhitungan dldapatkan sensitNitas mikrofon sebesar 12 mV1Pa dan tanggapan frekuensl 13 kHz."

"Correlation between silicon content and in-steam corrosion rate of Zr 1.5WT%-Si Ingot. Silicon is normally added in a small amount to a Zr - alloy to improve its corrosion resistance without having to sacrifice its neutronic property. An excessive amount of silicon addition is known to have caused faster corrosion rate. The objective of this research was to observe the effect of silicon content on the corrosion rate of Zr - 1.5wt%Nb-Si ingot. The ingot speciments had various silicon contents of 0.1 wt%, 0,2 wt% and 0.25wt%. All them were annealed at 400 oc, 600 oC and 800 oC for four and six hours. The corrosion test was conducted in an autoclove at 8 bars and 350 oC for 8, 15 and 24 hours..."

"ABSTRAKUntuk mengurangi cacat pada kristal tunggal silicon dengan orientasi (100) yang telah ditumbuhkan dengan Metode Czochralski, telah dilakukan penganilan terhadap wafer-wafer kristal dengan variasi temperatur 1000, 1100 dan 1200 °C, serta waktu anil 6, 12 dan 24 jam. Metode yang digunakan dalam pengamatan cacat kristai adalah Metode Permukaan (etch pits) dengan luas efektif setiap titik pengamatan sebesar 0,11 mm2. Hasil pengamalan memperlihatkan terjadinya fluktuasi kuantitas cacat kristal dari ujung seed sampai ujung ingot: sampel tanpa proses anil mempunyai cacat yang berfluktuasi antara 4758 sampai 11495/cm2, sedangkan sampel yang dianil mempunyai cacat antara 1541 sampai 5388/cm2.

---

ABSTRACT

In reducing the crystal defects at single crystal silicon with the orientation (100) which has been grown using Czochralski Method, the annealing process of crystal wafers have been done with temperature variation of 1000, 1100 and 1200 °C and also annealing time 6, 12 and 24 hours. Etch pits method has been used to obtain the crystal defects using an effective observation area of 0.11 mm2. The result shows that the defects fluctuation occur accross the length of the sample, from the seed-end toward the bottom-end, also the samples that were not annealed having the variation of crystal defects between 4758 to 114951cm2, while the samples that were annealed showing the defects variation between 1541 to 5388/cm2."

"Indeks bias (n) dan koefi sien absorpsi optis (α) lapisan tipis amorf silikon karbon terhidrogenasi (a-SiC:H) telah diteliti dari hasil pengukuran refl eksi dan transmisi. Lapisan tipis a-SiC:H dihasilkan dengan metode deposisi dc sputtering menggunakan target silikon dalam campuran gas argon dan metan. Indeks bias (n) berkurang dengan peningkatan fl ow rate gas metan. Koefi sien absorpsi optis (α) bergeser ke energi yang lebih tinggi dengan bertambahnya fl ow rate gas metan. Lapisan tipis cenderung makin tidak teratur dan memiliki gap optis yang lebih lebar pada fl ow rate gas metan tinggi. Relasi komposisi terhadap sifat?sifat optik lapisan tipis akan didiskusikan demikianpula terhadap ketidakteraturan jaringan amorf.

---

Methane Flow Rate Effects On The Optical Properties of Amorphous Silicon Carbon (a-SiC:H) Films Deposited By DC Sputtering Methods. We have investigated the refractive index (n) and the optical absorption coeffi cient (α) from refl ection and transmission measurements on hydrogenated amorphous silicon carbon (a-SiC:H) fi lms. The a-SiC:H fi lms were prepared by dc sputtering method using silicon target in argon and methane gas mixtures. The refractive index (n) decreases as the methane fl ow rate increase. The optical absorption coeffi cient (α) shifts to higher energy with increasing methane fl ow rate. At higher methane fl ow rate, the fi lms tend to be more disorder and have wider optical gap. The relation of the optical properties and the disorder amorphous network with the compositional properties will be discussed."

"Defek dangling bond dari lapisan tipis amorf silikon karbon (a-SiC:H) hasil deposisi metode dc sputtering telah dipelajari dengan spektroskopi ESR (electron spin resonance). Densitas spin berkurang tidak terlalu besar dengan peningkatan fl ow rate gas metan. Pengaruh kehadiran karbon dan hidrogen terhadap harga-g menunjukkan bahwa sampai fl ow rate gas metan 8 sccm, sinyal ESR didominasi oleh karakteristik defek a-Si:H, sedangkan untuk fl ow rate gas metan lebih besar dari 8 sccm, harga-g berkurang mendekati harga-g dari a-C:H. Hasil analisis inframerah menunjukkan semakin banyak karbon dan hidrogen yang membentuk ikatan Si-H, Si-C dan C-H dengan bertambahnya fl ow rate gas metan. Relasi hasil yang diperoleh dari inframerah dengan densitas defek dan harga-g akan dipelajari.

---

The dangling bond defect density in sputtered amorphous silicon carbon alloys have been studied by electron spin resonance (ESR). The results show that the spin density decreased slightly with increasing methane fl ow rate (CH4). The infl uence of carbon and hydrogen incorporation on g-value revealed that for CH4 fl ow rate up to 8 sccm, the ESR signal is dominated by defects characteristic of a-Si:H fi lms and for CH4 fl ow rate higher than 8 sccm the g-value decreased towards those usually found in a-C:H fi lms. Infrared (IR) results suggest that as CH4 fl ow rate increases more carbon and hydrogen is incorporated into the fi lms to form Si-H, Si-C and C-H bonds. A direct relation between the IR results and the defect density and g-value is observed."