Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Pengering sangat penting unluk berbagai kebuluhan di dalam bidang pertanian maupun industri. Pengering yang dibahas disini adalah pengering sederhana yang diharapkan bisa diaplikasikan di petani kecil. Hal ini didasari karena petani kecil sering kesulitan untuk mengeringkan hasil perraniannya apabila intensitas cahaya matahari berkurang.Salah satu jenis pengering yang dipakai adalah tipe lapisan tipis. Gambaran dari tipe ini adalah bahan yang akan dikeringkan diletakkan di atas rak dan dialur dengan ketebalan tcrtentu kemudian udara pengering di alirkan melewati bahan tersebun Kadar air bahan lebih tinggi daripada kadar air udara pengeringsehingga kandungan air bahan sebagian ikut terbawa oleh udara pengering sampai mencapai kandungan uap air yang seimbang derggan udara pengering. Bahan yang mempunyai kadar air lebih tiriggi lebih mudah diuapkan daripada kadar nap yang rendah. Sehingga selama proses pengeringan penguapan airmeningkat pada awal pengeringran atau untuk setiap kenaikan temperatur.Pengujian mengenai proses pengeringan ini dilakukan dengan membuat alatnya terlabih dahulu kemudian dilakukan percobaan dengan gabah sebagai bahan yang akan dikeringkan. Dengan mengganti jumlah batubara yang dipakai sebagai masukan deketahui bahwa semakin banyak jumlah batubara yang dipakai umuk pemanasan semakin cepat proses penguapan berlangsung."

"Pengering sangat penting untuk berbagai kebutuhan di dalam bidang pertanian maupun industri. Pengering yang dibahas di sini adalah pengering sederhana yang diharapkan bisa diaplikasikan di petani kecil. Hal ini didasari karena petani kecil sering kesulitan untuk mengeringkan hasil pertaniannya apabila intensitas cahaya matahari berkurang. Salah satu jenis pengering yang dipakai adalah tipe rak. Gambaran dari tipe ini adalah bahan yang akan dikeringkan diletakkan di atas rak dan diatur dengan ketebalan tertentu kemudian udara pengering di alirkan melewati bahan tersebut. Kadar air bahan lebih tinggi daripada kadar air pengering sehingga kandungan air bahan sebagian ikut terbawa oleh udara pengering sampai mencapai kandungan uap air yang seimbang, dengan udara pengering. Bahan yang mempunyai kadar air lebih tinggi mudah diuapkan daripada kadar uap yang rendah. Sehingga selama proses pengeringan penguapan air meningkat pada awal pengering atau untuk setiap kenaikan temperatur. Analisa massa setimbang dan konstanta pengering ini dilakukan dengan membuat asumsi perhitungan terlebih dahulu kemudian dilakukan percobaan dengan gabah sebagai bahan perbandingan hasil percobaan. Dengan mengganti banyaknya batubara yang dipakai sebagai masukan diketahui bahwa semakin banyak batubara yang dipakai untuk pemanasan massa setimbang akan menurun sedangkan konstanta pengeringan akan menaik dikarenakan semakin cepat penguapan berlangsung."

"Telah dibuat kapasitor lapisan tipis dengan ketebalan bervariasi antara 3000 - 10.000 A. Pembuatan dilakukan dalam ruang vakum dengan metoda termal evaporasi. Lapisan Aluminium terlebih dahulu didepositkan pada substrat kaca sebagai elektroda bawah, kemudian dengan lapisan tipis Silikon monoksida sebagai bahan dielektrik, dan dilapisi lagi dengan Aluminium sebagai elektroda atas, sehingga terbentuk struktur kapasitor Al-SiO-Al. Karakterisasi dilakukan terhadap kapasitansi sehingga diperoleh konstanta dielektrik er = 6,2 + 0,4 , dan faktor disipasi sebesar 0,07% pada 1 kHz, Berta nilai kuat dielektrik dari 0,14 - 0,36 10° V cm-4. Harga kuat dielektrik terjadi penurunan dari harga standart, Ed = 1 3 10¢ V hal ini diperkirakan akibat impurity gas residu yang terjebak maupun yang teroksidasi sehingga terbentuk lapisan tipis campuran antara SiO dan SiO2. Peristiwa ini erat hubungannya dengan parameter deposisi seperti tekanan gas 02 dalam ruang vakum dan laju deposisi."

"(Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 telah dihasilkan dari Ba0.5Sr0.5TiO3 (BST) yang doping Cu (x=1%, 2%, 4%) dengan metode Chemical Solution Deposition (CSD) dan proses spin coating (3000 rpm, selama 30 detik), di atas permukaan substrat Si (1 0 0) dan Pt/TiO2/SiO2/Si (2 0 0). Proses thermal hydrolisis, pyrolisis dilanjutkan dengan annealing pada suhu 8000C untuk pembentukan kristal. Hasil karakterisasi XRD dengan penghalusan GSAS, doping Cu (1%, 2% dan 4%) sudah masuk dalam BST menjadi kristal (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 dan menyebabkan perubahan jarak antar kisi dari kristal. Analisa struktur, mikrostruktur, morfologi dan topografi lapisan (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 berpengaruh terhadap hasil karakterisasi sifat listrik (polarisasi dan konstanta dielektrik). Polarisasi (spontan dan remanen) untuk BST murni lebih besar dibandingkan dengan BST yang di-doping Cu, tetapi doping Cu memperkecil medan koersif lapisan. Penggunaan substrat Pt/TiO2/SiO2/Si untuk penumbuhan lapisan (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3, dapat memperkecil medan koersif dibandingkan dengan substrat Si. Telah dihasilkan konstan dielektrik dari lapisan (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 sebesar 900. Karakterisitik dielektrik dan medan koersif yang rendah dari penumbuhan lapisan BST diatas permukaan substrat, sangat baik untuk switching pada aplikasi memori ferroelektrik.

---

(Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 fabricated from Ba0.5Sr0.5TiO3 (BST) with doping Cu (x=1%, 2%, 4%) used Chemical Solution Deposition (CSD) method and spin coating (3000 rpm, 30 second) process, on substrate Si (1 0 0) and Pt/TiO2/SiO2/Si (2 0 0). The Thermal process, hydrolisis, pyrolisis and annealing at temperature 8000C for crystallization. Characterization used XRD with refinement GSAS, doping Cu (1%, 2% dan 4%) doped in BST became crystal (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 and changed lattice parameter of crystal. The structure, microstructure, morphology and topography of film (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 were analyzed and correlated to electronic properties of film (Polarization and Dielectric). The undoped BST had more high polarization (spontant and remanent) than BST with doping Cu, but doping Cu made decrease coersive field of film. The used substrate Pt/TiO2/SiO2/Si for growthing of film (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3, could more decrease coersive field than used substrate Si. The dielectric constant of film (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 are 900. The dielectric properties, low coersive field of growth BST films on substrate propose for utilization in switching ferroelectric memory."

"Lapisan tipis Keramik Alumina pada substrat Aluminium Alloy dibuat dengan metoda pelapisan Sputtering RF Magnetron. Pelapisan dilakukan pada tekanan dasar sistem 1.7 - 3.3 x 10-5 torr dan tekanan gas Argon saat pelapisan berlangsung dipertahankan sekitar 15 mtorr. Komposisi Atomik Substrat sebelum pelapisan diuji dengan SEM/EDAX hasilnya adalah 69 % Al - 28 996 Si - 2.5 % Mg dan terdapat unsur Fe dan Ni yangjumlahnya kurang dari 1%. Sedangkan Target mempunyai fasa a-A1203 yang dianalisa deNgan menggunakan XRD. Pada pelaksanaan Pelapisan dibuat tiga jenis ketebalan yaitu: 3100 A° , 5600 A° dan 8550 A°. Mengingat pengukuran ketebalan pada saat pelapisan kurang memuaskan, dilakukan uji ketebalan dengan menggunakan ellipsometer dan perhitungan hasil uji spectrophotometer. Dilakukan proses anil sampai temperatur 12003 C terhadap sampel hasil pelapisan tujuannya untuk mendapatkan Alumina kristal [9]. Secara visual, morfologi permukaan pada sampel baik sebelum pelapisan rnaupun setelah pelapisan dapat dilihat dengan menggunakan foto optik dan SEM. Pengujian dengan XRD terhadap hasil pelapisan baik sebelum proses anil maupun sesudah dilakukan anil tidak menunjukkan sistem krisialin, hal ini diperkuat dengan hasil analisa SEM. Hasil Kekerasan (mikro hardness) menunjukkan bahwa hasil pelapisan lebih keras dibandingkan substrat sebelum dilapisi, selain itu makin tebal lapisan nilai kekerasan makin bertambah."

"Telah dibuat lapisan tipis CdS dengan metode koevaporasi CdS dan S dan telah diuji dengan XRD, UV-VIS Spectrophotometer, dan pengukuran hambatan. Lapisan yang terbentuk dipengaruhi beberapa parameter seperti, temperatur substrat, jarak antara sumber dan substrat, dan jarak antara sumber CdS dan sumber S. Hasil XRD menunjukkan bahwa lapisan yang terbentuk adalah CdS dengan preferred orientation pada bidang (0002}, dengan struktur hexagonal. Perlakuan panas yang diberikan pada temperatur 200°C di ruang vakum akan menurunkan besar hambatan, dan menaikkan respon terhadap cahaya."