Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Resistansi listrik lapisan tipis tin doped indium oxide (In203:Sn, ITO) yang dibuat dengan cara dc magnetron sputtering telah diteliti. Resistivitas yang diukur dengan cara empat titik berkisar dari 1.2 x 10'3 Slcm sampai 7.9 x 10-3 SZcm tergantung dari kadar oksigen pada temperatur ruangan. Di bawah temperatur 100 K, kerapatan pembawa muatan mendominasi konduktivitas sehingga dapat dikatakan bahwa ITO bersifat sebagai semikonduktor dengan energi aktivasi dari 2 x 10-6 eV sampai 1 x 104 eV. Dan pengaruh mobilitas menjadi konstan sehingga koefisien temperatur a dapat dianggap nol. Karenanya itu di bawah temperatur 100 K konduktivitas dapat ditulis sebagai d = o-o exp(-AE 1 kT) . Di atas temperatur 150 K mobilitas pembawa muatan mendominasi konduktivitas, sehingga ITO menyerupai logam dengan temperatur koefisien a dari 1.7 x 10K-1 sampai 4.2 x 104 K"1. Di atas 150 K, bentuk konduktivitas sebagai fungsi temperatur, dapat ditulis sebagai o = o exp(-dE/ kT) 1(1 + aT).Pengaruh kadar oksigen yang dimasukkan pada waktu sputtering sangat besar terhadap resistivitas maupun energi aktivasi. Resistivitas bertambah besar sebanding kenaikan kadar oksigen yang dimasukkan pada waktu sputtering. Namun, energi aktivasi bertambah besar sebanding kenaikan kadar oksigen hanya di bawah 100 K. Di atas 150 K, energi aktivasi mulai menjadi konstan yakni dengan harga sekitar 2 x 104 eV. Resistivitas paling kecil dan cenderung lebih bersifat logam ketika tidak dimasukkan gas oksigen ( 0 % ), sedangkan resistivitas paling besar dan lebih bersifat semikonduktor ketika dimasukkan gas oksigen 8.1 %."

"Telah dibuat kapasitor lapisan tipis dengan ketebalan bervariasi antara 3000 - 10.000 A. Pembuatan dilakukan dalam ruang vakum dengan metoda termal evaporasi. Lapisan Aluminium terlebih dahulu didepositkan pada substrat kaca sebagai elektroda bawah, kemudian dengan lapisan tipis Silikon monoksida sebagai bahan dielektrik, dan dilapisi lagi dengan Aluminium sebagai elektroda atas, sehingga terbentuk struktur kapasitor Al-SiO-Al. Karakterisasi dilakukan terhadap kapasitansi sehingga diperoleh konstanta dielektrik er = 6,2 + 0,4 , dan faktor disipasi sebesar 0,07% pada 1 kHz, Berta nilai kuat dielektrik dari 0,14 - 0,36 10° V cm-4. Harga kuat dielektrik terjadi penurunan dari harga standart, Ed = 1 3 10¢ V hal ini diperkirakan akibat impurity gas residu yang terjebak maupun yang teroksidasi sehingga terbentuk lapisan tipis campuran antara SiO dan SiO2. Peristiwa ini erat hubungannya dengan parameter deposisi seperti tekanan gas 02 dalam ruang vakum dan laju deposisi."

"(Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 telah dihasilkan dari Ba0.5Sr0.5TiO3 (BST) yang doping Cu (x=1%, 2%, 4%) dengan metode Chemical Solution Deposition (CSD) dan proses spin coating (3000 rpm, selama 30 detik), di atas permukaan substrat Si (1 0 0) dan Pt/TiO2/SiO2/Si (2 0 0). Proses thermal hydrolisis, pyrolisis dilanjutkan dengan annealing pada suhu 8000C untuk pembentukan kristal. Hasil karakterisasi XRD dengan penghalusan GSAS, doping Cu (1%, 2% dan 4%) sudah masuk dalam BST menjadi kristal (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 dan menyebabkan perubahan jarak antar kisi dari kristal. Analisa struktur, mikrostruktur, morfologi dan topografi lapisan (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 berpengaruh terhadap hasil karakterisasi sifat listrik (polarisasi dan konstanta dielektrik). Polarisasi (spontan dan remanen) untuk BST murni lebih besar dibandingkan dengan BST yang di-doping Cu, tetapi doping Cu memperkecil medan koersif lapisan. Penggunaan substrat Pt/TiO2/SiO2/Si untuk penumbuhan lapisan (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3, dapat memperkecil medan koersif dibandingkan dengan substrat Si. Telah dihasilkan konstan dielektrik dari lapisan (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 sebesar 900. Karakterisitik dielektrik dan medan koersif yang rendah dari penumbuhan lapisan BST diatas permukaan substrat, sangat baik untuk switching pada aplikasi memori ferroelektrik.

---

(Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 fabricated from Ba0.5Sr0.5TiO3 (BST) with doping Cu (x=1%, 2%, 4%) used Chemical Solution Deposition (CSD) method and spin coating (3000 rpm, 30 second) process, on substrate Si (1 0 0) and Pt/TiO2/SiO2/Si (2 0 0). The Thermal process, hydrolisis, pyrolisis and annealing at temperature 8000C for crystallization. Characterization used XRD with refinement GSAS, doping Cu (1%, 2% dan 4%) doped in BST became crystal (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 and changed lattice parameter of crystal. The structure, microstructure, morphology and topography of film (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 were analyzed and correlated to electronic properties of film (Polarization and Dielectric). The undoped BST had more high polarization (spontant and remanent) than BST with doping Cu, but doping Cu made decrease coersive field of film. The used substrate Pt/TiO2/SiO2/Si for growthing of film (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3, could more decrease coersive field than used substrate Si. The dielectric constant of film (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 are 900. The dielectric properties, low coersive field of growth BST films on substrate propose for utilization in switching ferroelectric memory."