SiO2 merupakan lapisan yang sensitif dan aktif dalam komponen-konponen semikonduktor. Dalam proses oksidasi pembuatan komponen KOSFET, dapat terjadi pencemaran lapisan isolator ini karena kontaminasi. Pencemaran menyebabkan terjadinya ion-bergerak di dalam lapisan oksida, sehingga mengganggu kestabilan sifat listrik. Dengan menggunakan Trichloroethylene (TCE) sebagai ambient pada proses oksidasi, diharapkan jumlah ion-bergerak dapat ditekan dan terjadi efek pasivasi (passivatioti ability). Untuk melihat pengaruh Trichloroethylene, dilakukan proses biasa dan proses menggunakan TCE dengan variasi laju arus. Untuk mendapatkan informasi sifat listrik dilakukan pengukuran dengan menggunakan Q-meter dan C-V ploter. Konsentrasi ion-bergerak dapat ditekan dari 3.32 X 1011 sampai menjadi 3.08 X 1010 Coul.Cm-2. Dan mendapatkan sifat kestabilan karakteristik konduktifitas atas perubahan temperatur.