Zinc Oxide (ZnO) merupakan material yang biasa digunakan sebagai fotodetektor ultraviolet (UV), namun banyaknya defect natural pada ZnO menyebabkan tingginya dark current sehingga dapat menghambar performanya. ZnO NRs menghasilkan photocurrent paling tinggi saat diberikan cahaya UV dan sangat rendah saat diberikan cahaya cyan dan red, sehingga hanya sesuai sebagai fotodetektor UV. Oleh sebab itu, pada penelitian ini dilakukan dekorasi material TMD seperti MoS2, WS2 dan MoSe2 Quantum Dots (QDs) yang digunakan untuk mengurangi surface defect ZnO. MoS2, WS2 dan MoSe2 QDs disintesis menggunakan metode Pulsed Laser Ablation (PLA) kemudian dilapisi ke permukaan ZnO nanorods (NRs) yang disintesis menggunakan metode hydrothermal. Heterostructure ZnO/TMD menunjukkan penurunan dark current hingga lebih dari 82% untuk ZnO/MoS2 dan meningkatkan photocurrent hingga 127% untuk ZnO/WS2 di bawah cahaya UV pada tegangan 1 Volt. ZnO/MoS2 dapat meningkatkan sensitifitas 13 kali dan ZnO/WS2 dan ZnO/MoSe2 dapat meningkatkan sensitifitas 3-4 kali. Area yang sangat aktif dan tidak stabil pada tepi Mo, S maupun Se sangat mudah bereaksi dengan oxygen di udara sehingga dapat berkontribusi penuh dengan menurunnya dark current.

---

Zinc oxide (ZnO) is extensively used as an active material of ultraviolet (UV) detector, but the high dark current that comes from intrinsic defects limits its performance. ZnO nanorods (NRs) exhibit highest photocurrent under UV lights while lower photocurrent when exposed to cyan and red lights, so ZnO may only suatable as UV photodetector. Here, a new approach is proposed to reduce surface defects by decorating with MoS2, WS2 and MoSe2 quantum dots (QDs). MoS2, WS2 and MoSe2 QDs were fabricated by the pulsed laser ablation method and subsequently coated on the surface of hydrothermally grown ZnO nanorods (NRs). ZnO/TMD heterostucture shows a significant reduction in dark current until 82% for ZnO/MoS2 and also increases photocurrent more than 127% for ZnO/WS2 under 1V bias voltage. The sensitivities of ZnO/MoS2 are increased by more than 13 times, while ZnO/WS2 and ZnO/MoSe2 are increased by 3-4 times. The abundant active sites Mo-edges, S-edges, and Se-edges seem to be imperative in trapping dark current electrons, reducing recombination centers when exposed to UV light, and contributing to the adsorption and desorption process of O2 molecules.