Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Penulisan ini adalah suatu analisis terhadap divais Graded-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor atau disingkat GCMOSFET. Teknologi GCMOSFET dewasa ini berkembang sebagai salah satu usaha untuk memenuhi kebutuhan divais dalam aplikasi berdaya rendah dan mempunyai performansi lebih tinggi. Pada penulisan ini ditekankan untuk menganalisa keunggulan GCMOSFET dibanding dengan MOSFET ungraded. GCMOSFET dapat menghasilkan output ID yang lebih besar jika dibandingkan dengan MOSFET ungraded. Peningkatan arus ID ini terjadi disebabkan pengaruh graded channel pada divais yang menghasilkan panjang channel efektif yang lebih kecil daripada panjang channel efektif MOSFET ungraded. Dari hasil simulasi dengan berbantuan perangkat lunak S-PISCES 2B dan MATLAB dapat ditunjukkan bahwa ID yang dihasilkan GCMOSFET lebih besar daripada ID yang dihasilkan MOSFET ungraded, sebagai contohnya untuk VGS = 4 V dan VDS = 2 V, ID pada MOSFET sama dengan 9,78E-06 A, sedangkan pada GCMOSFET sama dengan 16,56E-06 A. Di samping itu, misalkan untuk menghasilkan ID = 11,32E-06 A pada MOSFET diperlukan VGS = 4 V dan VDS = 4,7 V, sedangkan pada GCMOSFET diperlukan VGS = 4V dan VDS = 1,2 V. Hal ini menunjukkan bahwa GCMOSFET mengkonsumsi daya yang lebih rendah dibandingkan MOSFET ungraded.Dan berdasarkan hasil simulasi terbukti bahwa GCMOSFET dengan LGC (panjang region graded channel) yang lebih pendek akan menghasilkan ID yang lebih besar dibandingkan dengan ID yang dihasilkan GCMOSFET dengan LGC yang lebih panjang. Sebagai contohnya untuk VGS = 4 V dan VDS = 2 V, pada GCMOSFET dengan LGC = 4 µm diperoleh ID = 16,56E-06 A, pada GCMOSFET dengan LGC = 3,5 µm diperoleh ID = 17,51E-06 A, dan pada GCMOSFET dengan LGC = 3 µm diperoleh ID = 18,49E-06 A.

---

Graded Channel MOSFET simulation with S-Pisces 2B. Graded-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect-Transistor or GCMOSFET is being discussed in this paper. GCMOSFET technology has been developed to meet the growing demand for low power and high performance application. In this paper, it will be shown that, compared to ungraded MOSFET, the GCMOSFET device offers the advantage of significantly higher drive current. The higher drive current is achieved because the effecctive channel length of GCMOSFET is shorter than the ungraded MOSFET's. From the simulation result with S-PISCES 2B and MATLAB, it can been shown that the ID from GCMOSFET is higher than the ID from ungraded MOSFET. As an example, with VG = 4 V and VD = 4 V, ID from MOSFET is equal with 9.78 e-06 A and ID from GCMOSFET is equal with 16.56 e-06 A. Beside that, as an example, to get ID = 1.13 e-05 A with MOSFET will need VG = 4 V and VD = 4.7 V, and with GCMOSFET VG = 4 V and VD = 1.2 V will be needed.This result has shown that GCMOSFET needs lower supply voltage than the ungraded MOSFET which means that GCMOSFET needs lower power consumption than ungraded MOSFET. From the simulation results, it can be proved that GCMOSFETwith shorter LGC (graded channel region length) will give larger ID than ID from GCMOSFET with longer LGC. As we can see that for VGS = 4 V and VDS = 2 V, GCMOSFET with LGC = 4 µm will give ID = 16,56E-06 A, GCMOSFET with LGC = 3,5 µm will give ID = 17,51E-06 A, and GCMOSFET with LGC = 3 µm will give ID = 18,49E-06."

"Penuhsan mi adalah suatu anahsa terhadap divais Graded Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor atau disingkat GCMOSFET Teknologi GCMOSFET dewasa mi berkembang sebagai salah satu usaha untuk memenuhi kebutuhan divais dalam aphkasi berdaya rendah dan mempunyai performansi Iebth tmggl Pada penuhsan mi ditekankan untuk menganahsa keunggulan GCMOSFET dibandmg dengan MOSFET ungraded GCMOSFET dapat menghasilkan output ID yang lebth besar pica dibandmgkan dengan MOSFET ungraded Peningkatan arus ID mi terjadi disebabkan pengaruh graded channel pada divais yang menghasilkan panjang channel efektif yang lebth kecil daripada panjang channel efektif MOSFET ungraded Dan hasil simulasi dengan berbantuan perangkat lunak S PISCES 2B dan MATLAB dapat ditunjukkan bahwa ID yang dthasilkan GCMOSFET lebth besar danpada ID yang dthasilkan MOSFET ungraded sebagai contohnya untukVG = 4 V danVD = 4V ID pada MOSFET sama dengan 1,47589798 e 04 A sedangkan pada GCMOSFET sania dengan 2 59738752 e-04 A Di samping itu misalkan untuk menghasillcan ID = 110687718 e-04 A pada MOSFET diperlukan VG = 3 V dan VD = 4 V sedangkan pada GCMOSFET diperlukan VG = 2 V dan VD = 3 4 V Hal mi menunjukkan bahwa GCMOSFET mengkonsumsi daya yang lebth rendah dibandingkan MOSFET ungraded."

"Cu In,Ga Se2 CIGS dengan menggunakan substrat Polimida merupakan salah satu material yang memiliki potensi untuk digunakan dalam aplikasi sel surya thin-film. Permasalahan notch pada fabrikasi CIGS dengan substrat Polimida di temperatur rendah menjadi kendala peningkatan karakteristik sel surya CIGS. Pada penilitian ini dilakukan pengembangan sel surya CIGS untuk menghilangkan notch melalui desain single-graded flat-band. Pengaruh variasi dmin pada desain juga diteliti dengan menggunakan simulasi menggunakan perangkat lunak SCAPS. Selain itu ditinjau pula metode fabrikasi alternatif yaitu metode lima-tahap.Hasil dari fabrikasi dan pengukuran menunjukkan CIGS single-graded flat-band berhasil difabrikasi dengan menggunakan metode lima-tahap dan mengalami peningkatan karakteristik yang signifikan terutama densitas arus Jsc yang mencapai nilai 39,4 mA/m2. Simulasi optimasi menggunakan SCAPS juga menghasilkan nilai dmin optimum yaitu dmin SG = 1,7 m -1,8 m dan dmin flat-band= 0,2 m - 0,3 m.

---

Cu In,Ga Se2 CIGS grown on Polyimide is one of the potential materials in thin film solar cell application. However, notch problem in low temperature deposition became a hindrance in the characteristics augmentation. In this research, single graded flat band design was developed to eliminate notch structure. The effect of dmin variation in the design was also observed utilizing SCAPS simulation software. A novel fabrication method called five stage method was investigated as an alternative deposition method.Fabrication and measurement results confirmed five stage method as a suitable deposition procedure for single graded flat band CIGS. The design also improved solar cell characteristics particularly the current density Jsc which reached 39.4 mA m2. The dmin optimum value, which are dmin SG 1.7 1.8 m and dmin flat band 0.2 0.3 m, was determined through the simulation and optimization."

"Pada skripsi ini akan dilakukan suatu perancangan GaAs MESFET dengan ukuran gate dalam saluan submikrometer, yang diperuntukkan pada aplikasi yang membutuhkan kecepatan tinggi. Analisa yang dilakukan didasarkan pada landasan teori yang menjelaskan prinsip kerja dari MESFET dengan menggunakan struktursemikonduktor yang telah dimodifikasi, dalam hal ini modifikasi yang digunakan adalah pada konsentrasi implantasi di daerah active layer, dan hasil dari simulasi yang dilakukan dengan menggunakan MATLAB 5.3. Simulasi yang dilakukan akan membahas pengaruh perbedaan mctode kalkulasi yang digunakan untuk memperoleh GaAs MESFET dengan frekuensi cutoff 90 GHz dan transkonduktansi 550 mS/mm, seperti yang dinyatakan dari hasil eksperimen Onodera[l]. Pada simulasi ini terlihat bahwa metode Jiang merupakan metode yang paling baik karena menghasilkan frekuensi cutoff dan transkonduktansi seperti yang telah diperoleh oleh onodera[l], yaitu frekuensf cutoff sebesar 120 GHz dengan transkonduktansi sebesar 115,5 mS/mm pada saat konsentrasi doping 2 x lO 18 /cm3. Pada kondisi ini. tebal etektif channel yang terbentuk adalah setebai 12,047nm. Sementara dengan menggunakan metode Zhou Xing, untuk konsentrasi…"

"Menggunakan Si1-xGex alloy pada silikon solar cell yang mempunyai energi band-gap (Eg) yang lebih kecil dari silikon, menghasilkan efisiensi yang lebih besar dibandingkan Silikon solar cell. Dan juga meningkatkan kemampuan absorpsi (penyerapan) silikon solar cell, memperluas respons terhadap infrared dan menaikkan current generation. Penggunaan silicon solar cell menggunakan step graded dengan kadar 30% germanium (Si0.7Ge0.3) mempunyai efisiensi yang lebih besar dibandingkan dengan stepgraded dengan kadar germanium yang lain. Dimana silikon solar cell menggunakan lapisan stepgraded Si0.7Ge0.3 ini disimulasikan dengan menggunakan PC1D Version 5.8. Dari beberapa simulasi yang dilakukan yakni simulasi variasi ketebalan lapisan step graded Si0.7Ge0.3 untuk lapisan 2, 3 dan 4, diperoleh efisiensi optimum sebesar 25,426% pada ketebalan masing lapisan sebesar 1nm, 988nm, 11nm dan 1nm, 987nm, 12nm. Dan untuk simulasi variasi ketebalan pada step graded Si0.7Ge0.3, dengan menggunakan 2 fraksi mol, yakni fraksi mol 0.3 (lapisan 2) dan fraksi mol 0.28 (lapisan 3), diperoleh efisiensi optimum sebesar 25,426% untuk ketebalan lapisan sebesar 1nm untuk lapisan 2 (fraksi mol 0.3) dan 999nm untuk lapisan 3 (fraksi mol 0.28) Dalam tulisan ini akan difokuskan pada perhitungan efisiensi dengan memvariasikan energi phononnya (Ep). Dimana phonon ini merupakan partikel ketiga yang terlibat dalam proses penyerapan photon (emisi dan absorpsi phonon) pada indirect-band-gap semikonduktor disamping elektron dan photon itu sendiri. Dari sini akan dilihat pengaruh variasi nilai energi phonon (Ep) terhadap efisiensi silikon solar cell menggunakan lapisan step graded Si0.7Ge0.3 untuk memperoleh efisiensi yang lebih optimal. Dari simulasi yang dilakukan, diperoleh efisiensi silikon solar cell optimum sebesar 27,4706% pada percobaan Ep1 dan Ep2 berubah pada lapisan 2, 3 dan 4 berubah, untuk nilai Ep1 dan Ep2 masing-masing 2 dan 7,1128 meV.

---

Using Si1-xGex in Silicon-based solar cell, which has lower bangap (Eg) value than Silicon, a cell can achieve higher efficiency compare to a conventional silicon solar cell. Additionally, Si1-xGex alloy layer will improve energy absorption in silicon solar cell, extend its response into infrared region and increase current generation. Performance silicon solar cell using step graded index with 30% content of silicon germanium (Si0,7Ge0,3) have bigger efficiency than using step graded with other germanium content. In this Tesis, silicon solar cell using step graded Si0.7Ge0.3 was simulated using PC1D version 5.8. From simulations that have been done previously such as simulation of variation of the layer thickness of step graded Si0.7Ge0.3 to layer 2, 3 and 4, was got optimum efficiency 25.426% with each layer thickness are 1nm, 988nm, 11nm and 1nm, 987nm, 12nm. And the other simulation is simulation of the layer thickness of step graded Si0.7Ge0.3 with use 2 step graded index germanium content, are 0.3 (layer 2) and 0.28 (layer 3), was got optimum efficiency 25,426%, for both the layer thickness respectively 1nm on layer 2 (index germanium = 0.3) and 999nm on layer 3 (index germanium = 0.28). In this Tesis will focus with calculating of efficiency by varying its phonon energy value (Ep). The phonon constitute the third particle that involving in photon absorption (absorption and emission of phonon) in indirect-band-gap semiconductor beside electron and photon. Then, we investigated influence of phonon changing to performance of silicon solar cell by using step graded Si0.7Ge0.3 and get a higher efficiency. From simulation that have been done, having efficiency optimum of silicon solar cell 27.4206% over experiment of Ep1 and Ep2 change in layer 2, 3 and 4, for phonon energy value of Ep1 and Ep2 are 2 dan 7,1128 meV respectively."

"This research was intended to produce functionally graded material (FGM) of Hydroxyapatite (Hap)-silk fibroin by pulse electric current sintering in facing the need in biomaterial application. Silk sheet wasutilized as a bound between each layer. The target sample thickness was 1.6 mm with diameter I5 mm.Sample was created by using cylindrical type of carbon die and consisted of 4 layers with the samethickness in which silk film with the thickness of 100 ,tan was placed between the layers. The compositionof lower layer was l 00% silk fibroin, second layer was 90% silk fibroin + l 0% Hap, third layer was 80%silk fibroin + 20%Hap, and 70% silk fibroin + 30% Hap for the upper layer. The properties of FGM wascharacterized by optical microscope and scanning electron microscope (SEM). Three point bend withsingle-edge beam was used for _fracture toughness test (lim). The grade of the FGM material was provenby using electron probe micro analyzer (EPMA). The value of fracture toughness was 0. 65 l MPo.m".The silk film in the borders of the sample can arrest the crack perfectly, so that sudden fracture could beavoided The sample still remained capable supported the load after maximum load was reached Opticalmicrograph and SEM indicated that the Hap-silk fibroin FGM could be produced by using the methodthat was introduced in this research."