Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"ABSTRAK Telah berhasil dihitung nilai polarisasi spontan Ps bulk dan lapisan tipis PZT beserta PZT doping Vanadium PVZT (Soft Doping). Lapisan tipis PZT dan PVZT dibuat dengan metode pelapis putar (Spin Coating) dengan variasi doping Vanadium pada dua macam substrat yaitu Pt(200)/Si(100) dan Corning. Hasil penelitian manunjukkan bahwa nilai parameter kisi kristal PZT bulk, yaitu: a = 4,0323 ? dan c = 4,1838 ?, dengan nilai polarisasi spontan Ps = 0,5545 C/m2, hasil ini tidak jauh berbeda dengan nilai parameter kisi pada ICDD, yaitu: a = 4,036 ? dan c = 4,146 ?. Pemberian doping Vanadium yang semakin besar akan merubah struktur kristal PZT (parameter kisi) menjadi mendekati kubus. Dengan berubahnya parameter kisi kristal mengakibatkan perubahan nilai polarisasi spontan Ps. Peningkatan doping Vanadium (V) akan menghasilkan nilai Ps yang semakin membesar. Hal ini sesuai dengan karakteristik soft doping. Kata Kunci : PZT, PVZT, bulk, spin coating, lapisan tipis, Vanadium, polarisasi spontan Ps"

"Telah dibuat keramik timbal zirkonium titanat (PZT) doping aluminium dengan variasi persentasi berat 2% dan 8%. Sampel ditekan 2 ton dan dipanaskan pada suhu 800°C selama 8 jam dan ditahan selama 10 jam dan menjadi bulk, setelah itu membuat larutan lapisan tipis dengan mencampur methoxy ethanol di atas substrat Si(100) dan substrat Pt(200)/Si(100), kemudian diletakan pada spin coating dengan kecepatan putar 3000 rpm selama 30 detik dan dipanaskan pada suhu 900°C selama 8 jam dan ditahan selama 3 jam. Dengan metoda ini diharapkan terbentuk lapisan tipis senyawa PZT doping aluminium di atas substrat Si(100) dan substrat Pt(200)/SiI(100). Seluruh sampel dianalisa dengan difraksi sinar-X (XRD) untuk mengetahui parameter kisi, kemudian mengukur konduktifitas dengan I-V meter.

---

Lead zirconium titanate (PZT) ceramic have been made a doped by alluminum with the weight percentage varied from 2% and 8%. The sample was pressed at 2 ton and heated at 800°C during 8 hours with holding time in 10 hours and becoming bulk. The processed to make a thin film by mixing with methoxy ethanol then deposited to Si(100) and Pt(200)/Si(100) substrates, and then placed in spin coating apparatus with 3000 rpm during 30s and heated at 900°C during 8 hours with holding time 3 hours. by this method would be expected that we obtain new compounds of PZT doped by those atoms. All the samples were then analized by XRD to recognize a lattice parameter. We further discuss a characteristic of conductivity measurement with I-V meter analyzed."