Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Data total penampang lintang terbaru SAPHIR p(γ, K +)A menunjukkan struktur resonan pada energi total pusat massa sekitar 1900 MeV. Kami menyelidiki keadaan ini dengan menggunakan model isobarik, dan mencoba membandingkan 3 jenis formalisme propagator spin 3/2, yaitu formalisme propagator Adelseck, Behrends-Pronsdal dan Pascalutsa. Kami menemukan bahwa struktur ini dapat dijelaskan dengan memasukkan resonan baru D13 pada 1895 MeV. Selain itu ternyata formalisme propagator spin 3/2 Pascalutsa memberikan hasil yang terbaik dibandingkan dengan formalisme yang lain.

---

New SAPHIR p(γ, K+)A total cross section data show a resonance structure at a total c.m. energy around 1900 MeV. We investigate this feature with an isobar model, and try to compare 3 models of spin 3/2 propagator of Adelseck, Behrends-Fronsdal, and Pascalutsa. We find that the structure can be well explained by including a new D13 resonance at 1895 MeV. We also find that the spin 3/2 propagator of Pascalutsa shows the best result."

"Suatu formalisme yang didasari oleh pendekatan isobarik dengan menggunakan teknik diagram Feynman, termasuk nukleonik (spin 6 5/2), hyperionik (spin 1/2), dan resonansi kaonik telah dibangun. Dengan menggunakan formalisme ini perhitungan spin 5/2 pada elektroproduksi kaon eN - eKY telah dilakukan.

---

A formalism, based on an isobaric approach using Feynman digrammatic technique, which includes the nucleonic (spin 6 5/2), hyperonic (spin 1/2), and koanic resonances, is developed. Using this formalism, a calculation of spin 5/2 resonance for kaon electroproduction eN - eKY has been performed."

"ABSTRAKPenumbuhan lapisan tipis Barium Strontium Titanat (Ba1-xSrxTiO3) dengan berbagai doping telah berhasil dilakukan di atas substrat Pt/Si menggunakan metode Chemical Solution Deposition yang disiapkan dengan spin coating. Ada tiga tahap penting dalam pembuatan lapisan tipis dengan metode ini yaitu pembuatan Iarutan, proses spin coating, dan proses annealing. Optimalisasi parameter-parameter yang terkait dengan proses pembuatan lapisan tipis telah dilakukan yang meliputi jenis substrat, jumlah lapisan, kecepatan dan waktu putar pada proses spin coating, suhu dan waktu annealing, heating rare.Optimalisasi parameter penumbuhan lapisan tipis Ba1-xSrxTiO3 di atas substrat yang disiapkan dengan spin coater adalah keoepatan putar saat proses spin coating, 3000 rpm selama 30 detik dengan suhu annealing 800°C selama 3 jam dengan heating rare 2°C/menit. Pada variasi berbagai ion dopan yang diberikan pada BST didapatkan lanthanum merupakan ion dopan yang sangat baik untuk meningkatkan sifat ferroelektrik untuk aplikasi memori karena dengan pemberian 1% mol dopan lanthanum bisa menaikkan polarisasi remanen sekitar 37% dan menurunkan medan koersif sekitar 0,8%.

---

ABSTRACTBarium Srontium Titanate thin films (Ba1-xSrxTiO3) with variation ion dopant have been developed on Pt/Si substrates by using Chemical Solution Deposition method followed by spin coating. There are three steps for deposition of thin films: solvent preparation, spin coating process, and annealing process. Optimalisation of the parameters related to the dcpostion of thin films process have been done by varying the substrates, quantity of layers, angular velocity and time of spin coating process, temperature and time of annealing, and the heating rate.The optitmnn parameters of Ba1-xSrxTiO3; thin film deposition on substrate Pt/Si was found at 3000 rpm angular velocity of spin coating process for 30 second at annealing temperature 800°C for 3 hours with heating rate 2°C/menit. On varying the ion dopant given on BST, lanthanum was found to be the best ion dopant to increase ferroelectric properties for memory application, here 1% mol dopant lanthanum can increase remanen polarization approximately 37% and reduce coersif field approximately 0,8%."

"Interaksi RKKY (Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida) adalah interaksi exchange tidak langsung antara dua buah momen magnet terlokalisasi yang dimediasi oleh elektron pita konduksi. Interaksi exchange tidak langsung dalam struktur multilayer magnetik spin valve bisa dimediasikan oleh elektron konduksi milik lapisan pemisah non-magnetik. Interaksi RKKY umum ditemukan pada struktur multilayer yang lapisan pemisahnya bersifat konduktor listrik. Namun dalam eksperimen ditemukan lapisan pemisah LaAlO3 dalam struktur spin valve bisa memediasikan interaksi exchange berjarak jauh meskipun memiliki sifat sebagai insulator. Dalam penelitian ini, kami meneliti mekanisme interaksi RKKY di dalam LaAlO3. Dalam eksperimen lain, ditemukan bahwa transfer muatan bisa menginduksi munculnya sifat konduktor pada LaAlO3. Untuk mempelajari efek transfer muatan, pendekatan density functional theory (DFT) dilakukan di dalam penelitian ini untuk mendapatkan struktur pita elektronik LaAlO3 dengan doping muatan. LaAlO3 yang tidak terdoping memiliki celah pita sebesar 3 eV dengan puncak pita valensi dan lembah pita konduksi masing-masing berada di titik R dan Γ. Kami menunjukkan sifat konduktor muncul dari energi Fermi yang meningkat melalui doping muatan. Dengan tambahan doping muatan pada perhitungan DFT, kami menunjukkan bahwa LaAlO3 bisa memiliki sifat konduktor yang sesuai dengan eksperimen transfer muatan pada LaAlO3. Selanjutnya, LaAlO3 bersifat konduktor bisa memediasi interaksi RKKY dalam struktur spin valve. Penelitian ini bermanfaat untuk aplikasi LaAlO3 dan semikonduktor dalam heterostruktur magnetik.

---

RKKY interaction is an indirect interaction between localized magnetic moments mediated by conduction electron. Indirect exchange interactions between two magnetic layers in spin valve structure can be mediated by the conduction electron of the nonmagnetic spacer. RKKY exchange interaction is mostly found in magnetic multilayer involving conductor as the non-magnetic spacer. However, recent experiment shows that LaAlO3 spacer can intermediate of long-range exchange interaction even though it is an insulator. Here we study the mechanism of RKKY interaction in LaAlO3. An experiment shows that charge transfer can induce a conducting characteristic of LaAlO3. To study the effect of charge transfer, we perform a density functional theory (DFT) approach to obtain the band structure of LaAlO3 with charge doping. Undoped LaAlO3 has an indirect band gap around 3 eV with peak valence at R symmetry point and lowest conduction point at Γ point. We show that the conducting characteristic arise from Fermi energy shifts via charge doping. By adding charge doping into DFT calculation, we show that LaAlO3 can have conductor characteristic, in agreement with charge transfer experiment on LaAlO3. Furthermore, the conducting LaAlO3 is able to mediate RKKY interaction in spin valve structure. Our study is useful for application of LaAlO3 and semiconductor by extension in magnetic heterostructures."