Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"ABSTRAKPada Skripsi ini akan dibahas analisa disain divais menggunakan laser dioda dan Heterojunction Phototransistor yang berfungsi sebagai Light to Light Transducer. Latar belakang teori dan prinsip kerja dari laser Diode dan Heterojunction Phototransistor serta disain transduser juga akan dibahas pada Skripsi ini. Transduser melakukan pendeteksian cahaya, mengubah besaran optis ke dalam besaran listrik, diperkuat dan oleh Laser Dioda dipancarkan lagi sebagai besaran optis yang juga telah diperkuat, koheren dan monokromatis. Transduser ini dapat didisain dengan integrasi langsung secara vertikal dan Laser Diode dengan Phototransistor berbahan GaAs dengan dimensi 210 x 290 m2 dan penguatan maksimal 250 kali. Perhitungan dan analisa dilakukan pada daerah operasi panjang Gelombang 0.8-1.3 μm dan daya input 0-100 μW. Model preliminary Rangkaian yang dianggap dapat mewakili karakteristik struktur divais yang dirancang juga dibahas untuk mempermudah menganalisa dan memperhitungkan karakteristik divais.

---

"

"ABSTRAKTesis ini membahas tentang analisis dan perancangan divais dioda tunnel dari bahan silikon yang dipabrikasikan dengan menggunakan teknologi planar. Pabrikasi divais disesuaikan dengan teknologi, peralatan dam bahan yang tersedia pada Laboratorium Hikroelektronika, Puslitbang TELKOHA LIPI, Bandung sebagai tempat proses pembuatan. Dalam tesis ini dirancang 3 divais dioda tunnel, dengan berbagai konsetrasi impurity lapisan tipe n+, tetapi bentuk dan ukuran geometrinya saja. Ketiga rancangan tersebut disimulasikan dengan program perangkat lunak SPICES2B, HATLAB dan WINHCAD untuk nenperoleh kurva karakteristik I-V dan hubungan antara konsentrasi impurity bahan dengan untuk kerja untuk sinyal kecil. Unjuk kerja tersebut neliputi figure of merit, daya maksimum dan efisiensi. Ketiga rancangan dipabrikasi menggunakan teknologi difusi planar, parameter proses yang dipakai dari hasil simulasi program perangkat lunak SSUPREH. Hasil simulasi menunjukkan suatu karakteristik divais yang apabila konsentrasi impurity pada bahan tipe n+ (ND) dinaikkan, maka performasi dari dioda tunnel meningkat. Setelah dipabrikasi dan diukur, divais telah menunjukkan fenomena dioda tunnel. "

"This thesis describes the device physics of GaN-based laser diodes, together with recent efforts to achieve longer emission wavelengths and short-pulse emission. Experimental and theoretical approaches are employed to address the individual device properties and optimize the laser diodes toward the requirements of specific applications."

"ABSTRAKPada tesis ini didesain dioda IMPATT menggunakan bahan silikon p+nn+ yang dapat dioperasikan pada frekuensi 25 GHz dengan dibuat model semi empirisnya, dianalisis, dan disimulasikan melalui program simulasi yang dijalankan pada perangkat lunak SPISCES2B, SSUPREM dan MATLAB, serta dibantu perangkat lunak WINMCAD dalam pembuatan model semi empirisnya. Hasil simulasi dan analisis menunjukkan bahwa dengan memperpanjang daerah n pada struktur p+nn+ akan berakibat menurunnya frekuensi operasi secara eksponensial. Di samping hal tersebut, nilai maksimum arus injeksi menjadi tidak stabil (berosilasi) bila dioda IMPATT dioperasikan di luar frekuensi operasinya, sehingga resistansi dinamik negatifnya menjadi tidak stabil. Pabrikasi dilakukan di Laboratorium TELKOMA LIPI Bandung dengan terlebih dahulu dibuat desain proses pabrikasinya yang menggunakan teknologi difusi planar. Kedalaman daerah p+ (hasil proses difusi) serta karakteristik I=V dioda IMPATT tersebut diukur untuk melihat tegangan breakdown yang dihasilkan divais tersebut, sehingga dapat ditentukan frekuensi operasinya. Hasil pengukuran dan analisis menunjukkan bahwa dioda IMPATT p+nn+ yang dipabrikasi tersebut mempunyai tegangan breakdown 30 Volt, dengan lebar daerah avalanche 0,6 µm, dan lebar daerah deplesi 2,6 µm, sehingga divais tersebut mempunyai frekuensi operasi 25 GHz. "