Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Pada eksperimen ini telah dibuat lapisan tipis CuInSe2 pada substrat kaca (n=1,51) dengan temperatur substrat 150°C dan 200°C deagan variasi ketebalan sekitar 0,2-0,45 un dengan metode evaporasi thermal dalam vakum. Kemudian dilakukan pengukuran sifat optik dan listriknya. Dari nilai-nilai transmitansi dan reflektansi yang diperoleh digunakan untuk menghitung indeks bias, koefisien absorbsi dan energi gap dari lapisan tipis CulnSe2. Pada eksperimen ini didapatkan hasilnya sebagai berikut; Indek bias ( n) sekitar 2,6 - 4,7, koefisien absorbsi (a) sekitar ( 2 - 9 ) x 104/cm dan energi gap sekitar ( 1,02 - 1,45 ) av. Untuk sifat listriknya ternyata resistivitas listrik dari lapisan tipis ini merupakan fungsi dari ketebalan. Yaitu semakin tipis ketebalan lapisan, semakin besar harga resistivitas listriknya. Harga resistivitas listrik dari lapisan tipis CulnSe2 ini sekitar 1,4 - 3,4 ohm cm dan semua sampel ternyata mempunyai type ? n. Kesimpulan yang diperoleh dari hasil penelitian ini, bahwa lapisan tipis CuInSe2 ini merupakan bahan semikonduktor yang potensial untuk dapat dikembangkan, terutama penggunaannya sebagai bahan penyerap sinar matahari pada solar sel."

"Dengan menggunakan metode evaporasi termal telah dibuat lapisan tipis dari bahan ingot AglnSe2. Dari hasil karakterisasi dengan menggunakan difraktometer sinar-X didapatkan dua fasa yaitu AglnSe2 dan Agln5Sea. Parameter kisi dari lapisam tipis ini adalah a = b =5,9097 angstrom, c = 11,8146 angstrom dan c/a = 1, 9993 sedangkan struktur kristalnya adalah chalcopyrite. Dari hasil XRF didapatkan perbandingan komposisi unsurnya adalah Ag:ln: Se= 52,12 %:34,86 % : 3,00 %. Lapisan tipis AglnSe2 mempunyai ketebalan ( 0,23 dan 0,41 )μm. Dari spektrum reflektansi dengan panjang gelombang (300 - 800) nm didapatkan nilai indeks bias riel (n) antara ( 2, 14 -3,00 ), indeks bias imajiner (k) (5,78 - 9,23 )x 10-2 . Nilai fungsi dielektrik riel dan imajiner berturut-turut adalah 4,57 - 8,99 dan 0,163 - 0.235 serta koeffisien absorpsi S€besar (1,2 - 3,0 )x104 /cm. Resistivitas lapisan tipis yang didapatkan dari perhitungan adalah (1,1 -6,62 )x10-4 n.cm."

"ABSTRAKLapisan tipis CdS yang dideposisi diatas Substrat kaca (n = 1,51) dengan temperarur substrat 200 °C , 222 oC dan 250 °C dan variasi ketebalan antara ( 0,51-1,0) p.m dibuat menggunakan Metode PVD ( Physical Vaporation Deposition). Selanjutnya pada lapisan tipis CdS dilakukan pengukuran sifat optik dan listriknya. Sifat optik meliputi penentuan indeks bias, koefisien absorpsi, energi gap dan struktur lapisan tipis CdS. Dari nilai-nilai transmittansi yang diperoleh dan menggunakan pendekatan R.Swanepoel diperoleh besarnya indeks bias (n) sekitar 2,2 - 3,45 , besar koefisien absorpsi (α ) sekitar (0,5 - 4,3) x 10 4/cm dan energi gap sekitar ( 2,31 - 2,35) eV. Sedangkan dengan XRD diperoleh bahwa puncak diffraksi yang paling kuat dari kelima sampel yaitu pada d = ( 3,37-3,39 ) A° memiliki orientasi bidang (002) dan konstanta kisi sekitar a= 4,132 A° dan c= 6,77 A° serta struktur kristal adalah hexagonal (Wurzite). Untuk sifat listriknya, hasil pengukuran menunjukkan besarnya resistivitas listrik (p) lapisan tipis CdS adalah sekitar ( 0,81-6,5) x 10 5 Ω cm."

"Telah dibuat lapisan tipis (thin film) Seng sulfida (ZnS) dan Seng sulfida-Mangan (ZnS:Mn) pada substrat kaca dengan laju deposisi yang berbeda dengan cara evaporasi termal dan co-evaporasi termal di dalam bejana vakum. Pengukuran terhadap karakteristik impedansi lapisan tipis ZnS dan ZnS:Mn dilakukan di luar vakum untuk frekuensi yang bervariasi antara ribuan hingga jutaan hertz dan laju deposisi yang berbeda dengan ketebalan yang tetap. Ternyata pada daerah frekuensi 1 KHz sampai dengan 10 KHz terjadi penurunan impedansi yang relatif tajam, namun laju penurunan tersebut mulai berkurang pada daerah frekuensi di atas 10 KHz hingga sedikit di bawah 1 MHz. Pada daerah frekuensi di atas 1 MHz bahkan terjadi kenaikan harga impedansi yang menunjukkan telah terjadi gejala relaksasi pada lapisan tipis ZnS dan ZnS:Mn yang diamati. Hasil lain yang diperoleh bahwa permitivitas relatif (K) yang terbentuk pada lapisan tipis tersebut meningkat pengaruhnya pada frekuensi di atas 10 KHz sehingga terlihat bahwa kapasitansi lapisan tipis yang diamati memiliki harga yang tidak konstan, Selain itu nilai kapasitansi dan resistansi lapisan tipis ZnS:Mn mengalami perubahan terhadap variasi kadar Mn dari lapisan tipis tersebut."

"Telah dibuat lapisan tipis CdS dengan metode koevaporasi CdS dan S dan telah diuji dengan XRD, UV-VIS Spectrophotometer, dan pengukuran hambatan. Lapisan yang terbentuk dipengaruhi beberapa parameter seperti, temperatur substrat, jarak antara sumber dan substrat, dan jarak antara sumber CdS dan sumber S. Hasil XRD menunjukkan bahwa lapisan yang terbentuk adalah CdS dengan preferred orientation pada bidang (0002}, dengan struktur hexagonal. Perlakuan panas yang diberikan pada temperatur 200°C di ruang vakum akan menurunkan besar hambatan, dan menaikkan respon terhadap cahaya."