Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Pada skripsi ini akan dilakukan suatu perancangan GaAs MESFET dengan ukuran gate dalam saluan submikrometer, yang diperuntukkan pada aplikasi yang membutuhkan kecepatan tinggi. Analisa yang dilakukan didasarkan pada landasan teori yang menjelaskan prinsip kerja dari MESFET dengan menggunakan struktursemikonduktor yang telah dimodifikasi, dalam hal ini modifikasi yang digunakan adalah pada konsentrasi implantasi di daerah active layer, dan hasil dari simulasi yang dilakukan dengan menggunakan MATLAB 5.3. Simulasi yang dilakukan akan membahas pengaruh perbedaan mctode kalkulasi yang digunakan untuk memperoleh GaAs MESFET dengan frekuensi cutoff 90 GHz dan transkonduktansi 550 mS/mm, seperti yang dinyatakan dari hasil eksperimen Onodera[l]. Pada simulasi ini terlihat bahwa metode Jiang merupakan metode yang paling baik karena menghasilkan frekuensi cutoff dan transkonduktansi seperti yang telah diperoleh oleh onodera[l], yaitu frekuensf cutoff sebesar 120 GHz dengan transkonduktansi sebesar 115,5 mS/mm pada saat konsentrasi doping 2 x lO 18 /cm3. Pada kondisi ini. tebal etektif channel yang terbentuk adalah setebai 12,047nm. Sementara dengan menggunakan metode Zhou Xing, untuk konsentrasi…"

"Heterojunction bipolar transistor Silikon Germanium (HBT SiGe) adalah transistor bipolar yang emiter dan kolektornya terbuat dari bahan Si sedangkan basisnya terbuat dari bahan SiGe. Frekuensi cutoff (ft) dan frekuensi osilasi maksimum (fmax) merupakan ukuran yang umum digunakan untuk menilai kemampuan transistor bipolar. Frekuensi cutoff dan frekuensi osilasi maksimum sangat penting dalam perancangan baik untuk aplikasi analog maupun digital. Dari studi literatur yang dilakukan, diketahui bahwa HBT SiGe yang dirancang untuk memperoleh f maksimal akan menghasilkan yang jauh dibawah nilai f tersebut, demikian pula sebaliknya. Salah satu contoh HBT SiGe yang dirancang untuk menghasilkan ft dan fmax sama tinggi adalah HBT SiGe IBM dengan ft maksimum 90 GHz dan fmax maksimum 90 GHz, yang dibuat dengan teknologi 0,18 µm.Pada penelitian ini dilakukan perancangan 1-BT SiGe agar dapat memberikan ft dan fmax lebih dari 130 GHz untuk teknologi 0,18 µm. Perancangan dilakukan dengan bantuan program simulasi divais Bipole3v4.6E.Setelah penelusuran jurnal terkait yang terbaru dilakukan, model parameter fisika bahan semikonduktor pada program simulasi Bipole3 dikalibrasi dengan parameter fisika Si dan SiGe yang diperoleh dari berbagai jurnal dan telah digunakan secara luas. Setelah itu dilakukan kalibrasi dengan data pengukuran HBT SiGe yang telah difabrikasi oleh grup IBM untuk mengetahui perbedaan hasil simulasi dengan hasil fabrikasi. Kemudian dilakukan perancangan dimensi divais, profit doping pada emiter, basis dan kolektor serta profit Ge pada basis agar dapat diperoleh divais yang mempunyai ft dan fmax lebih dari 130 GHz.Dari hasil penelitian yang diperoleh terbukti bahwa: HBT SiGe dengan luas emitter 0,18 x 5 µm2, lebar emiter 9 nm, konsentrasi doping emitter maksimum 102 cm-3 pada sisi kontak menurun ke arah basis, lebar basis antara 27,7 - 31,5 nm, konsentrasi doping basis maksimum antara 8,5x1018 - 1019 cm-3 pada sisi emitter menurun ke arah kolektor, profit Ge segiempat dengan fraksi Ge 0,2, dan lebar kolektor 360 nm dengan profil selective implanted collector dapat menghasilkan frekuensi cutoff antara 130 - 134 GHz dan frekuensi osilasi maksimum antara 136 - 150 GHz."

"ABSTRAKPada skripsi ini dilakukan perancangan concurrent quadband bandpass filter yang beroperasi pada frekuensi tengah 950 MHz dan 1.85 GHz untuk aplikasi GSM, 2.35 GHz untuk aplikasi WiMAX, dan 2.65 GHz untuk aplikasi LTE secara simultan. Rangkaian filter tersebut dibangun dengan menggunakan komponen lumped yang berupa induktor (L) dan kapasitor (C). Filter yang dirancang harus memenuhi spesifikasi, antara lain memiliki input return loss (S11) < -10 dB, insertion loss (S21) > -3 dB, bandwidth S21 sebesar 50 MHz pada frekuensi tengah 950 MHz dan 100 MHz pada frekuensi 1.85 GHz, 2.35 GHz, serta 2.65 GHz, dan VSWR antara 1-2 dengan group delay kurang dari 10 ns.Perancangan yang dilakukan dengan menggunakan perangkat lunak Advance Design System (ADS) versi 2011.05 menunjukkan bahwa filter yang dirancang telah memenuhi spesifikasi yang diinginkan, tetapi hasil fabrikasi menunjukkan bahwa filter tersebut tidak mencapai spesifikasi yang telah ditetapkan antara lain pada S11, S21, bandwidth, dan VSWR. Selain itu, terjadi pergeseran frekuensi kerja pada filter hasil fabrikasi. Hasil simulasi dan fabrikasi group delay juga menunjukkan perbedaan, tetapi nilainya masih di bawah 10 ns.

---

ABSTRACT

In this final project, a concurrent quadband bandpass filter is design to operate at four specific center frequencies of 950 MHz and 1.85 GHz for GSM application, 2.35 GHz for WiMAX application, and 2.65 GHz for LTE application simultaneously. The filter circuit is built with lumped element consists of inductor (L) and capacitor (C). The design of filter must meet some requirenment such as input return loss (S11) < -10 dB, insertion loss (S21) > -3 dB, bandwidth S21 of 50 MHz on center frequency 950 MHz and 100 MHz on center frequencies 1.85 GHz, 2.35 GHz, and 2.65 GHz, VSWR between 1-2 with group delay less than 10 ns. The result of filter's design that simulated with Advanced Design System (ADS) software 2011.05 version shows that filter's design have met the requirement but the fabricated result didn't acheive the requirement on S11, S21, bandwidth, and VSWR. Else, there are also operating frequencies shifting in the fabricated filter. The simulated and fabricated filter on group delay also shown a diffrence but the value is still less than 10 ns."

"ABSTRAKDalam skripsi ini mixer multiband down conversion dengan teknologi CMOS 0.18- um dirancang dan disimulasikan dengan menggunakan perangkat lunak Advance Design System (ADS) 2011. Dari hasil simulasi mixer pada frekuensi 900 MHz didapat conversion gain 23dB, VSWR 1,33 dan noise figure 29 dB, pada frekuensi 2.1 GHz didapat conversion gain 26 dB, VSWR 1,35 dan noise figure 31,4 dB, pada frekuensi 2.3 GHz didapat conversion gain 25,2 dB, VSWR 1,19 dan noise figure 34,7 dB dan pada frekuensi 2.6 GHz didapat conversion gain 23,9 dB, VSWR 1,07 dan noise figure 30,4 dB. Isolasi antar port LO-IF kurang dari -350 dB, LO-RF kurang dari kurang dari -650 dB dan IF-RF kurang dari -650 dB. Mixer dicatu dengan tegangan 3 V dan arus yang mengalir pada rangkaian sebesar 7 mA.

---

ABSTRACT

In this final project multiband down conversion mixer is designed by using 0.18-um CMOS technology in Advance Design System (ADS) 2011 software. The result of the mixer simulation for 900 MHz the conversion gain 23 dB, VSWR 1,33 and noise figure 29 dB, at frequency 2.1 GHz the conversion gain 26 dB, VSWR 1,35 and noise figure 31,4 dB, for 2.3 GHz it has conversion gain 25,2 dB, VSWR 1,19 and noise figure 34,7 dB and at frequency 2.6 GHz conversion gain 23,9 dB, VSWR 1,07 and noise figure 30,4 dB. Port isolation between LO-IF is less than -350 dB, LO-RF is less than -650 dB, and IF-RF is less than -650 dB. Mixer is supplied by 3 V and the current is 7 mA."

"Pada skripsi ini dirancang mikrostrip diplexer untuk aplikasi WiMAX pada frekuensi 2,3 GHz dan 2,5 GHz. Diplexer adalah suatu alat yang terdiri dari dua atau lebih filter yang digabungkan yang digunakan untuk memisahkan dua atau lebih frekuensi yang berbeda. Perancangan akan menggunakan dua parallel-coupled, halfwave resonator bandpass filter yang digabungkan menjadi diplexer dengan menggunakan sambungan Y-junction. Penggunaan dari parallel-coupled, half-wave resonator bandpass filter dikarenakan tipe filter ini sesuai untuk perancangan filter dengan bandwidth yang lebih kecil dari 10 persen nilai frekuensi kerjanya. Pada perancangan, digunakan filter Chebyshev dengan orde 4 untuk memperoleh tingkat kecuraman yang cukup tinggi dari passband ke stopband-nya. Y-junction digunakan untuk meningkatkan kualitas transmisi dan karakteristik refleksi dari diplexer. Perancangan dan simulasi dari hasil rancangan dilakukan menggunakan program ADS. Dari hasil simulasi diplexer yang dirancang dapat menyaring dua frekuensi yaitu frekuensi 2,3 GHz dan 2,5 GHz dengan masing-masing bandwith 100 MHz, VSWR pada frekuensi 2,3 GHz senilai 1,297 dan pada frekuensi 2,5 GHz sebesar 1,672. Return loss pada frekuensi 2,3 GHz bernilai -24,38 dB dan insertion loss bernilai -0,016 dB. Sedangkan pada 2,5 GHz return loss bernilai -12,078 dB dan insertion loss bernilai -0,283 dB. Dalam pengukuran daya, nilai antara daya input dengan daya output tidak jauh berbeda. Pada frekuensi 2,3 GHz dari simulasi diperoleh daya masukan sebesar 2x10-10 W dan daya keluaran sebesar 1,98x10-10 W. Demikian juga pada frekuensi 2,5 GHz dari hasil simulasi diperoleh daya masukan sebesar 2,08x10-10 W dB dan daya keluaran sebesar 1,87x10-10 W.

---

This thesis discusses microstrip diplexer designed for WiMAX applications at a frequency of 2.3 GHz and 2.5 GHz. Diplexer is a device consisting of two or more filters combined to separate two or more different frequencies. The design will use two parallel-coupled, half-wave resonator bandpass filter that is coupled to a diplexer by using a Y-junction. The use of parallel-coupled, half-wave resonator bandpass filters is because this filter type is suitable for designing filters with bandwidth of less than 10 percent of the value of its frequency. On designing, Chebyshev filters with the order of 4 is used to obtain a high enough level of steepness of its passband to stopband. Y-junction is used to improve the quality of transmission and reflection characteristics of the diplexer. Design and simulation of the design was done using the ADS program.

From the simulation results it is shown that the designed diplexer is able to filter out the two frequencies which is the frequency of 2.3 GHz and 2.5 GHz with each of the 100 MHz bandwidth, VSWR at frequency 2.3 valued at 1.297 GHz and 2.5 GHz at a frequency of 1.672. Return loss value at 2.3 GHz frequency is -24.38 dB and the insertion loss value is -0.016 dB. While at 2.5 GHz the return loss and insertion loss value is -12.078 dB and -0.283 dB. In power measurements, the value of input power with the power output is not much different. At frequency 2.3 GHz from the simulation result, input power is obtained 2x10-10 W and the output power is 1.98 x10-10 W. Similarly, at a frequency of 2.5 GHz from the simulation results, input power is obtained 2.08 W x10-10 dB and the output power is 1.87 x10-10 W."

"Paduan Aluminium - Magnesium ~ Besi memiliki nespon yang km-ang baik berhadap perlakuan panas diantara paduan tuang lainnya, karena termasuk paduan aluminium iron-heat treatable. Rasio Mg:Fe dalam paduan, mempengaruhi respon paduan herhadap perlakuan panas. Komposisi tuang paduan dihasillcan dari peleburan dengan menggunakan dapur krusibel jenis ciduk. Sedangkan cetakan yang dfgunakan adalah celakan logam, menggmakan standar ]`IS Z-2201 (sesuai ISO 2378) yang hasilnya sudah merupakan sampel tarik. Paduan Al-Mg-Fe dengan peningkatan komposisi Mg sebesar 3%, 5% dan 7% serla penambahan Fe sebesar 0,5%, 1,0%, dan 1,5%, dilakukan perlakuan panas yang melipuii perlakuan pelarutan (solution treatment) dengan temperatur 430°C selama 12 jam dan dilanjutkan dengan pencelupan (qunenching) ke dalam media air. Dari hasil penelitian diperoleh bahwa perlakuan panas yang diberikan dapat memperbaiki sifat mekanis paduan dibandingkan hasil pengecorannya. Dengan peningkatzm komposisi Mg hingga 7% dan penambahan Fe hingga 1,5% cenderung meningkatkan sifat mekanis paduan."

"Power amplifier (PA) merupakan komponen akhir pada bagian pemancar BTS dari sistem Mobile WiMAX yang berfungsi untuk menguatkan sinyal yang dikirimkan dari sumber. Pada perancangan ini power amplifier dibuat untuk bekerja pada frekuensi kerja 2,3 GHz. PA yang diusulkan menggunakan NPN Silicon NE662M04 dengan power supply Vcc = 5 V dan Ic = 20 mA agar memperoleh gain yang besar. Untuk mempermudah proses fabrikasi maka digunakan band-stop filter sebagai radio frekuency choke (RFC). Penggunaan band-stop filter sebagai (RFC) untuk memudahkan dalam pembuatan di single-layer, juga arus DC dapat mengalir tanpa ada gangguan dengan RF yang tetap terblok. Perancangan PA menggunakan common-emiter karena memiliki power gain paling tinggi . Sementara itu, mikrostrip dengan FR4, = 4,3 dan h = 1,6 mm, digunakan sebagai rangkaian matching input dan matching output. Tipe bias transistor yang digunakan yaitu power-divider karena memiliki tingkat sensitifitas perubahan paling rendah terhadap perubahan suhu. Hasil pabrikasi maka diperoleh nilai gain (S21) = 7,69 dB, input return loss (S11) = -13,757 dB, output return loss (S22) = -7,496 dB. Selain itu, PA mengalami pergeseran frekuensi hingga ke 2,57 GHz.

---

Power amplifier (PA) is final component of the BTS transmitter of Mobile WiMAX system that make strengthen the signal transmitted from the source. In this design, power amplifier designed to work at frequency of 2.3 GHz. This is a carrier frequency for the Mobile WiMAX in Indonesia. PA proposed using NPN Silicon NE662M04 with the power supply Vcc = 5 V and Ic = 20. To simplify the manufacturing process, band-stop filter was used as RFC. Using of band-stop filter as RFC is very profitable addition to making only a single-layer, but also the DC current can flow without any interference with the RF remain blocked. The design uses a common-emitter because it has the highest gain power. Meanwhile, the microstrip FR4, = 4.3 with h = 1.6 mm, was used as a set of matching input and output matching. The power-divider bias is used is because has a low sensitivity. To analyze the performance of the PA to changes in temperature, simulated temperature changes. Results obtained : gain (S21) = 7.69 dB, input return loss (S11) = -13.757 dB, output return loss (S22) = -7.496 dB. In addition, PA frequencies was shift up to 2.57 GHz."