Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Telah dibuat lapisan tipis CdS diatas substrat kaca dengan tujuan khusus untuk menambah wawasan terhadap ilmu dan teknologi pembuatan, pengukuran dan analisa lapisan tipis CdS yang dibuat dengan metoda PVD (Physical Vapor Deposition) jenis koevaporasi CdS dan s. dimana diharapkan sustman ini akan bersifat sebagai foto konduktor. Proses deposisi dilakukan pada tekanan ± 5 x 10-6 mbar menggunakan mesin vakum jesin Universal vacuum coater dari Laybold Ag model Universal 450 berkapasitas I 000 liter/s. Lapisan yang berhasil dibuat selanjutnya dilakukan karakterisasi dengan alat spektrofotometer type CARRY 2415 lengkap dengan DS15 data station dan alat difraksi sinar-X merek Philip Analytical Diffractometer PW3710. Pengukuran foto konduktivitasnya dengan bantuan alat ukur Source meter merek Keithley seri 241 O yang mana diukur dalam ruang berlampu terang hingga beberapa detik sesudah lampu tersebut dimatikan. Sampel yang diteliti berukuran 1.5 cm x 1 cm x 5000 A 0 yang dideposisi dengan laju 4 A 0 Is yang selanjutnya dianil dengan variasi temperatur 200°C, 300°C, 400°C, 500°C masing-masing selama 30 menit, yang mana pada sampel tersebut terdapat elektroda Ag pada dua sisi berhadapan sejarak 1 cm yang juga ditempelkan dengan cara evaporasi termal. Hasil spektrofotometer menunjukan bahwa ada kelebihan ketebalan 1 % dari ketebalan yang diprogramkan melalui inti.con. Dari hasil karakterisasi alat difraksi sinar-X menunjukan bahwa lapisan CdS yang terbentuk baik sebelum dianil maupun setelah dianil berstruktur hexagonal deogan preferred orientation pada bidang 002 dengan besar butir semakin tinggi suhu anil semakin besar besar butir yang diperoleh. Dari hasil pengukuran dengan alat ukur source meter menujukan bahwa respon lapisan terhadap cahaya semakin tinggi dengan naiknya suhu anil, yang berarti foto konduktivitasnya semakin baik. dimana pada penelitian ini bahwa lapisan yang dianil pada suhu 500°C menunjukan sifat foto konduktivitas yang terbaik. Hal ini lebih diperjelas dengan hasil hitungan yang diperlihatkan dalam tabel bahwa semakin tinggi suhu anil semakin tinggi pula jumlah pembawa muatan aktif dan mobilitas pembawa muatan. Sumber tegangan yang dipakai dalam penelitian ini bervariasi 5 Volt, 10 Volt, 15 Volt, 20 Volt, dan 25 Volt yang ternyata diplot menjadi grafik terhadap arus adalah berbanding lurus yang berarti menunjukan bahwa tegangan tersebut masih memenuhi hukum ohm."

"The Optical Properties of Cadmium Sulfide Thin Films Prepared by co-evaporation Deposition Methods of CdS and Sulfur. Cadmium Sulfide Thin Films have been deposited by thermal co-evaporation methods of CdS + S. The films were prepared on glass substrate and were varied by changing these deposition rates into 4-16 AIs. The thickness of the films and the real part of refractive indexes have been determined based on interference method using maximum and minimum of reflectance spectrum. The optical parameters a of these films have been determined by reflectance and transmittance spectrum using Hishikawa formulation of T/(1-R). The real part of refractive index and optical parameter a reduce with the higher deposition rate for transparency region - (E<2.6 eV). The optical gap almost did not show a certain tendency by deposition rate variation. The complex dielectric functions of these films reflect the real part of refractive indexes and extinction coefficients.

---

Lapisan tipis CdS telah dideposisi dengan metode co-evaporasi termal CdS+S. Lapisan tipis dideposisi di atas substrat kaca dan divariasi laju deposisinya 4 -16 AIs. Ketebalan dan indeks bias lapisan tipis ditentukan berdasarkan prinsip interferensi dengan menggunakan maksimum dan minimum spektrum reflektansi. Parameter optis a lapisan tipis ditentukan dari spektrum reflektansi dan transmitansi dengan menggunakan formulasi Hishikawa T/(1-R). Indeks bias rill dan parameter optis a berkurang dengan meningkatnya laju deposisi di daerah transparan (E < 2.6 eV). Gap optis tidak menunjukkan kecenderungan tertentu dengan variasi laju deposisi. Fungsi dielektrik kompleks lapisan tipis CdS mewakili indeks bias riil dan koefisien ekstinksi."

"Telah dibuat suatu alat ukur untuk menetukan konstanta dielektrik lapisantipis dengan metode arus konstan. Alat itu, dicoba untuk mengukur lima sampelyaitu substrat corning dideposisi lapisan tipis dengan teknik spin coating dariPIZT 8%, PVZT 8%, PNT8%, dan PGZT 8%. Hasil yang diperoleh daripengukuran mengalami problem sehingga tidak sesuai dengan hasil yangdiharapkan. Oleh karena itu penghitungan konstanta dielektrik dilakukan denganmenggunakan bantuan RCL meter tipe Fluke PM6306. Hasil penghitungankonstanta memakai alat yang dibuat yang diprogram dengan Labview diperolehHasil penghitungan konstanta masing-masing sampel tersebut adalah denganprogram Labview diperoleh K substrat corning = 3,33; K PIZT 8% = 9,97; K PVZT 8% =19,88; K PNZT 8% = 11,60 dan K PGZT 8% = 8,06. Dibandingkan dengan hasilpengukuran memakai RCL meter Fluke PM 6306 diperoleh K substrat corning = 2,061;K PIZT 8% = 20,178; K PVZT 8% = 22,923; K PNZT 8% = 22,211 dan K PGZT 8% = 20,062.Hal ini menunjukkan ada perbedaan yang berarti. Untuk itu perlu dilakukanpenelitian yang lebih lanjut."